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公開番号2025115498
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-07
出願番号2024009977
出願日2024-01-26
発明の名称不揮発性記憶装置及び集積回路装置
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G11C 16/34 20060101AFI20250731BHJP(情報記憶)
要約【課題】メモリーセルに記憶されるデータの信頼性を高めることが可能な不揮発性記憶装置を提供すること。
【解決手段】第1メモリーセルを含む複数の不揮発性のメモリーセルを有するメモリーセルアレイと、前記第1メモリーセルに流れる検出電流とリファレンス電流とを比較することで、前記第1メモリーセルに記憶されるデータを読み出し、前記データに応じた論理レベルのデータ信号を出力する読み出し回路と、前記データ信号の前記論理レベルが第1レベルから第2レベルへ遷移する回数をカウントするカウンターと、を備える、不揮発性記憶装置。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１メモリーセルを含む複数の不揮発性のメモリーセルを有するメモリーセルアレイと、
前記第１メモリーセルに流れる検出電流とリファレンス電流とを比較することで、前記第１メモリーセルに記憶されるデータを読み出し、前記データに応じた論理レベルのデータ信号を出力する読み出し回路と、
前記データ信号の前記論理レベルが第１レベルから第２レベルへ遷移する回数をカウントするカウンターと、を備える、不揮発性記憶装置。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
第１メモリーセル及び第２メモリーセルを含む複数の不揮発性のメモリーセルを有するメモリーセルアレイと、
前記第１メモリーセルに流れる第１検出電流と、前記第２メモリーセルに流れる第２検出電流とを比較することで、前記第１メモリーセル及び前記第２メモリーセルに記憶される相補データを読み出し、前記相補データに応じた論理レベルのデータ信号を出力する読み出し回路と、
前記データ信号の前記論理レベルが第１レベルから第２レベルへ遷移する回数をカウントするカウンターと、を備える、不揮発性記憶装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１メモリーセルにデータが書き込まれた場合、
前記読み出し回路は、前記第１メモリーセルに記憶されるデータを読み出し、当該データに応じた論理レベルの前記データ信号を出力し、
前記カウンターは、前記データ信号の前記論理レベルが前記第１レベルから前記第２レベルへ遷移する回数をカウントする、不揮発性記憶装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１メモリーセル及び前記第２メモリーセルに前記相補データが書き込まれた場合、
前記読み出し回路は、前記第１メモリーセル及び前記第２メモリーセルに記憶されるデータを読み出し、当該データに応じた論理レベルの前記データ信号を出力し、
前記カウンターは、前記データ信号の前記論理レベルが前記第１レベルから前記第２レベルへ遷移する回数をカウントする、不揮発性記憶装置。
【請求項５】
請求項１又は２において、
前記カウンターは、テストモードに設定された場合に動作し、前記テストモードに設定されない場合は動作を停止する、不揮発性記憶装置。
【請求項６】
請求項１又は２において、
前記カウンターのカウント値が閾値以上であるか否かを判定し、判定結果に応じた論理レベルの判定信号を出力する判定回路と、
テストモードに設定された場合は前記判定信号を選択して出力し、前記テストモードに設定されない場合は前記データ信号を選択して出力するセレクターと、を備える、不揮発性記憶装置。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の不揮発性記憶装置を備えた、集積回路装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性記憶装置及び集積回路装置に関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、メモリーセルアレイに設けられる第１のメモリーセルと第２のメモリーセルが、別個のデータを記憶するシングルモードと、互いに相補的なデータである相補データを記憶するデュアルモードとを有する、不揮発性記憶装置が記載されている。