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公開番号2024127830
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-20
出願番号2024033142
出願日2024-03-05
発明の名称組成物、硬化膜及び表示装置
出願人住友化学株式会社
代理人弁理士法人アスフィ国際特許事務所
主分類C08F 2/44 20060101AFI20240912BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】本発明は、現像時の膜減りを低減し、残膜率に優れた硬化膜を形成し得る組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体粒子(A)及び重合性化合物(C)を含む組成物であって、前記重合性化合物(C)が、分子容積が450cm³/mol以下である重合性化合物(C-1)を含む、組成物。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
半導体粒子（Ａ）及び重合性化合物（Ｃ）を含む組成物であって、
前記重合性化合物（Ｃ）が、分子容積が４５０ｃｍ
３
／ｍｏｌ以下である重合性化合物（Ｃ－１）を含む、組成物。
続きを表示（約 570 文字）【請求項２】
前記組成物が、さらに重合開始剤（Ｄ）を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記組成物が、さらに樹脂（Ｂ）を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記組成物が、さらに光散乱剤（Ｅ）を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物が、さらに溶剤（Ｉ）を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記重合性化合物（Ｃ－１）が、構造内に環状炭化水素基を有する化合物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記重合性化合物（Ｃ－１）が、重合性官能基を２つ以上有する化合物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記樹脂（Ｂ）に対する前記半導体粒子（Ａ）の含有量比（半導体粒子（Ａ）／樹脂（Ｂ））が、質量基準で、０．３以上４．０以下である、請求項３に記載の組成物。
【請求項９】
前記重合性化合物（Ｃ）に対する前記樹脂（Ｂ）の含有量比（樹脂（Ｂ）／重合性化合物（Ｃ））が、質量基準で、０．５以上１０以下である、請求項３に記載の組成物。
【請求項１０】
請求項１～９のいずれか１項に記載の組成物から形成される硬化膜。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、組成物及びそれから形成される硬化膜、並びに該硬化膜を含む表示装置に関するものである。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、量子ドット、樹脂、光重合性化合物及び特定の構造単位を有する光重合開始剤を含む硬化性樹脂組成物及び該硬化性樹脂組成物を用いて形成される硬化膜が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１６１３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記硬化性樹脂組成物では、該硬化性樹脂組成物を用いて形成される硬化膜において、現像時の残膜率を十分に満足できない場合があった。本発明の目的は、現像時の膜減りを低減し、残膜率により優れた硬化膜を形成し得る組成物を提供することにある。また本発明の他の目的は、該組成物から形成される硬化膜、及び該硬化膜を含む表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の要旨は、以下の通りである。
［１］半導体粒子（Ａ）及び重合性化合物（Ｃ）を含む組成物であって、
前記重合性化合物（Ｃ）が、分子容積が４５０ｃｍ
３
／ｍｏｌ以下である重合性化合物（Ｃ－１）を含む、組成物。
［２］前記組成物が、さらに重合開始剤（Ｄ）を含む、［１］に記載の組成物。
［３］前記組成物が、さらに樹脂（Ｂ）を含む、［１］又は［２］に記載の組成物。
［４］前記組成物が、さらに光散乱剤（Ｅ）を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の組成物。
［５］前記組成物が、さらに溶剤（Ｉ）を含む、［１］～［４］のいずれかに記載の組成物。
［６］前記重合性化合物（Ｃ－１）が、構造内に環状炭化水素基を有する化合物である、［１］～［５］のいずれかに記載の組成物。
