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公開番号2025022165
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-14
出願番号2023126480
出願日2023-08-02
発明の名称試験装置
出願人株式会社ブイ・テクノロジー
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類G01R 31/309 20060101AFI20250206BHJP(測定;試験)
要約【課題】簡易な構成でかつS/Nのよい基板の試験装置を提供する。
【解決手段】試験装置は、電気光学センサと、試験信号印加部と、光源と、カメラとを備える。電気光学センサは、試験対象の基板の近傍に配置され、基板からの電界を受けて複屈折特性を変化させる。試験信号印加部は、基板に対して変調された試験信号を印加する。光源は、電気光学センサに対して照明光を照射する。カメラは、基板に対して試験信号が印加されているときの、光源からの照明光を受けて電気光学センサから出射された照明光の戻り光を撮像する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
試験対象の基板の近傍に配置され、前記基板からの電界を受けて複屈折特性を変化させる電気光学センサと、
前記基板に対して変調された試験信号を印加する試験信号印加部と、
前記電気光学センサに対して照明光を照射する光源と、
前記基板に対して前記試験信号が印加されているときの、前記光源からの照明光を受けて前記電気光学センサから出射された前記照明光の戻り光を撮像するカメラと、
を具備する試験装置。
続きを表示（約 490 文字）【請求項２】
前記試験信号印加部は、搬送波を前記カメラのフレームレートよりも低い周波数の変調周波数を有する振幅変調波で変調して前記試験信号を生成する請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記カメラは、前記変調周波数の４倍の周波数に相当するフレームレートで前記戻り光を撮像する請求項２に記載の試験装置。
【請求項４】
前記カメラは、前記戻り光の位相分だけ撮像開始のタイミングをずらして前記変調周波数の２倍の周波数に相当するフレームレートで前記戻り光を撮像する請求項２に記載の試験装置。
【請求項５】
前記試験信号印加部は、前記基板の近傍に配置され、前記基板で静電結合するプローブ電極から非接触で前記試験信号を印加する請求項１に記載の試験装置。
【請求項６】
前記基板と前記電気光学センサとの間には、空気よりも比誘電率の大きい媒質が介在している請求項１に記載の試験装置。
【請求項７】
前記基板と前記プローブ電極との間には、空気よりも比誘電率の大きい媒質が介在している請求項５に記載の試験装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、試験装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
ある動作周波数で動作する基板の電磁界分布を非接触で検知する装置としてポッケルス効果を利用した電磁界撮像装置が知られている。この電磁界撮像装置は、電界により複屈折率が変化する電気光学素子を観察対象の基板の近傍に設置し、基板にその基板の動作周波数の信号を印加するとともに基板の動作周波数に応じて設定された変調周波数で変調されたレーザ光を電気光学素子に照射したときに電気光学素子に発生する変調周波数と動作周波数との差周波成分を含む検出光を撮像装置によって画像として捉えるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００８－２０３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
変調されたレーザ光を電気光学素子に照射する構成の場合、マッハツェンダー変調器（ＭＺＭ）、電界吸収型（ＥＡ）変調器等のレーザ光の変調のための構成が必要となる。このレーザ光の変調のための構成は、比較的に高コストである。さらには、変調によってレーザ光のパワーは減少するため、撮像装置によって得られる画像のＳ／Ｎも低くなる傾向にある。
【０００５】
本開示は、簡易な構成でかつＳ／Ｎのよい基板の試験装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様の試験装置は、電気光学センサと、試験信号印加部と、光源と、カメラとを備える。電気光学センサは、試験対象の基板の近傍に配置され、基板からの電界を受けて複屈折特性を変化させる。試験信号印加部は、基板に対して変調された試験信号を印加する。光源は、電気光学センサに対して照明光を照射する。カメラは、基板に対して試験信号が印加されているときの、光源からの照明光を受けて電気光学センサから出射された照明光の戻り光を撮像する。
【発明の効果】
【０００７】
実施形態によれば、簡易な構成でかつＳ／Ｎのよい基板の試験装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、実施形態に係る試験装置の一例の構成を示す図である。
図２は、信号処理部の一例の構成を示す図である。
図３は、コンピュータの一例の構成を示す図である。
図４は、試験装置を用いた一例の試験方法を示すフローチャートである。
図５は、基板が水に含浸された状態での試験について示す図である。
図６は、試験信号の位相に対して余弦成分画素信号及び正弦成分画素信号の位相がずれている場合の４フレームの画素信号に対する直交復調を概念的に示した図である。
図７は、試験信号の位相と余弦成分画素信号の位相とが一致している場合の２フレームの画素信号に対する直交復調を概念的に示した図である。
図８は、変形例４に係る試験装置の一例の構成を示す図である。
図９は、変形例４に係る信号処理部の別の例の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。図１は、実施形態に係る試験装置の一例の構成を示す図である。実施形態に係る試験装置は、特定の動作周波数の信号の印加の必要のない基板の試験に用いられる。特定の動作周波数の信号の印加の必要のない基板の試験とは、例えば、インターポーザの導通試験である。しかしながら、実施形態に係る試験装置は、インターポーザ以外の特定の動作周波数の信号の印加の必要のない各種の基板の試験に用いられ得る。
【００１０】
試験装置１は、レーザ装置１０１と、コリメータレンズ１０２と、１／４波長板１０３と、１／２波長板１０４と、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１０５と、１／４波長板１０６と、１／２波長板１０７と、ミラー１０８と、電気光学（ＥＯ）センサ１０９と、発振器１１０と、分周器／位相シフタ１１１と、振幅変調器１１２と、デマルチプレクサ１１３と、結像レンズ１１４と、カメラ１１５と、信号処理部１１６と、コンピュータ１１７と、プローブ電極１１８、１１９、１２０を有している。図１では、プローブ電極の数は３個として説明されている。プローブ電極の数は、３個に限らず、１個又は２個であってもよいし、４個以上であってもよい。プローブ電極の数は、例えば基板Ｄのサイズ及び／又は接続パッドの数に応じて適宜に設定されてよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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