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公開番号2024126285
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-20
出願番号2023034569
出願日2023-03-07
発明の名称放射線検出装置
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人秀和特許事務所
主分類G01T 1/24 20060101AFI20240912BHJP(測定;試験)
要約【課題】放射線の照射による部品の劣化及び故障を抑制する放射線検出装置を提供する。
【解決手段】本発明の放射線検出装置は、平面的に配置される複数の直接検出方式の放射線検出器と、前記放射線検出器の制御又は前記放射線検出器からの信号処理を実行するための半導体集積回路と、を備え、前記半導体集積回路は、前記放射線検出器の受光面側から平面視で見た場合に、前記放射線検出器の領域内に含まれるように、前記受光面とは反対側に配置されることを特徴とする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
平面的に配置される複数の直接検出方式の放射線検出器と、
前記放射線検出器の制御又は前記放射線検出器からの信号処理を実行するための半導体集積回路と、を備え、
前記半導体集積回路は、前記放射線検出器の受光面側から平面視で見た場合に、前記放射線検出器の領域内に含まれるように、前記受光面とは反対側に配置される
ことを特徴とする放射線検出装置。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
平面的に配置される複数の直接検出方式の放射線検出器と、
前記放射線検出器の制御又は前記放射線検出器からの信号処理を実行するための半導体集積回路と、を備え、
前記半導体集積回路の外周が、前記放射線検出器の受光面側から平面視で見た場合に、前記放射線検出器の領域内に含まれるように、前記受光面とは反対側に前記半導体集積回路が配置される
ことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項3】
平面的に配置される複数の直接検出方式の放射線検出器と、
前記放射線検出器の制御又は前記放射線検出器からの信号処理を実行するための半導体集積回路と、を備え、
前記半導体集積回路は前記放射線検出器の受光面とは反対側に配置され。
前記半導体集積回路は、前記受光面側から平面視で見た場合に、前記放射線検出器の領域から外に位置する部分を有しない
ことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項4】
前記放射線検出器と、前記半導体集積回路とは、実装基板を介して接続される
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項5】
前記実装基板は、ガラスエポキシ基板もしくはガラスコンポジット基板である
ことを特徴とする請求項4に記載の放射線検出装置。
【請求項6】
インターポーザーをさらに備え、
前記放射線検出器と、前記半導体集積回路とは、前記インターポーザーを介して接続される
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項7】
前記半導体集積回路は、前記放射線検出器の受光面側から平面視で見た場合に、前記放射線検出器の周囲に沿った所定の幅の領域を除いた領域内に含まれるように配置される
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項8】
前記所定の幅は、前記放射線検出器の厚み、照射される放射線の種類、放射線の入射角度のうちの少なくともいずれかに基づいて決定される
ことを特徴とする請求項7に記載の放射線検出装置。
【請求項9】
異なる機能が実装された複数の前記半導体集積回路を備え、
複数の前記半導体集積回路は、複数の前記放射線検出器のそれぞれに配置される
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
【請求項10】
前記放射線検出器の厚みは、2000μm以上3000μm以下である
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、放射線検出装置に関する。
続きを表示(約 1,300 文字)【背景技術】
【0002】
X線の検出方式として、X線をシンチレータ(蛍光体)に入射させて可視光に変換し、変換した可視光を半導体単結晶基板に入射させて間接的にX線を検出する方式の他に、X線を半導体単結晶基板に直接入射させて検出する方式が提案されている。後者の方式(直接検出方式)は、前者の方式(間接検出方式)に比べ、シンチレータを用いないため、散乱光による影響を受けず、鮮鋭度の高いX線検出画像が期待できる。
【0003】
間接検出方式の放射線検出器では、一定量のX線が変換されずに通過してしまうが、直接検出方式の放射線検出器ではX線の透過は抑制される。このため、直接検出方式の放射線検出器では、各種制御及び信号処理をする半導体集積回路は、受光面の裏面に配置される場合がある。特許文献1は、複数の放射線検出器を並べた(タイリングした)放射線検出装置であって、ASIC等の半導体集積回路を、放射線検出器の受光面とは反対側に配置する放射線検出装置を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
米国特許出願公開第2019/0339402号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
複数の放射線検出器(チップ)をタイリングした場合、チップ間の境界及びチップの周囲から漏れる放射線は、受光面の反対側に配置された部品を劣化させ、故障の原因となり得る。特許文献1に記載の技術では、ASICは2つのチップにまたがって配置されており、チップ間の境界から漏れた放射線によって劣化するおそれがある。
【0006】
そこで、本発明は、放射線の照射による部品の劣化及び故障を抑制する放射線検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の放射線検出装置は、平面的に配置される複数の直接検出方式の放射線検出器と、前記放射線検出器の制御又は前記放射線検出器からの信号処理を実行するための半導体集積回路と、を備え、前記半導体集積回路は、前記放射線検出器の受光面側から平面視で見た場合に、前記放射線検出器の領域内に含まれるように、前記受光面とは反対側に配置されることを特徴とする。
【0008】
本発明のX線CT装置は、X線発生部と、前記X線発生部から照射されたX線を検出する、上述した放射線検出装置と、前記放射線検出装置から出力された信号を処理する信号処理部とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、放射線の照射による部品の劣化及び故障を抑制する放射線検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
実施形態1に係る検出器ユニットの構成例を示す概略図である。
変形例1に係る検出器ユニットの構成例を示す概略図である。
変形例2に係る検出器ユニットの構成例を示す概略図である。
実施形態2に係る検出器ユニットの構成例を示す概略図である。
X線CT装置のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
(【0011】以降は省略されています)

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