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公開番号2024151803
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-25
出願番号2023065524
出願日2023-04-13
発明の名称半導体装置および半導体装置の製造方法
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/29 20060101AFI20241018BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の小型化を実現することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置100は、ダイパッド12,13,14およびダイパッド12,13,14と電気的に接続された端子11,15を含むリードフレーム10と、ダイパッド12,13,14上に搭載された半導体素子1～4と、ダイパッド12,13,14に対して半導体素子1～4とは反対側に表面を向けた状態で配置されたヒートシンク50と、端子11,15およびヒートシンク50における表面とは反対側の底面を露出させた状態で、リードフレーム10、半導体素子1～4、およびヒートシンク50を封止する封止樹脂40とを備えている。ヒートシンク50は、上面視において、ヒートシンク50の全体が封止樹脂40と重なるように、封止樹脂40の内側に配置され、ヒートシンク50には、放熱フィン60を取り付けるためのねじ穴51が設けられている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
放熱フィンが取り付けられる半導体装置であって、
ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で配置されたヒートシンクと、
前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記リードフレーム、前記半導体素子、および前記ヒートシンクを封止する封止樹脂と、を備え、
前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、
前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた、半導体装置。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
前記ヒートシンクの前記第２主面は、前記封止樹脂における前記放熱フィンと対向する面から突出し、かつ、前記封止樹脂における前記放熱フィンと対向する前記面よりも面積が小さい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子の材料は、ワイドバンドギャップ半導体を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ねじ穴は、前記ヒートシンクの前記第２主面側に設けられた、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
放熱フィンが取り付けられる半導体装置の製造方法であって、
ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレーム、半導体素子、およびヒートシンクを準備する工程と、
前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載し組み立て体を製作する工程と、
金型内に、前記組み立て体、および前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で前記ヒートシンクを配置する工程と、
前記金型内において、前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記組み立て体および前記ヒートシンクを封止樹脂により封止する工程と、を備え、
前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、
前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置では、パッケージ（封止樹脂に相当する）の底面全体に放熱板（ヒートシンクに相当する）が固定され、放熱板と放熱フィンとをねじ固定することで、半導体装置に放熱フィンが取り付けられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平１１－２７４３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、放熱板がパッケージの底面全体と同じ面積を有しており、かつ、放熱板の全体がパッケージの底面から突出しているため、半導体装置の小型化を実現することは難しかった。
【０００５】
そこで、本開示は、半導体装置の小型化を実現することが可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体装置は、放熱フィンが取り付けられる半導体装置であって、ダイパッドおよび前記ダイパッドと電気的に接続された端子を含むリードフレームと、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記ダイパッドに対して前記半導体素子とは反対側に第１主面を向けた状態で配置されたヒートシンクと、前記端子および前記ヒートシンクにおける前記第１主面とは反対側の第２主面を露出させた状態で、前記リードフレーム、前記半導体素子、および前記ヒートシンクを封止する封止樹脂とを備え、前記ヒートシンクは、上面視において、前記ヒートシンクの全体が前記封止樹脂と重なるように、前記封止樹脂の内側に配置され、前記ヒートシンクには、前記放熱フィンを取り付けるためのねじ穴が設けられた。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、ヒートシンクは封止樹脂内に収容されているため、上面視において、ヒートシンクが封止樹脂から突出しない。その結果、半導体装置の小型化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施の形態に係る半導体装置の内部配線図である。
図１のＡ－Ａ線断面図である。
図１のＢ－Ｂ線断面図である。
実施の形態に係る半導体装置の上面図である。
実施の形態に係る半導体装置の底面図である。
実施の形態に係る半導体装置に放熱フィンを取り付けた状態を示す正面図である。
実施の形態に係る半導体装置に放熱フィンを取り付けた状態を示す側面図である。
実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
実施の形態の変形例に係る半導体装置に放熱フィンを取り付けた状態を示す正面図である。
実施の形態の変形例に係る半導体装置に放熱フィンを取り付けた状態を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜実施の形態＞
＜半導体装置の構成＞
実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態に係る半導体装置１００の内部配線図である。図２は、図１のＡ－Ａ線断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線断面図である。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置１００は、リードフレーム１０と、半導体素子１～４と、ヒートシンク５０（図２参照）と、封止樹脂４０とを備えている。
（【００１１】以降は省略されています）

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