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公開番号2025084922
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-03
出願番号2025032588,2024017068
出願日2025-03-03,2019-10-22
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G02F 1/1368 20060101AFI20250527BHJP(光学)
要約【課題】開口率が高い表示装置を提供する。
【解決手段】画素に、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第1の絶縁層、第2の絶縁層、導電層、画素電極、液晶材料を含む層、及び共通電極を有する表示装置である。第1の絶縁層は第1のトランジスタのチャネル形成領域上に位置する。導電層は第1の絶縁層上に位置する。第2の絶縁層は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、第1の絶縁層、及び導電層上に位置する。画素電極は第2の絶縁層上に位置し、液晶材料を含む層は画素電極上に位置し、共通電極は液晶材料を含む層上に位置する。共通電極は、液晶材料を含む層及び画素電極を介して、導電層と重なる。画素は、導電層が第1のトランジスタと電気的に接続される第1の接続部と、画素電極が第2のトランジスタと電気的に接続される第2の接続部と、を有する。導電層、画素電極、及び共通電極は、それぞれ、可視光を透過する機能を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
画素を有し、
前記画素は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第１の導電層、画素電極、液晶材料を含む層、及び共通電極を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域上に位置し、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層上に位置し、
前記第２の絶縁層は、前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第１の絶縁層、
及び前記第１の導電層上に位置し、
前記画素電極は、前記第２の絶縁層上に位置し、
前記液晶材料を含む層は、前記画素電極上に位置し、
前記共通電極は、前記液晶材料を含む層上に位置し、
前記共通電極は、前記液晶材料を含む層及び前記画素電極を介して、前記第１の導電層と重なる領域を有し、
前記画素は、さらに、第１の接続部と、第２の接続部と、を有し、
前記第１の接続部では、前記第１の導電層が前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記第２の接続部では、前記画素電極が前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
前記第１の導電層、前記画素電極、及び前記共通電極は、それぞれ、可視光を透過する機能を有する、表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置、表示モジュール、及び電子機器に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野と
しては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、
入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、そ
れらの駆動方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
表示装置として、液晶表示装置や発光表示装置に代表されるフラットパネルディスプレイ
が広く用いられている。これらの表示装置を構成するトランジスタの半導体材料には主に
シリコンが用いられているが、近年、金属酸化物を用いたトランジスタを表示装置の画素
に用いる技術も開発されている。
【０００４】
特許文献１及び特許文献２には、半導体材料に金属酸化物を用いたトランジスタを、表示
装置の画素のスイッチング素子などに用いる技術が開示されている。
【０００５】
また、オフ電流が極めて低いトランジスタをメモリセルに用いる構成の記憶装置が特許文
献３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２００７－１２３８６１号公報
特開２００７－９６０５５号公報
特開２０１１－１１９６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一態様は、可視光の透過性が高い表示装置を提供することを課題の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、開口率が高い表示装置を提供することを課題の一とする。また
は、本発明の一態様は、消費電力の低い表示装置を提供することを課題の一とする。また
は、本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。または
、広い温度範囲で安定した動作が可能な表示装置を提供することを課題の一とする。また
は、本発明の一態様は、利便性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。
【０００８】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、画素に、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１の絶縁層、
第２の絶縁層、第１の導電層、画素電極、液晶材料を含む層、及び共通電極を有する、表
示装置である。第１の絶縁層は、第１のトランジスタのチャネル形成領域上に位置する。
第１の導電層は、第１の絶縁層上に位置する。第２の絶縁層は、第１のトランジスタ、第
２のトランジスタ、第１の絶縁層、及び第１の導電層上に位置する。画素電極は、第２の
絶縁層上に位置する。液晶材料を含む層は、画素電極上に位置する。共通電極は、液晶材
料を含む層上に位置する。共通電極は、液晶材料を含む層及び画素電極を介して、第１の
導電層と重なる領域を有する。画素は、さらに、第１の接続部と、第２の接続部と、を有
する。第１の接続部では、第１の導電層が第１のトランジスタと電気的に接続される。第
２の接続部では、画素電極が第２のトランジスタと電気的に接続される。第１の導電層、
画素電極、及び共通電極は、それぞれ、可視光を透過する機能を有する。
【００１０】
画素は、さらに、第２の導電層を有することが好ましい。第１の導電層と第２の導電層と
は、同一表面上に位置することが好ましい。第１の導電層と第２の導電層とは、互いに電
気的に絶縁されていることが好ましい。共通電極は、液晶材料を含む層及び画素電極を介
して、第２の導電層と重なる領域を有することが好ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

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