特許ウォッチ

公開番号2025054986
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-08
出願番号2023164258
出願日2023-09-27
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人ミネベアパワーデバイス株式会社
代理人ポレール弁理士法人
主分類H01L 21/52 20060101AFI20250401BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】
基板2の上に複数の半導体チップ3が接合されるとともに、複数の半導体チップ3の上に跨って接合されたリードフレーム4を有する半導体装置1を製造する際に、マウントおよび半田リフローの工程の回数を少なくする。
【解決手段】
互いに隣接する半導体チップ3(第1半導体チップ3Aと第2半導体チップ3B)の間の間隙にチップ位置決めのための仕切り10Bを有する基板上治具10と、半導体チップ3の角部が見え、仕切り10Bが貫通する形状の切欠き4Dを有するリードフレーム4とを用い、半導体チップ3を基板2に接合する前に、基板上治具10を用いてリードフレーム4を位置決めし、チップ下半田とチップ上半田とをリフローして、基板2と半導体チップ3とリードフレーム4とを接合する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、前記基板の上面に接合された第１半導体チップと、前記第１半導体チップに隣接して配置され前記基板の上面に接合された第２半導体チップと、前記第１半導体チップの上面と前記第２半導体チップの上面とに接合され前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の間隙に重なるチップ間接続部を有するリードフレームと、を有する半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の前記間隙にチップ位置決めのための仕切りを有する基板上治具を用いて前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとを位置決めし、
前記リードフレームとして、前記第１半導体チップの角部と前記第２半導体チップの角部とが見え、前記仕切りが貫通する形状の切欠きを有するリードフレームを用い、前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとを前記基板に接合する前に、前記基板上治具を用いて前記リードフレームを位置決めし、
前記第１半導体チップと前記基板との間、および、前記第２半導体チップと前記基板との間に設けられたチップ下半田と、前記第１半導体チップと前記リードフレームとの間、および、前記第２半導体チップと前記リードフレームとの間に設けられたチップ上半田とをリフローして前記基板と前記第１半導体チップと前記第２半導体チップと前記リードフレームとを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 780 文字）【請求項２】
請求項１において、
前記リードフレームは、前記第１半導体チップの対角の２つの角部と、前記第２半導体チップの対角の２つの角部とが少なくとも見える形状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記リードフレームは、前記切欠きの外側であって少なくとも前記切欠きの周辺部が、前記第１半導体チップまたは前記第２半導体チップよりも０．１ｍｍ以上後退した外形を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記リードフレームは、前記基板の上面に接合される足部を有し、前記チップ間接続部の断面積≧前記足部の断面積であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記リードフレームは、前記チップ間接続部に、前記切欠きとは異なる位置に貫通孔を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記基板と前記第１半導体チップと前記第２半導体チップと前記リードフレームとを接合した後に、封止樹脂により前記基板と前記第１半導体チップと前記第２半導体チップと前記リードフレームとを封止する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記リードフレームを位置決めする際に、前記リードフレームには前記チップ上半田が予備半田されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記リードフレームを位置決めする際に、前記リードフレームには前記チップ上半田が予備半田されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 950 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置の一種である半導体モジュールとしては、例えば特許文献１などがある。
【０００３】
特許文献１には、基板の上に複数の半導体チップが接合されるとともに、複数の半導体チップの上に跨って接合されたリードフレームを有する半導体モジュールが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２３－３５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、製造方法の詳細については記載されていない。
【０００６】
従来の半導体装置の製造方法としては、基板の上に半田を介して半導体チップを接合するとともに、半導体チップの上に半田を介してリードフレームを接合する場合に、例えば図１０から図１２に示すようにマウントおよび半田リフローの工程を３回行う製造方法が用いられていた。
【０００７】
図１０は、従来の半導体装置の製造方法において、リードフレームに予備半田する工程を説明する斜視図である。
【０００８】
まず、図１０に示すように、リードフレーム予備半田用上治具１２とリードフレーム予備半田用下治具１３とを用いて、リードフレーム４に半田５としてチップ上半田５Ａを位置決めしてマウントする。その後、半田５をリフローして、リードフレーム４にチップ上半田５Ａの予備半田を行う。
【０００９】
図１１は、従来の半導体装置の製造方法において、基板上治具を用いて半導体チップを位置決めする工程を説明する斜視図である。
【００１０】
次に、図１１に示すように、第１基板上治具１４と第１基板下治具１５とを用いて、基板２の上に、半田５としてチップ下半田５Ｂと足部下半田５Ｃとを位置決めしてマウントし、さらに、チップ下半田５Ｂの上に、半導体チップ３を位置決めしてマウントする。その後、半田５をリフローして、基板２の上にチップ下半田５Ｂを介して半導体チップ３を接合するとともに、基板２の上に足部下半田５Ｃの予備半田を行う。
（【００１１】以降は省略されています）

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