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公開番号2025073011
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-12
出願番号2023183559
出願日2023-10-25
発明の名称半導体製造装置、半導体装置の製造方法および半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人弁理士法人高田・高橋国際特許事務所
主分類H01L 21/52 20060101AFI20250501BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本開示は樹脂ペーストを四角形に塗り広げることを可能とする半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体製造装置100のノズル3は、底面17に設けられた十字溝12と、十字溝12の中心に設けられた供給孔11と、底面17において十字溝12の各末端部14から底面17の外まで延び十字溝12よりも浅い排気溝13とを有する。半導体製造装置100は、ノズル3と、ノズル3に接続されたシリンジ2と、シリンジ2内の樹脂ペースト6を供給孔11を介してガス圧または空気圧によって十字溝12に充てんするディスペンサ1とを備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
底面に設けられた十字溝と、前記十字溝の中心に設けられた供給孔と、前記底面において前記十字溝の各末端部から前記底面の外まで延び前記十字溝よりも浅い排気溝とを有するノズルと、
樹脂ペーストを収め、前記ノズルに接続されたシリンジと、
前記シリンジ内の前記樹脂ペーストを前記供給孔を介してガス圧または空気圧によって前記十字溝に充てんするディスペンサと、
を備える半導体製造装置。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記底面は、角部がＲ面取りされた四角形であり、
前記十字溝および前記排気溝は前記四角形の対角線上に形成される、請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記ノズルは、前記底面の周囲または前記底面から突出するピンを備え、前記ピンは前記底面から４０から１００μｍ突出する、請求項１または２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
底面に設けられた十字溝と、前記十字溝の中心に設けられた供給孔と、前記底面において前記十字溝の各末端部から前記底面の外まで延び前記十字溝よりも浅い排気溝とを有するノズルの前記底面を被塗布物に当接させる工程と、
ガス圧または空気圧によって樹脂ペーストを前記供給孔から前記十字溝に充てんする工程と、
前記ノズルを前記被塗布物から離し、前記被塗布物に十字形の前記樹脂ペーストを吐出する工程と、
平面視において四角形である半導体素子を、前記四角形の頂点と、十字形に吐出された前記樹脂ペーストの十字の末端部とが一致するように接着させる工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ダイパッド上に形成された十字形のブロックの中心を含み末端部を含まない範囲に樹脂ペーストを吐出する工程と、
平面視において四角形の半導体素子を、前記四角形の各頂点と前記ブロックの十字の各末端部とが一致するように前記ブロックの上面に載置して前記ダイパッドと前記半導体素子を前記樹脂ペーストにより接着する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
四角形の各々の辺に沿うように延在する４つの溝を上面に有するダイパッドを形成する工程と、
前記４つの溝が成す前記四角形の中心を含み前記４つの溝を含まない範囲に樹脂ペーストを吐出する工程と、
平面視において四角形の半導体素子を、該半導体素子が成すの四角形頂点と前記４つの溝が成す前記四角形の頂点とが一致するように前記ダイパッドの前記上面に載置して前記ダイパッドと前記半導体素子を前記樹脂ペーストにより接着する工程と、
を含み、
前記４つの溝は、平面視においては、接合された前記半導体素子の側部の中心に存在し、前記半導体素子の側部の両端には存在していない、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
上面に十字形のブロックを有するダイパッドと、前記ブロックに樹脂ペーストにより接着された半導体素子とを備え、
前記半導体素子は平面視において四角形であり、前記半導体素子の四角形の各頂点と前記ブロックの十字の末端部とが一致するように接着される、半導体装置。
【請求項８】
ダイパッドと、
樹脂ペーストにより前記ダイパッドに接着され、４つの側部が平面視において四角形を成す半導体素子と
を備え、
前記ダイパッドは、前記半導体素子が接着された面に前記側部のそれぞれに沿うように延在する４つの溝を有し、
前記溝は平面視において前記側部の中心に存在し、前記側部の両端には存在しない、半導体装置。
【請求項９】
前記溝の長さは、前記側部の長さの半分であり、
前記溝は前記側部の両端から均等な位置に形成されている、請求項８に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体製造装置、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、底面に十字溝を設けたノズルを備える半導体製造装置が開示されている。樹脂ペーストは吐出直後においては十字形であり、十字の中央部にある樹脂ペーストはそこから等方的に広がっていく。一方、十字の各末端部にある樹脂ペーストはほとんど広がらずに留まる。そのため、結果として樹脂ペーストは四角形に塗り広げられることになる。後工程で接着される半導体素子は平面視において四角形であることが多いため、特許文献１の装置は、接着される半導体素子の形に沿うように樹脂ペーストを塗布できるという利点を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平０２－２８８２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
十字溝に樹脂ペーストを充てんする際、ディスペンサから放出される空気は十字溝の中心から末端方向へと逃げていく。この際、充てんされるべき樹脂ペーストが、空気とともに十字溝の末端から外へとはみ出してしまう。結果的に、塗り広げられた樹脂ペーストは意図しない形となる。
【０００５】
本開示は上述の問題を解決するため、樹脂ペーストを四角形に塗り広げることを可能とする半導体製造装置を提供することを第一の目的とする。
【０００６】
また本開示は、樹脂ペーストを四角形に塗り広げることを可能とする半導体装置の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【０００７】
また本開示は、樹脂ペーストを四角形に塗り広げることを可能とする半導体装置を提供することを第三の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の第一の態様は、
底面に設けられた十字溝と、前記十字溝の中心に設けられた供給孔と、前記底面において前記十字溝の各末端部から前記底面の外まで延び前記十字溝よりも浅い排気溝とを有するノズルと、
樹脂ペーストを収め、前記ノズルに接続されたシリンジと、
前記シリンジ内の前記樹脂ペーストを前記供給孔を介してガス圧または空気圧によって前記十字溝に充てんするディスペンサと、
を備える半導体製造装置であることが好ましい。
【０００９】
また、第二の態様は、
底面に設けられた十字溝と、前記十字溝の中心に設けられた供給孔と、前記底面において前記十字溝の各末端部から前記底面の外まで延び前記十字溝よりも浅い排気溝とを有するノズルの前記底面を被塗布物に当接させる工程と、
ガス圧または空気圧によって樹脂ペーストを前記供給孔から前記十字溝に充てんする工程と、
前記ノズルを前記被塗布物から離し、前記被塗布物に十字形の前記樹脂ペーストを吐出する工程と、
平面視において四角形である半導体素子を、前記四角形の頂点と、十字形に吐出された前記樹脂ペーストの十字の末端部とが一致するように接着させる工程と、
を含む、半導体装置の製造方法であることが好ましい。
【００１０】
また、第三の態様は、
ダイパッド上に形成された十字形のブロックの中心を含み末端部を含まない範囲に樹脂ペーストを吐出する工程と、
平面視において四角形の半導体素子を、前記四角形の各頂点と前記ブロックの十字の各末端部とが一致するように前記ブロックの上面に載置して前記ダイパッドと前記半導体素子を前記樹脂ペーストにより接着する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法であることが好ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

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