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公開番号2025077770
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-19
出願番号2023190222
出願日2023-11-07
発明の名称プラズマ処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H05H 1/46 20060101AFI20250512BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】基板上にプラズマを生成して基板に処理を施すプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器と、前記処理容器に挿入され、多数枚の基板を多段に保持する基板保持具と、前記基板保持具を前記処理容器内で回転可能な回転軸と、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給管と、前記処理容器内を排気する排気部と、前記処理容器の外側に配置され、前記処理容器の中心に対して対向して配置される1対の電極と、一対の前記電極に高周波電力を印加して前記処理容器内に容量結合プラズマを生成する高周波電源と、を備え、前記基板保持具は、前記基板を保持し、平面視して前記基板の径方向外側を囲うリング部材を有する、プラズマ処理装置。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
処理容器と、
前記処理容器に挿入され、多数枚の基板を多段に保持する基板保持具と、
前記基板保持具を前記処理容器内で回転可能な回転軸と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給管と、
前記処理容器内を排気する排気部と、
前記処理容器の外側に配置され、前記処理容器の中心に対して対向して配置される１対の電極と、
一対の前記電極に高周波電力を印加して前記処理容器内に容量結合プラズマを生成する高周波電源と、を備え、
前記基板保持具は、
前記基板を保持し、平面視して前記基板の径方向外側を囲うリング部材を有する、
プラズマ処理装置。
続きを表示（約 510 文字）【請求項２】
前記リング部材は、絶縁部材で構成される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記リング部材は、高さ方向に複数配置される、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記リング部材は、
前記基板を保持する円環形状部を有する、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記リング部材は、
前記基板を保持する円環形状部と、
前記円環形状部の上面に設けられた垂直壁部と、を有する、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記リング部材は、
前記基板を保持する複数の第１リング部材と、
高さ方向において隣接する前記第１リング部材の間にそれぞれ配置される複数の第２リング部材と、を有する、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
一方の電極から他方の電極に向かってみて、前記第２リング部材の上側の開口高さは、前記第２リング部材の下側の開口高さよりも高い、
請求項６に記載のプラズマ処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、プラズマ処理装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理容器と、複数のウエハを保持して処理容器内へ挿脱されるウエハボートと、処理容器の側壁の一部を凹部状に外側へ窪ませることにより一側が処理容器内に開口されて連通されると共に、処理容器の高さ方向に沿って設けられたプラズマ発生部とを備え、プラズマ発生部で発生したラジカルはプラズマ発生部の開口より処理容器内の中心方向に向けて放出されて拡散して、ウエハの相互間に層流状態で流れるプラズマ処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許４３２９４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、基板上にプラズマを生成して基板に処理を施すプラズマ処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、処理容器と、前記処理容器に挿入され、多数枚の基板を多段に保持する基板保持具と、前記基板保持具を前記処理容器内で回転可能な回転軸と、前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給管と、前記処理容器内を排気する排気部と、前記処理容器の外側に配置され、前記処理容器の中心に対して対向して配置される１対の電極と、一対の前記電極に高周波電力を印加して前記処理容器内に容量結合プラズマを生成する高周波電源と、を備え、前記基板保持具は、前記基板を保持し、平面視して前記基板の径方向外側を囲うリング部材を有する、プラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、基板上にプラズマを生成して基板に処理を施すプラズマ処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
プラズマ処理装置の一例を示す縦断面構成図。
Ａ矢視図であって、プラズマ処理装置の一例を示す縦断面構成図。
Ｂ－Ｂ断面におけるプラズマ処理装置の一例を示す横断面構成図。
各電極に印加する高周波電力を示すグラフの一例。
電極間の基板が配置される領域におけるプラズマ密度の一例を示すグラフ。
参考例に係るウエハボートを用いたプラズマ処理装置における基板半径方向のイオン電流密度の一例を示すグラフ。
参考例に係るウエハボートを用いたプラズマ処理装置におけるプラズマ密度が高い領域を示す図。
第１実施形態に係るリング部材及び基板を示す図の一例。
第２実施形態に係るリング部材及び基板を示す図の一例。
参考例及び本実施形態に係るウエハボートを用いたプラズマ処理装置における基板半径方向のイオン電流密度の一例を示すグラフ。
本実施形態に係るウエハボートを用いたプラズマ処理装置におけるプラズマ密度が高い領域を示す図。
第３実施形態に係るリング部材及び基板を示す図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
〔プラズマ処理装置〕
本実施形態に係るプラズマ処理装置（基板処理装置）について、図１から図３を用いて説明する。図１は、プラズマ処理装置の一例を示す縦断面構成図である。図２は、図１に示すＡ矢視図であって、プラズマ処理装置の一例を示す縦断面構成図である。図３は、図２に示すＢ－Ｂ断面におけるプラズマ処理装置の一例を示す横断面構成図である。図１から図３に示すプラズマ処理装置は、複数の基板Ｗに対して基板処理（例えば、成膜処理等）を施すバッチ式のプラズマ処理装置である。
【００１０】
プラズマ処理装置は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理容器１を有する。処理容器１の全体は、例えば石英により形成されている。処理容器１内の上端近傍には、石英により形成された天井板２が設けられており、天井板２の下側の領域が封止されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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