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公開番号2024119108
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-03
出願番号2023025753
出願日2023-02-22
発明の名称センサモジュール
出願人TDK株式会社
代理人個人,個人
主分類G01N 27/12 20060101AFI20240827BHJP(測定;試験)
要約【課題】測定雰囲気中に含まれる所定の物理量を検出するセンサモジュールにおいて、センサ素子の環境温度に対する追従性を高める。
【解決手段】センサモジュール1は、基板10と、基板10に搭載されたセンサ素子を含むセンサチップ20と、基板10に固定され、センサチップ20を覆うケース40と、ケース40の表面に設けられ、ケース40を構成する材料よりも熱放射率の高い熱放射層50とを備える。これによれば、センサ素子の環境温度に対する追従性が高められる。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板に搭載されたセンサ素子と、
前記基板に固定され、前記センサ素子を覆うケースと、
前記ケースの表面に設けられ、前記ケースを構成する材料よりも熱放射率の高い熱放射層と、
を備えるセンサモジュール。
続きを表示（約 630 文字）【請求項２】
前記ケースは、前記センサ素子側に位置する内表面と、前記内表面の反対側に位置する外表面を有し、
前記熱放射層は、前記ケースの前記内表面、前記外表面又はその両方に設けられている、
請求項１に記載のセンサモジュール。
【請求項３】
前記基板は、前記センサ素子及び前記ケースが搭載された上面と、前記上面の反対側に位置する下面を有し、
前記熱放射層は、前記基板の前記上面、前記下面又はその両方に設けられており、且つ、前記基板を構成する材料よりも熱放射率が高い、
請求項１に記載のセンサモジュール。
【請求項４】
前記ケースは、内側ケースと、前記内側ケースを覆う外側ケースとを含み、
前記熱放射層は、前記内側ケース、前記外側ケース又はその両方に設けられている、
請求項１に記載のセンサモジュール。
【請求項５】
前記センサ素子は、測定雰囲気中に含まれる所定のガス成分の濃度、又は、測定雰囲気中における空気の振動、圧力、温度若しくは湿度を検出するものであり、
前記ケースには貫通孔が設けられている、
請求項１に記載のセンサモジュール。
【請求項６】
前記熱放射層は、前記ケースの表面に塗布された熱放射率が９５％以上の炭素系塗料又は金属酸化物からなる、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のセンサモジュール。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示はセンサモジュールに関し、特に、測定雰囲気中における所定の物理量を検出するセンサモジュールに関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、配線基板に搭載されたガス検出素子を保護キャップで覆った構造を有するガスセンサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特許第４２８０７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されたガスセンサにおいては、保護キャップがステンレス鋼板などの金属材料によって構成されている。金属材料は熱伝導率が高いものの、熱放射率が低いことから、ガス検出素子の温度が環境温度から乖離しやすく、これが測定誤差の原因となることがあった。
【０００５】
本開示においては、測定雰囲気中に含まれる所定の物理量を検出するセンサモジュールにおいて、センサ素子の環境温度に対する追従性を高める技術が説明される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一側面によるセンサモジュールは、基板と、基板に搭載されたセンサ素子と、基板に固定され、センサ素子を覆うケースと、ケースの表面に設けられ、ケースを構成する材料よりも熱放射率の高い熱放射層とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、ケースの表面が熱放射層で覆われていることから、センサ素子の環境温度に対する追従性を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、本開示の第１の実施形態によるセンサモジュール１の外観を示す略斜視図である。
図２は、センサモジュール１の略分解斜視図である。
図３は、センサモジュール１を裏面側から見た略平面図である。
図４は、センサモジュール１の略断面図である。
図５は、センサモジュール１の第１の変形例による略断面図である。
図６は、センサモジュール１の第２の変形例による略断面図である。
図７は、センサモジュール１の第３の変形例による略断面図である。
図８は、センサモジュール１の第４の変形例による略断面図である。
図９は、センサモジュール１の第５の変形例による略断面図である。
図１０は、センサモジュール１の第６の変形例による略断面図である。
図１１は、センサモジュール１の第７の変形例による略断面図である。
図１２は、センサモジュール１の第８の変形例による略断面図である。
図１３は、センサモジュール１の第９の変形例による略断面図である。
図１４は、本開示の第２の実施形態によるセンサモジュール２の外観を示す略斜視図である。
図１５は、センサモジュール２の略分解斜視図である。
図１６は、センサモジュール２の略断面図である。
図１７は、本開示の第３の実施形態によるセンサモジュール３の略断面図である。
図１８は、センサモジュール３の第１の変形例による略断面図である。
図１９は、センサモジュール３の第２の変形例による略断面図である。
図２０は、センサモジュール３の第３の変形例による略断面図である。
図２１は、センサモジュール３の第４の変形例による略断面図である。
図２２は、センサモジュール３の第５の変形例による略断面図である。
図２３は、センサモジュール３の第６の変形例による略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら、本開示に係る技術の実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
図１は、本開示の第１の実施形態によるセンサモジュール１の外観を示す略斜視図である。また、図２は、センサモジュール１の略分解斜視図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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