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公開番号2025065183
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-17
出願番号2025012051,2023171129
出願日2025-01-28,2014-07-07
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20250410BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】可撓性の高い表示装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する基板上に、透光性を有する半導体膜を含むトランジスタと、
第1の電極および第2の電極の間に誘電体膜が設けられた容量素子と、半導体膜を覆う第
1の絶縁膜と、を形成する。容量素子は、第1の電極と誘電体膜が接する領域を有し、第
1の絶縁膜は、当該領域を覆わない。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
マトリクス状に配設された複数の画素を有する表示領域を有し、
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続された、表示装置であって、
第１の絶縁層の上面と接する領域を有し、且つ前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、且つ前記第１のトランジスタの第１のゲート電極としての機能を有する第１の導電層と、
前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、且つ前記第１のトランジスタの第２のゲート電極としての機能を有する第２の導電層と、
前記第１の酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第３の導電層と、
前記第１の絶縁層の上面と接する領域を有し、且つ前記容量素子の一方の電極としての機能を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第２の導電層と同じ材料を有し、且つ前記容量素子の他方の電極としての機能を有する第４の導電層と、
前記第２の導電層の下面と接する領域と、前記第４の導電層の下面と接する領域と、を有する第２の絶縁層と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と同じ材料を有する、表示装置。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
マトリクス状に配設された複数の画素を有する表示領域を有し、
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続された、表示装置であって、
第１の絶縁層の上面と接する領域を有し、且つ前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、且つ前記第１のトランジスタの第１のゲート電極としての機能を有する第１の導電層と、
前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、且つ前記第１のトランジスタの第２のゲート電極としての機能を有する第２の導電層と、
前記第１の酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第３の導電層と、
前記第１の絶縁層の上面と接する領域を有し、且つ前記容量素子の一方の電極としての機能を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第２の導電層と同じ材料を有し、且つ前記容量素子の他方の電極としての機能を有する第４の導電層と、
前記第２の導電層の下面と接する領域と、前記第４の導電層の下面と接する領域と、を有する第２の絶縁層と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と同じ材料を有する、表示装置。
【請求項３】
マトリクス状に配設された複数の画素を有する表示領域を有し、
前記複数の画素の少なくとも一は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方は、前記第２のトランジスタのゲート電極と電気的に接続された、表示装置であって、
第１の絶縁層の上面と接する領域を有し、且つ前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有する第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、且つ前記第１のトランジスタの第１のゲート電極としての機能を有する第１の導電層と、
前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有し、且つ前記第１のトランジスタの第２のゲート電極としての機能を有する第２の導電層と、
前記第１の酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第１のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第３の導電層と、
前記第１の絶縁層の上面と接する領域を有し、且つ前記容量素子の一方の電極としての機能を有する第２の酸化物半導体層と、
前記第２の導電層と同じ材料を有し、且つ前記容量素子の他方の電極としての機能を有する第４の導電層と、
前記第２の導電層の下面と接する領域と、前記第４の導電層の下面と接する領域と、を有する第２の絶縁層と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と同じ材料を有し、
前記第２のトランジスタは、シングルゲートトランジスタである、表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に
、本発明の一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、およびそれらの作製方法に関す
る。
続きを表示（約 1,500 文字）【０００２】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指す。例えば、電気光学装置、表示装置、発光装置、半導体回路、トランジスタ、
および電子機器は、半導体装置を有している場合がある。
【背景技術】
【０００３】
近年、表示素子に液晶素子を用いた液晶表示装置、表示素子に有機ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセンス、有機発光ダイオード、オーレッドなどとも言う）素子などの発光素子を用い
た発光表示装置などの表示装置が広く普及してきている。また、これらの表示装置は可撓
性が図れることから、可撓性を有する基板を用いた表示装置が検討されている。
【０００４】
可撓性を有する基板を用いた表示装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板といっ
た基板上に薄膜トランジスタなどの半導体素子を作製した後、例えば該半導体素子と基板
の間に有機樹脂を充填し、ガラス基板や石英基板から他の基板（例えば可撓性を有する基
板）へと半導体素子を転置する技術が開発されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００３－１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一態様は、可撓性の高い表示装置、およびその作製方法を提供することを課題の
一つとする。または、本発明の一態様は、割れにくい表示装置、およびその作製方法を提
供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、軽量な表示装置、およびそ
の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、曲げやすい
表示装置、およびその作製方法を提供することを課題の一つとする。
【０００７】
または、本発明の一態様は、信頼性の良好な表示装置、およびその作製方法を提供するこ
とを課題の一つとする。
【０００８】
または、本発明の一態様は、新規な表示装置、およびその作製方法を提供することを課題
の一つとする。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。な
お、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、こ
れら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであ
り、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能であ
る。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、可撓性を有する基板上に、透光性を有する半導体膜を含むトランジス
タと、第１の電極および第２の電極の間に誘電体膜が設けられた容量素子と、半導体膜を
覆う絶縁膜と、を有し、容量素子は、第１の電極と誘電体膜が接する領域を有し、絶縁膜
は、当該領域を覆わないことを特徴とする表示装置である。
【００１０】
本発明の一態様は、可撓性を有する基板上に、透光性を有する半導体膜を含むトランジス
タと、第１の電極および第２の電極の間に誘電体膜が設けられた容量素子と、発光素子と
、半導体膜を覆う第１の絶縁膜と、を有し、容量素子は、第１の電極と誘電体膜が接する
領域を有し、第１の絶縁膜は、当該領域を覆わないことを特徴とする表示装置である。
（【００１１】以降は省略されています）

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