特許ウォッチ

公開番号2024106239
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-08-07
出願番号2023010473
出願日2023-01-26
発明の名称分散板、ガス供給機構及び基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 16/455 20060101AFI20240731BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】熱応力を低減することができる分散板、ガス供給機構及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置の処理容器内に配置される分散板であって、中央部と前記中央部を囲む外周部とを有する、円盤状の本体部と、前記中央部に形成され、前記処理容器内の基板を処理する第1空間へ開口する複数の第1孔と、を備え、前記本体部は、前記中央部に前記本体部を厚さ方向に貫通するスリットを有する、分散板が提供される。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基板処理装置の処理容器内に配置される分散板であって、
中央部と前記中央部を囲む外周部とを有する、円盤状の本体部と、
前記中央部に形成され、前記処理容器内の基板を処理する第１空間へ開口する複数の第１孔と、を備え、
前記本体部は、
前記中央部に前記本体部を厚さ方向に貫通するスリットを有する、
分散板。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
前記スリットは、前記中央部の中心から又は前記中心を通る径方向の線から所定角度傾けて前記外周部に向かって形成されている、
請求項１に記載の分散板。
【請求項３】
前記スリットは、前記中央部の中心から又は前記中心から所定角度傾けて放射状に形成されている、
請求項２に記載の分散板。
【請求項４】
前記スリットは、前記外周部に向かって複数に分岐している、
請求項３に記載の分散板。
【請求項５】
前記スリットは、周方向に形成されている、
請求項１に記載の分散板。
【請求項６】
前記スリットは、前記中央部の中心を通る軸に対して回転対称に形成されている、
請求項１に記載の分散板。
【請求項７】
前記スリットは、前記複数の第１孔を横切って前記本体部を厚さ方向に貫通する、
請求項１～６のいずれか一項に記載の分散板。
【請求項８】
前記スリットは、前記複数の第１孔を避けて前記本体部を厚さ方向に貫通する、
請求項１～６のいずれか一項に記載の分散板。
【請求項９】
前記スリットは、前記複数の第１孔の中心を結ぶように形成されている、
請求項７に記載の分散板。
【請求項１０】
前記スリットの末端は、前記複数の第１孔の少なくともいずれかに繋がっている、
請求項１～６のいずれか一項に記載の分散板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、分散板、ガス供給機構及び基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１は、シャワープレートの直下に、プラズマ中のイオンをトラップするための複数の貫通穴が設けられた板部材を配置することを提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－２０３１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、熱応力を低減することができる分散板、ガス供給機構及び基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、基板処理装置の処理容器内に配置される分散板であって、中央部と前記中央部を囲む外周部とを有する、円盤状の本体部と、前記中央部に形成され、前記処理容器内の基板を処理する第１空間へ開口する複数の第１孔と、を備え、前記本体部は、前記中央部に前記本体部を厚さ方向に貫通するスリットを有する、分散板が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、熱応力を低減することができる分散板、ガス供給機構及び基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面斜視図。
図１のプラズマ処理装置のシャワーヘッドとその周辺を示す断面図。
第１実施例のスリットを示す図２のＡ－Ａ断面図。
スリットを有しない分散板への熱応力のシミュレーション結果の一例を示す図。
第２実施例のスリットを示す図２のＡ－Ａ断面図。
第３実施例のスリットを示す図２のＡ－Ａ断面図。
第４実施例のスリットを示す図２のＡ－Ａ断面図。
第５実施例のスリットを示す図２のＡ－Ａ断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
本明細書において平行、直角、直交、水平、垂直、上下、左右などの方向には、実施形態の効果を損なわないほどのずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、弓状に丸みを帯びてもよい。平行、直角、直交、水平、垂直、円、一致には、略平行、略直角、略直交、略水平、略垂直、略円、略一致が含まれてもよい。
【００１０】
［基板処理装置］
基板処理には、ＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置による成膜処理やＡＬＥ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＥｔｃｈｉｎｇ）装置によるエッチング処理がある。ＶＨＦ又はＵＨＦの電磁波（高周波）を使用して生成したプラズマにより成膜処理及び／又はエッチング処理を行う場合、１３．５６ＭＨｚを一例とする高周波を使用して生成したプラズマと比較してイオンによるダメージが低い。また、高密度プラズマにより堆積速度やエッチング速度の上昇、高被覆性等を期待できる。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許