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公開番号2024179132
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-26
出願番号2023097720
出願日2023-06-14
発明の名称半導体装置および半導体装置の製造方法
出願人富士電機株式会社
代理人個人
主分類H01L 21/56 20060101AFI20241219BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】トランスファー成型におけるボイド発生を低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置50は、半導体チップ1が据え付けられた積層基板5と、半導体チップ1間および半導体チップ1と外部出力端子12と間の配線が設けられた回路基板9と、積層基板5と回路基板9を封止した封止樹脂10と、を備える。回路基板9には、積層基板5側と反対側に流速制御ピン14が設けられている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体チップが据え付けられた積層基板と、
前記半導体チップ間および前記半導体チップと外部出力端子と間の配線が設けられた回路基板と、
前記積層基板と前記回路基板を封止した封止樹脂と、
を備え、
前記回路基板には、前記積層基板側と反対側に流速制御ピンが設けられていることを特徴とする半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記流速制御ピンは、前記回路基板の端部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記流速制御ピンは、前記回路基板の端部および前記端部の中間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記流速制御ピンの材質は、前記封止樹脂より低弾性率の樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
モールド金型を用いてトランスファー成形を行う半導体装置の製造方法において、
半導体チップが据え付けられた積層基板と、前記半導体チップ間および前記半導体チップと外部出力端子との配線が設けられた回路基板を有するモジュールを形成する第１工程と、
前記モジュールを前記モールド金型に取り付ける第２工程と、
前記モールド金型の注入ゲートから封止樹脂を注入する第３工程と、
を含み、
前記回路基板には、前記積層基板側と反対側に、前記封止樹脂の流動方向と垂直に並べた流速制御ピンが配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記流速制御ピンは、前記回路基板の前記注入ゲート側の端部に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記流速制御ピンは、前記回路基板の前記注入ゲート側の端部および前記ゲート側と反対側の端部に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記流速制御ピンは、前記回路基板の前記注入ゲート側の端部、前記ゲート側と反対側の端部および前記端部の中間に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記回路基板の表面から前記モールド金型の表面までの距離をＬ、
前記封止樹脂の流動方向に対して垂直方向の前記モールド金型の幅をＷ、
前記流速制御ピンの本数をｎ、
前記封止樹脂の流動方向に射影したときの前記流速制御ピンの幅をｄ、
前記流速制御ピンの高さをｈ、
としたとき、前記封止樹脂の流路の断面積ＬＷに対して前記流速制御ピンにより流動が遮られる射影密度ｎｄｈ／ＬＷは、１０％以上４８％未満であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記流速制御ピンの材質は、前記封止樹脂より低弾性率の樹脂であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、２つの流路の内、流路断面積の大きい第１流路に上下動可能な流圧調整部材を設けた半導体装置が公知である（例えば、下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平７－７４１９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の半導体装置では、半導体素子をトランスファー成型により封止する際、樹脂の流動面同士が合流する地点で、空気の巻き込みによる気泡(ボイド)が発生し、半導体装置が不良になるという課題があった。この発明は、トランスファー成型におけるボイド発生を低減できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。半導体装置は、半導体チップが据え付けられた積層基板と、前記半導体チップ間および前記半導体チップと外部出力端子と間の配線が設けられた回路基板と、前記積層基板と前記回路基板を封止した封止樹脂と、を備える。前記回路基板には、前記積層基板側と反対側に流速制御ピンが設けられている。
【０００６】
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記流速制御ピンは、前記回路基板の端部に設けられていることを特徴とする。
【０００７】
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記流速制御ピンは、前記回路基板の端部および前記端部の中間に設けられていることを特徴とする。
【０００８】
また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記流速制御ピンの材質は、前記封止樹脂より低弾性率の樹脂であることを特徴とする。
【０００９】
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、次の特徴を有する。モールド金型を用いてトランスファー成形を行う半導体装置の製造方法であり、まず、半導体チップが据え付けられた積層基板と、前記半導体チップ間および前記半導体チップと外部出力端子との配線が設けられた回路基板を有するモジュールを形成する第１工程を行う。次に、前記モジュールを前記モールド金型に取り付ける第２工程を行う。次に、前記モールド金型の注入ゲートから封止樹脂を注入する第３工程を行う。前記回路基板には、前記積層基板側と反対側に、前記封止樹脂の流動方向と垂直に並べた流速制御ピンが配置されている。
【００１０】
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、上述した発明において、前記流速制御ピンは、前記回路基板の前記注入ゲート側の端部に配置されていることを特徴とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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