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公開番号2025108639
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-23
出願番号2025068577,2023184090
出願日2025-04-18,2017-10-05
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20250715BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】リソグラフィ工程を削減し、高精細な表示装置を提供する。
【解決手段】画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、画素部は第1のトランジスタと、第1のトランジスタに電気的に接続される画素電極を有し、駆動回路は、第2のトランジスタと、接続部とを有し、第2のトランジスタは、金属酸化物膜と、金属酸化物膜を介して対向に配置される第1のゲート電極及び第2のゲート電極と、金属酸化物膜上に接するソース電極及びドレイン電極と、第1のゲート電極と第2のゲート電極を接続する第1の配線とを有し、接続部は、第1のゲート電極と同一表面上に形成される第2の配線と、ソース電極及びドレイン電極と同一表面上に形成される第3の配線と、第2の配線と第3の配線を接続する第4の配線とを有し、画素電極、第1の配線及び第4の配線とは同じ層に設けられる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
画素部と、前記画素部を駆動する駆動回路部と、を有する表示装置であって、
前記画素部は、第１のトランジスタと、画素電極と、を有し、
前記駆動回路部は、第２のトランジスタと、接続部と、を有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極を有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極を有し、
前記接続部は、第１の導電層を有し、
前記第１のゲート電極と、前記第２のゲート電極と、前記第１の導電層とを覆う、第１の絶縁膜を有し、
前記第１の絶縁膜上において、前記第１のトランジスタは、第１の金属酸化物層と、前記第１の金属酸化物層上の第２の金属酸化物層と、を有し、
前記第１の絶縁膜上において、前記第２のトランジスタは、第３の金属酸化物層と、前記第３の金属酸化物層上の第４の金属酸化物層と、を有し、
前記第１の絶縁膜上において、前記接続部は、第５の金属酸化物層と、前記第５の金属酸化物層上の第６の金属酸化物層と、を有し、
前記第１のトランジスタは、前記第２の金属酸化物層上に、第１のソース電極と、第１のドレイン電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第４の金属酸化物層上に、第２のソース電極と、第２のドレイン電極と、を有し、
前記接続部は、前記第６の金属酸化物層上に、第２の導電層を有し、
前記第１のソース電極と、前記第１のドレイン電極と、前記第２のソース電極と、前記第２のドレイン電極と、前記第２の導電層とを覆う、第２の絶縁膜を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第２の絶縁膜上に、第３の導電層を有し、
前記第３の導電層上に、第３の絶縁膜を有し、
前記画素部は、前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極のいずれか一と電気的に接続された画素電極を有し、
前記駆動回路部は、前記第１の導電層と電気的に接続され、且つ前記第２の導電層と電気的に接続された、第４の導電層を有し、
前記画素電極は、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第１の開口部と重なる領域と、前記第３の絶縁膜上と重なる領域と、を有し、
前記第４の導電層は、前記第１の絶縁膜乃至前記第３の絶縁膜が有する第２の開口部と重なる領域、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜が有する第３の開口部と重なる領域と、前記第３の絶縁膜上と重なる領域と、を有する、表示装置。
続きを表示（約 390 文字）【請求項２】
請求項１において、前記第１のトランジスタの断面において、前記第２の金属酸化物層の一端部は、前記第１のソース電極より延在した領域を有し、前記第２の金属酸化物層の他端部は、前記第１のドレイン電極より延在した領域を有する、表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第２のトランジスタの断面において、前記第４の金属酸化物層の一端部は、前記第２のソース電極より延在した領域を有し、前記第４の金属酸化物層の他端部は、前記第２のドレイン電極より延在した領域を有する、表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記接続部の断面において、前記第６の金属酸化物層の一端部は、前記第２の導電層より延在した領域を有し、前記第６の金属酸化物層の他端部は、前記第２の導電層より延在した領域を有する、表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置及び電子機器に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様は
、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マタ
ー）に関する。特に、本発明の一態様は、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、
記憶装置、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法に関する。
【０００３】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装
置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電気
光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は、半
導体装置を有している場合がある。
【背景技術】
【０００４】
トランジスタに適用可能な半導体材料として、酸化物半導体が注目されている。例えば、
複数の酸化物半導体層を積層し、当該複数の酸化物半導体層の中で、チャネルとなる酸化
物半導体層がインジウム及びガリウムを含み、且つインジウムの割合をガリウムの割合よ
りも大きくすることで、電界効果移動度（単に移動度、またはμＦＥという場合がある）
を高めた半導体装置が開示されている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、酸化物半導体トランジスタを、液晶ディスプレイや有機ＥＬ（エレクトロルミネッ
センス）ディスプレイなどの表示装置に用いる技術が注目されている。酸化物半導体トラ
ンジスタはオフ電流が非常に小さい。そのことを利用して、静止画像を表示する際のリフ
レッシュ頻度を少なくし、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイの消費電力を低減す
る技術が開示されている（特許文献２、及び特許文献３参照）。なお、本明細書において
、上述の表示装置の消費電力を減らす駆動方法を、ＩＤＳ（アイドリングストップ）駆動
と呼称する。
【０００６】
また、近年においては表示装置の大画面化、高精細化が進み、それとともにトランジスタ
の微細化が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２０１４－７３９９号公報
特開２０１１－１４１５２２号公報
特開２０１１－１４１５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
トランジスタの微細化においては、リソグラフィ工程でのマスクの位置合わせに高い精度
が必要となる。また、マスクの位置合わせのズレ量を考慮してトランジスタの各パターン
の配置にマージンを持たせる必要があり、トランジスタの微細化が困難となる。また、リ
ソグラフィ工程の回数が多いと、工程が煩雑になり、歩留り低下の原因となる。また、マ
スクは微細な形状を有し、かつ形状の精度を高く要求されるために非常に高価である。ま
た、表示装置の大画面化に伴い、ゲート配線、ソース配線などが長くなることで、配線抵
抗が高くなり、消費電力が高くなる問題が発生する。
【０００９】
上記に鑑み、本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、表示品質に優れた表示装置を提供することを課題の１つとする
。または、本発明の一態様は、消費電力が低減された表示装置を提供することを課題の１
つとする。または、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題の１つとす
る。または、本発明の一態様は、新規な電子機器を提供することを課題の１つとする。
【００１０】
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態
様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細書
等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出
することが可能である。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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