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公開番号2025135297
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-18
出願番号2024033062
出願日2024-03-05
発明の名称成膜装置及び炭素膜の成膜方法
出願人株式会社レゾナック・ハードディスク
代理人弁理士法人ITOH
主分類G11B 5/84 20060101AFI20250910BHJP(情報記憶)
要約【課題】保護膜の膜厚分布を安定化させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜装置は、成膜室と、前記成膜室内で基板を保持するホルダと、前記成膜室内に炭素を含む原料の気体を導入する導入管と、フィラメント状のカソード電極と、前記カソード電極を通電により加熱する第1の電源と、前記カソード電極の周囲に設けたアノード電極と、前記カソード電極と前記アノード電極との間で放電を生じさせる第2の電源と、前記カソード電極又は前記アノード電極と前記基板との間に電位差を与える第3の電源と、前記放電により前記気体をイオン化するイオン化領域と、イオン化した前記気体が前記電位差により加速される加速領域と、を有し、前記加速領域の周囲に軟磁性の円筒状物が設けられた。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
成膜室と、
前記成膜室内で基板を保持するホルダと、
前記成膜室内に炭素を含む原料の気体を導入する導入管と、
フィラメント状のカソード電極と、
前記カソード電極を通電により加熱する第１の電源と、
前記カソード電極の周囲に設けたアノード電極と、
前記カソード電極と前記アノード電極との間で放電を生じさせる第２の電源と、
前記カソード電極又は前記アノード電極と前記基板との間に電位差を与える第３の電源と、
前記放電により前記気体をイオン化するイオン化領域と、
イオン化した前記気体が前記電位差により加速される加速領域と、
を有し、
前記加速領域の周囲に軟磁性の円筒状物が設けられた、成膜装置。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記軟磁性の円筒状物は、飽和磁束密度が０．５Ｔ以上である、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記軟磁性の円筒状物は、保磁力が０．５Ａ／ｍ以下である、請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記軟磁性の円筒状物は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉの何れか一つ以上の元素を含むアモルファス金属である、請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項５】
成膜室と、
前記成膜室内で基板を保持するホルダと、
前記成膜室内に炭素を含む原料の気体を導入する導入管と、
フィラメント状のカソード電極と、
前記カソード電極を通電により加熱する第１の電源と、
前記カソード電極の周囲に設けたアノード電極と、
前記カソード電極と前記アノード電極との間で放電を生じさせる第２の電源と、
前記カソード電極又は前記アノード電極と前記基板との間に電位差を与える第３の電源と、
前記放電により前記気体をイオン化するイオン化領域と、
イオン化した前記気体が前記電位差により加速される加速領域と、
を有し、
前記加速領域の周囲に軟磁性の円筒状物が設けられた成膜装置を用いて保護膜として炭素膜を成膜する、炭素膜の成膜方法であり、
前記導入管より前記成膜室内に前記気体を導入し、
前記気体を、通電により加熱されたフィラメント状の前記カソード電極と、前記カソード電極の周囲に設けられた前記アノード電極との間の前記放電によりイオン化し、
イオン化した前記気体を前記加速領域内で加速して前記基板の表面に照射することによって、前記基板の表面に前記炭素膜を成膜する、炭素膜の成膜方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置及び炭素膜の成膜方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などに用いられる磁気記録媒体の分野では、記録密度の向上が求められている。このような記録密度の向上を支える技術は多岐にわたるが、その一つとして、磁気ヘッドと磁気記録媒体の磁性層との間の距離を短くすることがある。
【０００３】
ここで、磁気記録媒体の磁性層と磁気ヘッドとの間には保護膜が介在し、これが磁気ヘッドと磁性層との距離低減におけるスペーシングロスとなっている。このスペーシングロスを低減して磁気記録媒体の記録密度を高めるためには、保護膜の平滑性を高め、保護膜を薄くすることが必要である。
【０００４】
例えば、特許文献１には、磁気記録媒体の保護膜として用いられる炭素膜の膜厚分布を安定化させることで、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの距離を狭く設定することが可能とした、炭素膜の形成装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１１－６５７１４公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気記録媒体の記録密度向上の要求はとどまることがなく、保護膜をこれまで以上に平滑化することが可能な成膜装置及び炭素膜の成膜方法が求められている。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、炭素膜の膜厚分布を安定化させることができる成膜装置及び炭素膜の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下の手段を備える。
［１］成膜室と、
前記成膜室内で基板を保持するホルダと、
前記成膜室内に炭素を含む原料の気体を導入する導入管と、
フィラメント状のカソード電極と、
前記カソード電極を通電により加熱する第１の電源と、
前記カソード電極の周囲に設けたアノード電極と、
前記カソード電極と前記アノード電極との間で放電を生じさせる第２の電源と、
前記カソード電極又は前記アノード電極と前記基板との間に電位差を与える第３の電源と、
前記放電により前記気体をイオン化するイオン化領域と、
イオン化した前記気体が前記電位差により加速される加速領域と、
を有し、
前記加速領域の周囲に軟磁性の円筒状物が設けられた、成膜装置。
［２］前記軟磁性の円筒状物は、飽和磁束密度が０．５Ｔ以上である、［１］に記載の成膜装置。
［３］前記軟磁性の円筒状物は、保磁力が０．５Ａ／ｍ以下である、［１］又は［２］に記載の成膜装置。
［４］前記軟磁性の円筒状物は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＮｉの何れか一つ以上の元素を含むアモルファス金属である、［１］～［３］の何れか一つに記載の成膜装置。
［５］成膜室と、
前記成膜室内で基板を保持するホルダと、
前記成膜室内に炭素を含む原料の気体を導入する導入管と、
フィラメント状のカソード電極と、
前記カソード電極を通電により加熱する第１の電源と、
前記カソード電極の周囲に設けたアノード電極と、
前記カソード電極と前記アノード電極との間で放電を生じさせる第２の電源と、
前記カソード電極又は前記アノード電極と前記基板との間に電位差を与える第３の電源と、
前記放電により前記気体をイオン化するイオン化領域と、
イオン化した前記気体が前記電位差により加速される加速領域と、
を有し、
前記加速領域の周囲に軟磁性の円筒状物が設けられた成膜装置を用いて保護膜として炭素膜を成膜する、炭素膜の成膜方法であり、
前記導入管より前記成膜室内に前記気体を導入し、
前記気体を、通電により加熱されたフィラメント状の前記カソード電極と、前記カソード電極の周囲に設けられた前記アノード電極との間の前記放電によりイオン化し、
イオン化した前記気体を前記加速領域内で加速して前記基板の表面に照射することによって、前記基板の表面に前記炭素膜を成膜する、炭素膜の成膜方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、炭素膜の膜厚分布を安定化させることができる。得られた炭素膜を磁気記録媒体などの保護膜に用いた場合には、炭素膜の膜厚を薄くすることができるため、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの距離を狭く設定することができる。その結果、磁気記録媒体の記録密度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明の実施形態に係る成膜装置を模式的に示す概略構成図である。
本発明の実施形態に係る成膜装置を適用して製造される磁気記録媒体の一例を示す断面図である。
磁気記録再生装置の一例を示す断面図である。
本発明の実施形態に係る成膜装置を適用したインライン式成膜装置の構成を示す平面図である。
本発明の実施形態に係る成膜装置を適用したインライン式成膜装置のキャリアを示す側面図である。
図５に示すキャリアを拡大して示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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