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公開番号2025087326
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-10
出願番号2023201901
出願日2023-11-29
発明の名称半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
出願人リンテック株式会社
代理人弁理士法人大谷特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250603BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】バンプ付き部材のバンプ形成面に形成されている樹脂層の除去をより簡便に行うことのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のバンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程(A)と、波長600nm以下のレーザー光を出力2.0W未満で前記樹脂層に照射し、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去する工程(B)とを含む、半導体装置の製造方法とした。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
バンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程（Ａ）と、
波長６００ｎｍ以下のレーザー光を出力２．０Ｗ未満で前記樹脂層に照射し、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去する工程（Ｂ）と、
を含む、半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 980 文字）【請求項２】
前記樹脂層が、熱硬化性の樹脂層であり、
前記樹脂層を熱硬化する前及び後のいずれかのタイミングにおいて、前記工程（Ｂ）を実施する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記レーザー光が、パルスレーザー光である、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記パルスレーザー光の１ショット当たりのエネルギーが１００μＪ未満である、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂層の透過率が、前記レーザー光の波長において、６５％以下である、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（Ｂ）において、
前記樹脂層の除去を、前記パンプの頭頂部を覆う前記樹脂層に対して行う、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（Ａ）において、
前記バンプ形成面への前記樹脂層の形成は、前記樹脂層を形成するための樹脂フィルムと支持シートが積層された複合シートを、前記樹脂フィルムを貼付面として前記バンプ形成面に貼付することにより行う、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持シートがバックグラインドテープであり、
前記複合シートの前記樹脂フィルムと前記バンプ形成面とを貼合した後、前記バンプ付き部材のバンプ形成面とは反対側の面を研削する工程（Ａ－ＢＧ）をさらに含む、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記支持シートが、基材と緩衝層とを含む積層体であり、
前記複合シートの前記樹脂フィルムと前記バンプ形成面とを貼合した後、前記バンプ付き部材のバンプ形成面とは反対側の面を研削する工程（Ａ－ＢＧ）をさらに含む、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
工程（Ｂ）の後において、
前記バンプ付き部材を個片化した後、前記工程（Ｂ）において前記樹脂層が除去されて表面が露出している前記バンプと、基板の電極とを電気的に接続する工程（Ｃ）をさらに含む、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置に関する。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、及び薄型化に伴い、半導体パッケージの薄型化、及び小型化に対する要求も高まっている。そのため、半導体素子の実装方式として、金属ワイヤを用いて接続する従来のワイヤーボンディング方式に代えて、チップの電極上にバンプと呼ばれる突起電極を形成し、基板の電極とチップの電極とをバンプを介して直接接続するフリップチップ接続方式の実装方法が提案されている。
このようなフリップチップ接続方式の実装方法では、様々な目的に応じて、バンプ付きウエハ、及びバンプ付きチップなどのバンプを覆うように樹脂層が設けられる。このような樹脂層としては、例えば、バンプ付きチップと基板とを接着するための接着剤層、バンプ付きチップと基板との接続を補強するためのアンダーフィル層、バンプ付きウエハまたはバンプ付きチップを保護するための保護層などが挙げられる。
【０００３】
しかしながら、樹脂層がバンプを覆っている場合には、バンプ上の樹脂層を機械的に押しのけて、バンプと基板の電極との電気的な接続を確保しなければならない。そのため、バンプ付きチップと基板との接続信頼性の点で問題があった。また、リフロー処理により、バンプ付きチップと基板とを接続する場合には、バンプに由来する溶融はんだが樹脂層に覆われているため、セルフアライメント効果（チップ、及び基板の電極同士の位置合わせ精度が悪く、ずれを生じていてもリフロー時に正常な位置へ自動的に補正される現象）が得られないという問題があった。
【０００４】
上記のような問題を解決するために、例えば、バンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層にプラズマ処理を施して、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去する工程と、を備えた方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開第２０１６／１９４４３１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、プラズマ処理を行うために真空装置や各種ガスが必要となる。そこで、樹脂層の除去をより簡便に行う観点から、プラズマ処理に替わる手法の確立が求められる。
【０００７】
本発明は、バンプ付き部材のバンプ形成面に形成されている樹脂層の除去をより簡便に行うことのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、下記［１］～［１１］が提供される。
［１］バンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する工程（Ａ）と、
波長６００ｎｍ以下のレーザー光を出力２．０Ｗ未満で前記樹脂層に照射し、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去する工程（Ｂ）と、
を含む、半導体装置の製造方法。
［２］前記樹脂層が、熱硬化性の樹脂層であり、
前記樹脂層を熱硬化する前及び後のいずれかのタイミングにおいて、前記工程（Ｂ）を実施する、上記［１］に記載の半導体装置の製造方法。
［３］前記レーザー光が、パルスレーザー光である、上記［１］又は［２］に記載の半導体装置の製造方法。
［４］前記パルスレーザー光の１ショット当たりのエネルギーが１００μＪ未満である、上記［３］に記載の半導体装置の製造方法。
［５］前記樹脂層の透過率が、前記レーザー光の波長において、６５％以下である、上記［１］～［４］のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
［６］前記工程（Ｂ）において、
前記樹脂層の除去を、前記パンプの頭頂部を覆う前記樹脂層に対して行う、上記［１］～［５］のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
［７］前記工程（Ａ）において、
前記バンプ形成面への前記樹脂層の形成は、前記樹脂層を形成するための樹脂フィルムと支持シートとが積層された複合シートを、前記樹脂フィルムを貼付面として前記バンプ形成面に貼付することにより行う、上記［１］～［６］のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
［８］前記支持シートがバックグラインドテープであり、
前記複合シートの前記樹脂フィルムと前記バンプ形成面とを貼合した後、前記バンプ付き部材のバンプ形成面とは反対側の面を研削する工程（Ａ－ＢＧ）をさらに含む、上記［７］に記載の半導体装置の製造方法。
［９］前記支持シートが、基材と緩衝層とを含む積層体であり、
前記複合シートの前記樹脂フィルムと前記バンプ形成面とを貼合した後、前記バンプ付き部材のバンプ形成面とは反対側の面を研削する工程（Ａ－ＢＧ）をさらに含む、上記［７］に記載の半導体装置の製造方法。
［１０］工程（Ｂ）の後において、
前記バンプ付き部材を個片化した後、前記工程（Ｂ）において前記樹脂層が除去されて表面が露出している前記バンプと、基板の電極とを電気的に接続する工程（Ｃ）をさらに含む、上記［１］又は［２］に記載の半導体装置の製造方法。
［１１］バンプが形成されているバンプ付き部材のバンプ形成面に樹脂層を形成する樹脂層形成手段と、
レーザー光を前記樹脂層に照射し、前記バンプの表面を覆っている前記樹脂層を除去するレーザー照射装置と、
を備えている半導体装置の製造装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、バンプ付き部材のバンプ形成面に形成されている樹脂層の除去をより簡便に行うことのできる半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本実施形態の半導体装置の製造方法に用いるバンプ付き部材の一例を示す概略断面図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法に用いる樹脂層を形成するための複合シートの一例を示す概略断面図である。
本実施形態の半導体装置の製造方法の工程（Ａ）～（Ｅ）の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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