［７］前記重合性化合物（Ｃ－１）が、重合性官能基を２つ以上有する化合物である、［１］～［６］のいずれかに記載の組成物。
［８］前記樹脂（Ｂ）に対する前記半導体粒子（Ａ）の含有量比（半導体粒子（Ａ）／樹脂（Ｂ））が、質量基準で、０．３以上４．０以下である、［３］に記載の組成物。
［９］前記重合性化合物（Ｃ）に対する前記樹脂（Ｂ）の含有量比（樹脂（Ｂ）／重合性化合物（Ｃ））が、質量基準で、０．５以上１０以下である、［３］又は［８］に記載の組成物。
［１０］［１］～［９］のいずれかに記載の組成物から形成される硬化膜。
［１１］波長３００ｎｍ以上における膜厚１μｍ当たりの吸光度が、０．５以下である、［１０］に記載の硬化膜。
［１２］［１０］又は［１１］に記載の硬化膜を含む表示装置。
［１３］半導体粒子（Ａ）及び重合性化合物（Ｃ）を含む組成物から形成される硬化膜であって、
波長３００ｎｍ以上における膜厚１μｍ当たりの吸光度が、０．５以下である、硬化膜。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、現像時の残膜率により優れた硬化膜を形成し得る組成物、該組成物から形成される硬化膜、及び該硬化膜を含む表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
＜組成物＞
本発明に係る組成物（以下、単に「組成物」とも称する）は、半導体粒子（Ａ）及び重合性化合物（Ｃ）を含み、前記重合性化合物（Ｃ）として分子容積が４５０ｃｍ
３
／ｍｏｌ以下である重合性化合物（Ｃ－１）を含む。本発明に係る組成物によれば、現像時の残膜率により優れた硬化膜を形成することができる。また、硬化膜を形成し得る組成物としては、現像時の残膜率が良好であるだけでなく、現像後の膜の発光強度が良好なことも重要である。本発明に係る組成物は、現像時の残膜率を向上しながら、好ましくは発光強度の低下を抑制できる、より好ましくは発光強度がより良好な硬化膜を形成することができる。
本発明の組成物は、さらに重合開始剤（Ｄ）を含むことが好ましい。
本発明の組成物は、さらに樹脂（Ｂ）を含むことが好ましい。
本発明の組成物は、さらに光散乱剤（Ｅ）を含むことが好ましい。
本発明の組成物は、さらに酸化防止剤（Ｆ）を含んでいてもよい。
本発明の組成物は、さらにレベリング剤（Ｊ）を含んでいてもよい。
以下、組成物に含まれる又は含まれ得る成分について説明する。なお、本明細書において組成物に含まれる又は含まれ得る各成分として例示する化合物は、特に断りのない限り、単独で又は複数種を組合わせて使用することができる。
【０００８】
＜半導体粒子（Ａ）＞
半導体粒子（Ａ）は、好ましくは発光性（蛍光発光性）の半導体粒子であり、より好ましくは一次光である青色の光の波長をこれとは異なる色の光の波長に変換する半導体粒子である。半導体粒子（Ａ）は、緑色又は赤色を発光することが好ましく、青色光を吸収して緑色又は赤色を発光することがより好ましい。発光性の半導体粒子を含む組成物から形成される波長変換膜等の硬化膜は、所望の波長域の蛍光発光を示す色再現性に優れたものであり得る。
【０００９】
半導体粒子（Ａ）は、例えば、６０５ｎｍ以上６６５ｎｍ以下の波長域に発光ピーク波長を有する光を発する赤色発光性の半導体粒子であってもよく、５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の波長域に発光ピーク波長を有する光を発する緑色発光性の半導体粒子であってよく、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長域に発光ピーク波長を有する光を発する青色発光性の半導体粒子であってもよい。半導体粒子（Ａ）は、好ましくは、赤色発光性の半導体粒子及び／又は緑色発光性の半導体粒子である。また、半導体粒子（Ａ）が吸収する光は、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長域の光（青色光）又は２００ｎｍ～４００ｎｍの波長域の光（紫外光）であってよい。なお、半導体粒子（Ａ）の発光ピーク波長は、例えば、紫外可視分光光度計を用いて測定される発光スペクトルにおいて確認することできる。
【００１０】
半導体粒子（Ａ）の発光スペクトルの半値全幅は、６０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５５ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下、特に好ましくは４５ｎｍ以下である。これにより、より色純度の高い光を発することができる。半導体粒子（Ａ）の発光スペクトルの半値全幅の下限は特に限定されないが、５ｎｍ以上であってもよく、１５ｎｍ以上であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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