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公開番号
2025005711
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-01-17
出願番号
2023106008
出願日
2023-06-28
発明の名称
定電圧生成回路
出願人
ローム株式会社
代理人
弁理士法人 佐野特許事務所
主分類
G05F
3/24 20060101AFI20250109BHJP(制御;調整)
要約
【課題】電流能力を持たせることができる定電圧生成回路を提供する。
【解決手段】定電圧生成回路(11)は、デプレッション型のNチャネルMOSFETとして構成され、入力電圧(Vin)の印加端に接続される第1ドレインと、第1ソースと、前記第1ソースと短絡された第1ゲートと、を有する第1トランジスタ(M1)と、NチャネルMOSFETとして構成され、前記第1ソースと接続される第2ドレインと、第2ソースと、第2ゲートと、を有する第2トランジスタ(M2)と、NチャネルMOSFETとして構成され、前記第1ドレインと接続される第3ドレインと、前記第1ソースと接続される第3ゲートと、前記第2ゲートと接続される第3ソースと、を有する第3トランジスタ(M3)と、前記第2ゲートに接続され、出力電圧(Vout)が出力されるように構成される出力端(Tout)と、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲
【請求項1】
デプレッション型のNチャネルMOSFETとして構成され、入力電圧の印加端に接続される第1ドレインと、第1ソースと、前記第1ソースと短絡された第1ゲートと、を有する第1トランジスタと、
NチャネルMOSFETとして構成され、前記第1ソースと接続される第2ドレインと、第2ソースと、第2ゲートと、を有する第2トランジスタと、
NチャネルMOSFETとして構成され、前記第1ドレインと接続される第3ドレインと、前記第1ソースと接続される第3ゲートと、前記第2ゲートと接続される第3ソースと、を有する第3トランジスタと、
前記第2ゲートに接続され、出力電圧が出力されるように構成される出力端と、
を備える、定電圧生成回路。
続きを表示(約 790 文字)
【請求項2】
前記第3トランジスタは、デプレッション型である、請求項1に記載の定電圧生成回路。
【請求項3】
前記第3ソースに接続される定電流源をさらに備える、請求項1に記載の定電圧生成回路。
【請求項4】
前記定電流源は、能動素子を有する能動負荷として構成される、請求項3に記載の定電圧生成回路。
【請求項5】
前記能動素子は、ゲート・ソース間が短絡されたデプレッション型のNチャネルMOSFETである、請求項4に記載の定電圧生成回路。
【請求項6】
前記第3ソースと前記定電流源との間に接続される第1スイッチと、
前記第3ソースと前記出力端との間に接続される第2スイッチと、をさらに備える、請求項3に記載の定電圧生成回路。
【請求項7】
デプレッション型のNチャネルMOSFETとして構成され、前記第3ソースに接続される第4ドレインと、第4ソースと、前記第4ソースと短絡された第4ゲートと、を有する第4トランジスタをさらに備え、
前記第2トランジスタは、エンハンスメント型であり、
前記第3トランジスタは、デプレッション型である、請求項1に記載の定電圧生成回路。
【請求項8】
デプレッション型のNチャネルMOSFETとして構成され、前記第3ソースに接続される第4ドレインと、第4ソースと、前記第4ソースと短絡された第4ゲートと、を有する第4トランジスタをさらに備え、
前記第2トランジスタおよび前記第3トランジスタは、デプレッション型であり、
前記第1ゲート、前記第3ゲート、および前記第4ゲートには、n型不純物が注入されており、
前記第2ゲートには、p型不純物が注入されている、請求項1に記載の定電圧生成回路。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、定電圧生成回路に関する。
続きを表示(約 1,300 文字)
【背景技術】
【0002】
従来、定電圧生成回路の一種として、デプレッション型のNチャネルMOSFET[metal oxide semiconductor field effect transistor]とエンハンスメント型のNチャネルMOSFETを組み合わせたED型定電圧源が広く一般に知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
国際公開第2021/172001号
【0004】
[概要]
ここで、定電圧生成回路に接続する負荷を考慮し、定電圧生成回路に電流能力が要求される場合があった。
【0005】
上記状況に鑑み、本開示は、電流能力を持たせることができる定電圧生成回路を提供することを目的とする。
【0006】
本開示の一態様に係る定電圧生成回路は、
デプレッション型のNチャネルMOSFETとして構成され、入力電圧の印加端に接続される第1ドレインと、第1ソースと、前記第1ソースと短絡された第1ゲートと、を有する第1トランジスタと、
NチャネルMOSFETとして構成され、前記第1ソースと接続される第2ドレインと、第2ソースと、第2ゲートと、を有する第2トランジスタと、
NチャネルMOSFETとして構成され、前記第1ドレインと接続される第3ドレインと、前記第1ソースと接続される第3ゲートと、前記第2ゲートと接続される第3ソースと、を有する第3トランジスタと、
前記第2ゲートに接続され、出力電圧が出力されるように構成される出力端と、
を備える構成としている。
【図面の簡単な説明】
【0007】
図1は、比較例に係る定電圧生成回路の構成を示す図である。
図2は、第1実施形態に係る定電圧生成回路の構成を示す図である。
図3は、第2実施形態に係る定電圧生成回路の構成を示す図である。
図4は、第3実施形態に係る定電圧生成回路の構成を示す図である。
図5は、第4実施形態に係る定電圧生成回路の構成を示す図である。
【0008】
[詳細な説明]
以下、本開示の例示的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【0009】
<比較例>
図1は、定電圧生成回路の比較例(後出の実施形態と対比される基本構成)を示す図である。本比較例の定電圧生成回路1は、いわゆるED型基準電圧源である。本図に即して述べると、定電圧生成回路1は、トランジスタM1と、トランジスタM2と、を備える。トランジスタM1は、デプレッション型のNチャネルMOSFETにより構成される。トランジスタM2は、エンハンスメント型のNチャネルMOSFETにより構成される。
【0010】
なお、デプレッション型とは、ゲート・ソース間電圧が0Vであってもドレイン電流が流れるものを指す。一方、エンハンスメント型とは、ゲート・ソース間電圧が0Vであるときにはドレイン電流が流れないものを指す。
(【0011】以降は省略されています)
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