特許文献１に記載の不揮発性記憶装置によれば、メモリーセルアレイに設けられる各メモリーセルに対してシングルモードとデュアルモードとを任意に切り替えることができるので、用途に応じて汎用的に使用可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１１－１９２３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の不揮発性記憶装置では、第１のメモリーセル及び第２のメモリーセルにシングルモード又はデュアルモードでデータを書き込んだ場合、データを書き込んだ後のベリファイにおいて、第１のメモリーセル又は第２のメモリーセルに書き込まれたデータがシングルモードで読み出される。そして、第１のメモリーセル又は第２のメモリーセルに流れる検出電流がリファレンス電流と比較され、書き込まれたデータが正しく読み出されるか否かが判定される。当該検出電流とリファレンス電流との差が小さい場合、ノイズや電源電位の揺れ等に起因して、読み出されるデータが反転する状態が繰り返されるが、読み出しタイミングによっては正しいデータが読み出されることになる。すなわち、検出電流とリファレンス電流との差が不十分であるにも関わらずベリファイをパスするおそれがあり、メモリーセルに記憶されるデータの信頼性を高めることが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る不揮発性記憶装置の一態様は、
第１メモリーセルを含む複数の不揮発性のメモリーセルを有するメモリーセルアレイと、
前記第１メモリーセルに流れる検出電流とリファレンス電流とを比較することで、前記第１メモリーセルに記憶されるデータを読み出し、前記データに応じた論理レベルのデータ信号を出力する読み出し回路と、
前記データ信号の前記論理レベルが第１レベルから第２レベルへ遷移する回数をカウントするカウンターと、を備える。
【０００６】
本発明に係る不揮発性記憶装置の他の一態様は、
第１メモリーセル及び第２メモリーセルを含む複数の不揮発性のメモリーセルを有するメモリーセルアレイと、
前記第１メモリーセルに流れる第１検出電流と、前記第２メモリーセルに流れる第２検出電流とを比較することで、前記第１メモリーセル及び前記第２メモリーセルに記憶される相補データを読み出し、前記相補データに応じた論理レベルのデータ信号を出力する読み出し回路と、
前記データ信号の前記論理レベルが第１レベルから第２レベルへ遷移する回数をカウントするカウンターと、を備える。
【０００７】
本発明に係る集積回路装置の一態様は、
前記不揮発性記憶装置の一態様を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本実施形態の不揮発性記憶装置の概略構成を示すブロック図。
本実施形態におけるメモリーセルアレイ、スイッチ回路及び読み出し回路の詳細な構成例を示す図。
第１実施形態において第１モードに設定されたときの読み出し回路の状態を示す図。
第１実施形態において第２モードに設定されたときの読み出し回路の状態を示す図。
第１実施形態において第２モードに設定されたときの読み出し回路の他の状態を示す図。
テストモードにおける各種信号の波形の一例を示すタイミングチャート図。
テストモードにおける各種信号の波形の他の一例を示すタイミングチャート図。
第１モードに設定された場合の読み出しモード及びテストモードの処理の手順の一例を示すフローチャート図。
第２モードに設定された場合の第１メモリーセルに対する読み出しモード及びテストモードの処理の手順の一例を示すフローチャート図。
第２モードに設定された場合の第２メモリーセルに対する読み出しモード及びテストモードの処理の手順の一例を示すフローチャート図。
第２実施形態において第１モードに設定された場合のデータ書き込み及びベリファイの処理の手順の一例を示すフローチャート図。
第２実施形態において第２モードに設定された場合の第１メモリーセルに対するデータ書き込み及びベリファイの処理の手順の一例を示すフローチャート図。
第２実施形態において第２モードに設定された場合の第２メモリーセルに対するデータ書き込み及びベリファイの処理の手順の一例を示すフローチャート図。
電子機器の構成例を示す機能ブロック図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００１０】
１．不揮発性記憶装置
１－１．第１実施形態
図１は、本実施形態の不揮発性記憶装置１の概略構成を示すブロック図である。図１に示すように、不揮発性記憶装置１は、メモリーセルアレイ１０、電源回路２０、ワード線昇圧回路３０、ワード線駆動回路４０、ソース線駆動回路５０、スイッチ回路６０、読み出し回路７０、メモリー制御回路８０、レジスター９０、カウンター９１、判定回路９２及びセレクター９３を備える。図２は、メモリーセルアレイ１０、スイッチ回路６０及び読み出し回路７０の詳細な構成例を示す図である。以下、図１及び図２を参照しながら、不揮発性記憶装置１の構成について説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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