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公開番号2025074275
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-13
出願番号2025033521,2024030995
出願日2025-03-04,2011-09-08
発明の名称半導体装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 30/67 20250101AFI20250502BHJP()
要約【課題】信頼性の高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する
ことを目的の一とする。フォトリソグラフィ工程を削減し、より高い生産性で歩留まり良
く半導体装置を提供する。
【解決手段】第1配線と、第2配線と、第1配線及び第2配線の間に、第1配線及び第2
配線より低電位な第3配線とを有し、第1配線と第3配線とはゲート電極層とソース電極
層とが電気的に接続された第1トランジスタを介して電気的に接続され、第2配線と第3
配線とはゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された第2トランジスタを介して
電気的に接続され、第1配線、第2配線、第3配線の上方又は下方には、第1トランジス
タ及び第2トランジスタの半導体領域に用いられる連続した酸化物半導体膜が設けられて
いる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１配線と、
第２配線と、
前記第１配線及び前記第２配線の間に、前記第１配線及び前記第２配線より低電位な第３配線と、
前記第１配線と前記第３配線とは第１の半導体領域と互いに電気的に接続する第１のゲート電極と第１のソース電極を有する第１トランジスタを介して電気的に接続され、
前記第２配線と前記第３配線とは第２の半導体領域と互いに電気的に接続する第２のゲート電極と第２のソース電極を有する第２トランジスタを介して電気的に接続され、
前記第１配線、前記第２配線、前記第３配線の上方又は下方には、前記第１と第２の半導体領域が設けられ、前記第１と第２の半導体領域は連続した酸化物半導体膜に設けられている、半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
半導体装置及び半導体装置の作製方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いてトランジスタを構成する技術が
注目されている。トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（表示装置）のような
電子デバイスに広く応用されている。
【０００４】
トランジスタに適用可能な半導体特性を示す材料として金属酸化物が注目されており、こ
のような半導体特性を示す金属酸化物をチャネル形成領域とするトランジスタが知られて
いる（特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００７－１２３８６１号公報
特開２００７－９６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高機能化を付与するために様々な複雑な構成を有するトランジスタを複数含む半導体装置
が提案されており、そのような半導体装置の作製工程においては、フォトリソグラフィ工
程を用いた加工法が多用されている。しかし、フォトリソグラフィ工程の増加はフォトマ
スク数や工程数の増加を招き、高コスト化及び生産性の低下を引き起こすという問題があ
る。
【０００７】
そこで、本発明の一態様は、信頼性の高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半
導体装置を提供することを目的の一とする。
【０００８】
また、本発明の一態様は、フォトリソグラフィ工程を削減し、より高い生産性で歩留まり
良く半導体装置を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本明細書等に開示する半導体装置の一態様は、半導体領域として酸化物半導体膜を用いた
複数のトランジスタ及び複数の配線を有する半導体装置において、第１配線と、第２配線
と、第１配線及び第２配線の間に、第１配線及び第２配線より低電位な第３配線とを有し
、第１配線と第３配線とはゲート電極層とソース電極層とが電気的に接続された第１トラ
ンジスタを介して電気的に接続され、第２配線と第３配線とはゲート電極層とソース電極
層とが電気的に接続された第２トランジスタを介して電気的に接続され、第１配線、第２
配線、第３配線の上方又は下方には、第１トランジスタ及び第２トランジスタの半導体領
域に用いられる連続した酸化物半導体膜が設けられている。
【００１０】
本明細書等に開示する半導体装置の他の一態様は、第１配線と、第２配線と、第１配線及
び第２配線の間に、第１配線及び第２配線より低電位な第３配線と、ドレイン電極層が第
１配線と電気的に接続され、かつゲート電極層及びソース電極層とが第３配線と電気的に
接続される第１トランジスタと、ドレイン電極層が第２配線と電気的に接続され、かつゲ
ート電極層及びソース電極層とが第３配線と電気的に接続される第２トランジスタとを有
し、第１配線、第２配線、第３配線の上方又は下方には、第１トランジスタ及び第２トラ
ンジスタの半導体領域に用いられる連続した酸化物半導体膜が設けられている。
（【００１１】以降は省略されています）

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