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公開番号
2025104949
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-07-10
出願番号
2023223155
出願日
2023-12-28
発明の名称
空間光変調装置
出願人
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
代理人
園田・小林弁理士法人
主分類
G09G
3/36 20060101AFI20250703BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約
【課題】 画素面積の増大を抑制しつつ、液晶に十分な電圧を印加すること。
【解決手段】 空間光変調装置は、複数の画素が配列された光変調部と、前記光変調部に第1の電位を供給する第1のドライバと、前記光変調部に第2の電位を供給する第2のドライバと、前記光変調部に3段階に制御される第3の電位を供給する電圧制御部とを有し、前記画素は、ゲート端子に印加される前記第1の電位によって導通状態が制御される第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの導通状態がオンの際にゲート端子に印加される前記第2の電位によって導通状態が制御される第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタの導通状態に応じて電位が設定される第1の電極と、前記第3の電位が供給され前記第1の電極に対向する第2の電極との間に強誘電性液晶を挟んで形成される液晶素子とを有する。
【選択図】 図4
特許請求の範囲
【請求項1】
複数の画素が配列された光変調部と、
前記光変調部に第1の電位を供給する第1のドライバと、
前記光変調部に第2の電位を供給する第2のドライバと、
前記光変調部に3段階に制御される第3の電位を供給する電圧制御部と
を有し、
前記画素は、
ゲート端子に印加される前記第1の電位によって導通状態が制御される第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの導通状態がオンの際にゲート端子に印加される前記第2の電位によって導通状態が制御される第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの導通状態に応じて電位が設定される第1の電極と、前記第3の電位が供給され前記第1の電極に対向する第2の電極との間に強誘電性液晶を挟んで形成される液晶素子と
を有する空間光変調装置。
続きを表示(約 540 文字)
【請求項2】
前記画素は、
前記第2のトランジスタのゲート端子と接地電極の間に接続される容量素子をさらに有する請求項1に記載の空間光変調装置。
【請求項3】
前記画素は、
前記液晶素子と並列に接続される容量素子をさらに有する請求項1又は2に記載の空間光変調装置。
【請求項4】
前記電圧制御部は、
第1段階の前記第3の電位を前記第2の電極へ供給することにより、前記液晶素子の分極方向をリセットさせた後、第2段階の前記第3の電位を前記第2の電極へ供給することにより、前記画素にデータを設定させる請求項1に記載の空間光変調装置。
【請求項5】
前記電圧制御部は、
第1段階の前記第3の電位とは正負が反転した第3段階の前記第3の電位を前記第2の電極へ供給することにより、前記画素に設定されたデータに応じて前記液晶素子の分極方向を維持又は反転させる請求項4に記載の空間光変調装置。
【請求項6】
前記液晶素子は、
画素ごとに設けられる前記第1の電極と、前記複数の画素の第1の電極に共通して対向する前記第2の電極との間に強誘電性液晶を挟んで形成される請求項1に記載の空間光変調装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、空間光変調装置に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)
【背景技術】
【0002】
一般に、例えばプロジェクタやホログラフィックディスプレイなどの映像投影装置に用いられる空間光変調装置は、SLM(Spatial Light Modulator)とも称され、液晶セルを用いてコヒーレント光の位相や振幅の空間変調に用いられる。液晶セルを用いたSLMとしては、例えばLCOS(Liquid Crystal On Silicon)による反射型のSLMがある。
【0003】
このような反射型のSLMにおいては、透明電極及び反射電極によって液晶層を挟む画素がシリコン上に形成され、透明電極及び液晶層を透過する入力光が各画素の反射電極に反射し、変調された変調光が出力される。例えば2値の変調光を出力する場合には、液晶層として自発分極を有する強誘電性液晶(FLC:Ferroelectric Liquid Crystal)が用いられることが多い。
【0004】
FLCを有するSLMの画素回路は、例えばDRAM(Dynamic Random Access Memory)セル又はSRAM(Static Random Access Memory)セルに基づいて形成することができる。このような画素回路においては、反射電極の電位がデータに応じて0又は電源電位に制御され、反射電極と透明電極の間の電圧がFLCからなる液晶層に印加される。そして、印加される電圧がFLCの駆動電圧に達していれば、FLCの分極方向を反転させることができる。このため、反射電極と透明電極の間の電圧を十分に大きくするために、透明電極の電位は電源電位の半分に固定されるのが一般的である。また、画素は小さいことが望ましく、例えばホログラフィックディスプレイで実用上十分な視域角30°を実現するために必要な画素ピッチは1μmである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特表平11-509647号公報
特開2017-21159号公報
特開2017-129746号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、FLCを有するSLMにおいては、例えば1μmピッチのように画素の狭ピッチ化を図りつつFLCを駆動する駆動電圧を得るのは困難であるという問題がある。画素の狭ピッチ化は画素回路中のトランジスタを微細化することを意味するが、一般にトランジスタは、微細化に伴ってその耐圧性が低下するため、画素を狭ピッチ化する場合には電源電位を低くする必要がある。さらに、反射電極の電位が0及び電源電位のいずれに制御されても、透明電極の電位が電源電位の半分に固定されていることから、反射電極と透明電極の間の電圧は、最大でも電源電位の大きさの半分にしかならない。したがって、画素の狭ピッチ化に伴い、FLCの分極方向を反転させるのに十分な電圧を得るのが困難となる。
【0007】
また、例えばDRAMセルに基づく画素回路は、1つのトランジスタによって反射電極の電位を制御する構成であるため、画素面積を小さくすることができるものの、反転電流が大きいFLCに対しては、分極を反転させられる電圧で駆動できたとしても十分に大きな駆動電流が得られず、反転に時間がかかってフレームレートが遅くなってしまう。
【0008】
さらに、例えばSRAMセルに基づく画素回路は、画素へのデータ書き込みとFLCの駆動とを異なるトランジスタに担わせてフレームレートの低下を抑制することができるものの、複数のトランジスタを有する構成であるため、画素面積が増大する。
【0009】
本開示は、上記に鑑みてなされたものであり、画素面積の増大を抑制しつつ、液晶に十分な電圧を印加することができる空間光変調装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本開示の一態様によれば、空間光変調装置は、複数の画素が配列された光変調部と、前記光変調部に第1の電位を供給する第1のドライバと、前記光変調部に第2の電位を供給する第2のドライバと、前記光変調部に3段階に制御される第3の電位を供給する電圧制御部とを有し、前記画素は、ゲート端子に印加される前記第1の電位によって導通状態が制御される第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの導通状態がオンの際にゲート端子に印加される前記第2の電位によって導通状態が制御される第2のトランジスタと、前記第2のトランジスタの導通状態に応じて電位が設定される第1の電極と、前記第3の電位が供給され前記第1の電極に対向する第2の電極との間に強誘電性液晶を挟んで形成される液晶素子とを有する。
【発明の効果】
(【0011】以降は省略されています)
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