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公開番号2025102723
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-08
出願番号2024224500
出願日2024-12-19
発明の名称磁性材料用スパッタリングターゲット、磁性材料用スパッタリングターゲット組立品及び磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法
出願人JX金属株式会社
代理人アクシス国際弁理士法人
主分類C23C 14/34 20060101AFI20250701BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】リデポ膜剥離を良好に抑制することが可能な磁性材料用スパッタリングターゲット、磁性材料用スパッタリングターゲット組立品及び磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ領域と非スパッタ領域とを有し、磁性材料用であるスパッタリングターゲットであって、非スパッタ領域の表面は、丸みを帯びた複数の凸部を有し、複数の凸部は、連結部を介して連結されている凸部、及び/または、連結部を介して連結されていない凸部を含む、磁性材料用スパッタリングターゲット。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
スパッタ領域と非スパッタ領域とを有し、磁性材料用であるスパッタリングターゲットであって、
前記非スパッタ領域の表面は、丸みを帯びた複数の凸部を有し、
前記複数の凸部は、連結部を介して連結されている凸部、及び／または、連結部を介して連結されていない凸部を含む、磁性材料用スパッタリングターゲット。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記非スパッタ領域の表面の展開面積比Ｓｄｒが４．５以上である、請求項１に記載の磁性材料用スパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記非スパッタ領域の面粗さＳａが１０～４０μｍである、請求項１または２に記載の磁性材料用スパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記非スパッタ領域の最大高さＳｚが１００～２５０μｍである、請求項１または２に記載の磁性材料用スパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記非スパッタ領域の二乗平均平方根高さＳｑが３～４５μｍである、請求項１または２に記載の磁性材料用スパッタリングターゲット。
【請求項６】
組成にＣｏ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌ、Ｏ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ｇｅ及びＩｒの少なくとも一種を含む、請求項１または２に記載の磁性材料用スパッタリングターゲット。
【請求項７】
請求項１または２に記載の磁性材料用スパッタリングターゲットと、
前記磁性材料用スパッタリングターゲットに接合されたバッキングプレートと、
を備えた、磁性材料用スパッタリングターゲット組立品。
【請求項８】
スパッタ領域と非スパッタ領域とを有する磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記非スパッタ領域の表面に丸みを帯びた複数の凸部を形成する工程を含み、
前記複数の凸部は、連結部を介して連結されている凸部、及び／または、連結部を介して連結されていない凸部を含む、磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は磁性材料用スパッタリングターゲット、磁性材料用スパッタリングターゲット組立品及び磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法に関するものであり、主に、ＨＤＤの膜の製造向けのスパッタリングターゲットに関するものである。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの層には、例えば、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉをベースとした材料が用いられており、記録層には、ＣｏやＦｅを主成分とするＣｏ－Ｃｒ系、Ｃｏ－Ｐｔ系、Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系、Ｆｅ－Ｐｔ系などの強磁性合金と非磁性の無機材料からなる複合材料が多く用いられている。このようなハードディスクなどの磁気記録媒体の薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とするスパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。
【０００３】
スパッタリングは、スパッタリング源となるスパッタリングターゲットの表面を加速されたアルゴンイオンによってスパッタし、スパッタリングターゲットから粒子（スパッタ粒子）を放出させて、あらかじめ対向する位置に配置した基板の表面にスパッタ粒子を堆積させることで、基板の表面に薄膜を形成する手法である。
【０００４】
スパッタ粒子の一部はスパッタリングターゲットの所定箇所に再付着して積層体（リデポ膜とも呼ぶ）となることがある。このリデポ膜がスパッタリングターゲットから剥離すると、スパッタ中のアーキング（異常放電）発生の原因となる、スパッタ中のパーティクルが増加し、薄膜中に混入するなどの不都合が生じ、製品率を落とす原因となる。
【０００５】
このような問題に対し、特許文献１には、スパッタリングターゲットのリデポ膜が形成される領域を、ガラスビーズを用いたブラスト処理によって表面粗化することが開示されている。また、これにより、粗化された表面からリデポ膜の剥離を抑制することができることが開示されている。特許文献２にも、スパッタリングターゲットに粗化処理を行うことが開示されている。また、特許文献２には、粗化処理を行う領域として、スパッタリングターゲットの外周（０％）から中心方向に２～１３％の位置までの範囲内、及び／または、中心（０％）から外周方向に１２～３３％の位置までの範囲内であることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開平４－３０１０７４号公報
特開２０１８－１４１２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１及び２のいずれにおいても、算術平均粗さＲａを制御することが述べられているだけであり、リデポ膜剥離抑制の観点からは改善の余地がある。
【０００８】
そこで、本発明の実施形態は、リデポ膜剥離を良好に抑制することが可能な磁性材料用スパッタリングターゲット、磁性材料用スパッタリングターゲット組立品及び磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は、以下のように特定される本発明によって解決される。
（１）スパッタ領域と非スパッタ領域とを有し、磁性材料用であるスパッタリングターゲットであって、
前記非スパッタ領域の表面は、丸みを帯びた複数の凸部を有し、
前記複数の凸部は、連結部を介して連結されている凸部、及び／または、連結部を介して連結されていない凸部を含む、磁性材料用スパッタリングターゲット。
（２）前記非スパッタ領域の表面の展開面積比Ｓｄｒが４．５以上である、（１）に記載の磁性材料用スパッタリングターゲット。
（３）前記非スパッタ領域の面粗さＳａが１０～４０μｍである、（１）または（２）に記載の磁性材料用スパッタリングターゲット。
（４）前記非スパッタ領域の最大高さＳｚが１００～２５０μｍである、（１）～（３）のいずれかに記載の磁性材料用スパッタリングターゲット。
（５）前記非スパッタ領域の二乗平均平方根高さＳｑが３～４５μｍである、（１）～（４）のいずれかに記載の磁性材料用スパッタリングターゲット。
（６）組成にＣｏ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌ、Ｏ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ｇｅ及びＩｒの少なくとも一種を含む、（１）～（５）のいずれかに記載の磁性材料用スパッタリングターゲット。
（７）（１）～（６）のいずれかに記載の磁性材料用スパッタリングターゲットと、
前記磁性材料用スパッタリングターゲットに接合されたバッキングプレートと、
を備えた、磁性材料用スパッタリングターゲット組立品。
（８）スパッタ領域と非スパッタ領域とを有する磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法であって、
前記非スパッタ領域の表面に丸みを帯びた複数の凸部を形成する工程を含み、
前記複数の凸部は、連結部を介して連結されている凸部、及び／または、連結部を介して連結されていない凸部を含む、磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の実施形態によれば、リデポ膜剥離を良好に抑制することが可能な磁性材料用スパッタリングターゲット、磁性材料用スパッタリングターゲット組立品及び磁性材料用スパッタリングターゲットの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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