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公開番号2025088749
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-11
出願番号2024204960
出願日2024-11-25
発明の名称メサ側壁コーティングを有するインプリントテンプレートの使用する方法および製造する方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20250604BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】テンプレートを製造する方法を提供する。
【解決手段】メサを有するテンプレートを受け取る工程を含む。テンプレートは、メサ、凹面、および凹面をメサに接続するメサ側壁、の上の第1コーティングを有する。第1成形処理を用いて、第1成形処理を使用して、メサ、メサ側壁、および凹面、の上の第1コーティングの上に、第1の硬化した成形可能材料層が形成されている。改良は、第2成形処理を用いて、凹の上の第1の硬化した成形可能材料層の上に第2の硬化した成形可能材料層を形成する工程と、メサの上の第1の硬化した成形可能材料層および第1コーティングと、側壁および凹面の上の第2の硬化した成形可能材料層の一部とを除去する工程と、メサ側壁および凹面から、第1の硬化した成形可能材料層および第2の硬化した成形可能材料層を除去する工程とを含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
テンプレートを製造する方法であって、メサを有するテンプレートを受け取る工程を含み、前記テンプレートは、前記メサ、凹面、および前記凹面を前記メサに接続するメサ側壁、の上の第１コーティングを有し、第１成形処理を用いて、前記メサ、前記メサ側壁、および前記凹面、の上の前記第１コーティングの上に、第１の硬化した成形可能材料層が形成されており、前記方法は、
第２成形処理を用いて、前記凹面の上の前記第１の硬化した成形可能材料層の上に第２の硬化した成形可能材料層を形成する工程と、
前記メサの上の前記第１の硬化した成形可能材料層および前記第１コーティングと、前記側壁および前記凹面の上の前記第２の硬化した成形可能材料層の一部とを除去する工程と、
前記メサ側壁および前記凹面から、前記第１の硬化した成形可能材料層および前記第２の硬化した成形可能材料層を除去する工程と、
を有することを特徴とする方法。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記第２成形処理は、前記凹面の上の前記第１の硬化した成形可能材料層の上に成形可能材料の複数の液滴を供給する工程を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２成形処理は、前記メサの上の前記第１の硬化した成形可能材料層をブランクテンプレートと接触させる工程を含む、ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２成形処理は、未硬化の成形可能材料を硬化させて前記第２の硬化した成形可能材料層を形成する工程を含む、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２成形処理はＭ回実行され、Ｍは２より大きい整数である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
Ｍは５である、ことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１成形処理は、前記第２成形処理とは異なる、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１コーティングは、原子層堆積処理を用いて堆積された１０ｎｍ厚のクロム層である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記メサは、前記第１コーティングの下にパターニングされたフィーチャを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記メサの上の前記第１の硬化した成形可能材料層および前記第１コーティングと、前記側壁および前記凹面の上の前記第２の硬化した成形可能材料層の一部とを除去する工程は、前記メサの上の前記第１の硬化した成形可能材料層および前記クロムと、前記側壁および前記凹面の上の前記第２の硬化した成形可能材料層とを、第１エッチング期間の間、第１エッチング液に曝す工程を含む、請求項８に記載の方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、フォトメカニカル成形システム（例えば、ナノインプリントリソグラフィおよびインクジェット適応平坦化）に関する。特に、本開示は、フォトメカニカル成形システムにおいて使用されるメサ側壁コーティングを有するナノインプリントテンプレートを使用する方法および製造する方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
ナノファブリケーションは、１００ナノメートル以下のオーダーのフィーチャを有する非常に小さな構造体の製造を含む。ナノファブリケーションが大きな影響を与えてきた１つの用途は、集積回路の製造である。半導体処理産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産歩留まりのために努力し続けている。ナノファブリケーションの改善は、形成される構造の最小フィーチャ寸法の継続的な縮小を可能にしながら、より大きなプロセス制御およびスループットの改善のうちの一方または両方を提供することを含む。
【０００３】
今日使用されている１つのナノファブリケーション技術は、一般にナノインプリントリソグラフィと呼ばれる。ナノインプリントリソグラフィは、例えば、基板上に膜を成形することによって集積デバイスの１つまたは複数のレイヤを製造することを含む様々な用途において、有用である。集積デバイスの例は、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ－ＲＡＭ、Ｆｅ－ＲＡＭ、ＳＴＴ－ＲＡＭ、ＭＥＭＳなどを含むが、これらに限定されない。例示的なナノインプリントリソグラフィシステムおよびプロセスは、米国特許第８，３４９，２４１号、米国特許第８，０６６，９３０号、および米国特許第６，９３６，１９４号などの複数の刊行物に詳細に記載されている。この引用によりそれら全てが本明細書に組み込まれる。
【０００４】
上記の各特許に開示されたナノインプリントリソグラフィ技術は、成形可能材料（重合可能）層にレリーフパターンを形成することによって、基板上に膜を成形することを記載している。次いで、この膜の形状を使用して、レリーフパターンに対応するパターンを、下にある基板に、その上に、またはその中に、およびその上に転写することができる。
【０００５】
成形処理は、基板から離れているテンプレートを使用する。成形可能液体が基板上に塗布される。液滴パターンとして堆積された成形可能液体にテンプレートを接触させると、成形可能液体はテンプレートと基板との間の空間に広がり充填する。テンプレートの成形面に適合する形状（パターン）を有する膜を形成するために、成形可能液体が硬化される。硬化後、テンプレートと基板とが離間するように、テンプレートは硬化層から分離される。
【０００６】
その後、基板および硬化層は、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料除去、ダイシング、ボンディング、およびパッケージングなどを含む、デバイス（物品）製造のための既知の工程およびプロセスに供されうる。例えば、硬化層上のパターンは、パターンを基板に転写するエッチング処理に供されうる。
【発明の概要】
【０００７】
第１の実施形態は、テンプレートを製造する方法でありうる。テンプレートを製造する方法は、メサを有するテンプレートを受け取る工程を含みうる。前記テンプレートは、前記メサ、凹面、および前記凹面を前記メサに接続するメサ側壁、の上の第１コーティングを有する。第１成形処理を用いて、前記メサ、前記メサ側壁、および前記凹面、の上の前記第１コーティングの上に、第１の硬化した成形可能材料層が形成されている。テンプレートを製造する方法に対する改良は、第２成形処理を用いて、前記凹面の上の前記第１の硬化した成形可能材料層の上に第２の硬化した成形可能材料層を形成する工程と、前記メサの上の前記第１の硬化した成形可能材料層および前記第１コーティングと、前記側壁および前記凹面の上の前記第２の硬化した成形可能材料層の一部とを除去する工程と、
前記メサ側壁および前記凹面から、前記第１の硬化した成形可能材料層および前記第２の硬化した成形可能材料層を除去する工程とを含みうる。
【０００８】
第１の実施形態の一側面において、前記第２成形処理は、前記凹面の上の前記第１の硬化した成形可能材料層の上に成形可能材料の複数の液滴を供給することを含みうる。
【０００９】
第１の実施形態の一側面において、前記第２成形処理は、前記メサの上の前記第１の硬化した成形可能材料層をブランクテンプレートと接触させる工程を含みうる。
【００１０】
第１の実施形態の一側面において、前記第２成形処理は、未硬化の成形可能材料を硬化させて前記第２の硬化した成形可能材料層を形成する工程を含みうる。
（【００１１】以降は省略されています）

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