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公開番号2024053757
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-16
出願番号2022160158
出願日2022-10-04
発明の名称電流センサ
出願人旭化成エレクトロニクス株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類G01R 15/20 20060101AFI20240409BHJP(測定;試験)
要約【課題】個体間で計測電流の計測の感度のばらつきを抑制可能であり、高い品質の小型で高感度の電流センサを提供する。
【解決手段】電流センサは、少なくとも1つの磁電変換素子と、少なくとも1つの磁電変換素子を平面視で少なくとも部分的に取り囲み、少なくとも1つの磁電変換素子で計測される計測電流が流れる導体と、半導体基板で構成され、少なくとも1つの磁電変換素子と前記導体とを第1面で支持する素子支持部と、少なくとも1つの磁電変換素子から出力される信号を処理する信号処理ICと、少なくとも1つの磁電変換素子、導体、及び信号処理ICを封止する封止部と、封止部の側面に一部が露出し、導体と電気的に接続され、計測電流を導体に入力し、導体からの前記計測電流を出力する一対の第1リード端子とを備える。
【選択図】図1A
特許請求の範囲【請求項１】
少なくとも１つの磁電変換素子と、
前記少なくとも１つの磁電変換素子を平面視で少なくとも部分的に取り囲み、前記少なくとも１つの磁電変換素子で計測される計測電流が流れる導体と、
半導体基板で構成され、前記少なくとも１つの磁電変換素子と前記導体とを第１面で支持する素子支持部と、
前記少なくとも１つの磁電変換素子から出力される信号を処理する信号処理ＩＣと、
前記少なくとも１つの磁電変換素子、前記導体、及び前記信号処理ＩＣを封止する封止部と、
前記封止部の側面に一部が露出し、前記導体と電気的に接続され、前記計測電流を前記導体に入力し、前記導体からの前記計測電流を出力する一対の第１リード端子と、
を備える電流センサ。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
前記封止部の側面に一部が露出し、前記信号処理ＩＣと電気的に接続される複数の第２リード端子と、
前記複数の第２リード端子のうちの少なくとも１つの第２リード端子と一体的に構成され、前記信号処理ＩＣを前記第１面と同じ側の面で支持するＩＣ支持部と
をさらに備える、請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記一対の第１リード端子と、前記複数の第２リード端子とは、前記信号処理ＩＣを介して第１方向において対向して配置され、
前記導体は、前記第１方向と交差する第２方向において、平面視で互いに離間する第１部分と第２部分とを含み、
前記少なくとも１つの磁電変換素子は、前記第１部分と前記第２部分との間に配置され、
前記素子支持部は、前記第２方向の両端部分で前記第１部分及び前記第２部分を支持し、
前記素子支持部の前記両端部分の間の前記第１部分及び前記第２部分を支持していない部分の前記第２方向における距離をＬ、前記素子支持部の厚さをｈとした場合、
Ｌ＜８×１０
６
×ｈ
２
を満たす、請求項２に記載の電流センサ。
【請求項４】
前記素子支持部の厚さｈは、０．１ｍｍから０．７ｍｍの範囲である、請求項３に記載の電流センサ。
【請求項５】
前記素子支持部の前記第１面に前記導体を接着させる接着層をさらに備える、請求項２から４の何れか１つに記載の電流センサ。
【請求項６】
前記接着層は、ダイアタッチフィルムである、請求項５に記載の電流センサ。
【請求項７】
前記半導体基板は、シリコン基板である、請求項１から４の何れか１つに記載の電流センサ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流センサに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１及び特許文献２には、磁電変換素子を有する電流センサが開示されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特許第６４１５１４８号
［特許文献２］特許第６０１７１８２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
磁電変換素子を有する電流センサにおいて、磁電変換素子の位置が個体間でばらつくことで、磁電変換素子により計測される計測電流の感度が個体間でばらつきが生じて、電流センサの品質を損なう可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様に係る電流センサは、少なくとも１つの磁電変換素子を備えてよい。前記電流センサは、前記少なくとも１つの磁電変換素子を平面視で少なくとも部分的に取り囲み、前記少なくとも１つの磁電変換素子で計測される計測電流が流れる導体を備えてよい。前記電流センサは、半導体基板で構成され、前記少なくとも１つの磁電変換素子と前記導体とを第１面で支持する素子支持部を備えてよい。前記電流センサは、前記少なくとも１つの磁電変換素子から出力される信号を処理する信号処理ＩＣを備えてよい。前記電流センサは、前記少なくとも１つの磁電変換素子、前記導体、及び前記信号処理ＩＣを封止する封止部を備えてよい。前記電流センサは、前記封止部の側面に一部が露出し、前記導体と電気的に接続され、前記計測電流を前記導体に入力し、前記導体からの前記計測電流を出力する一対の第１リード端子を備えてよい。
【０００５】
前記電流センサは、前記封止部の側面に一部が露出し、前記信号処理ＩＣと電気的に接続される複数の第２リード端子を備えてよい。前記電流センサは、前記複数の第２リード端子のうちの少なくとも１つの第２リード端子と一体的に構成され、前記信号処理ＩＣを前記第１面と同じ側の面で支持するＩＣ支持部を備えてよい。
【０００６】
いずれかの前記電流センサにおいて、前記一対の第１リード端子と、前記複数の第２リード端子とは、前記信号処理ＩＣを介して第１方向において対向して配置されてよい。前記導体は、前記第１方向と交差する第２方向において、平面視で互いに離間する第１部分と第２部分とを含んでよい。前記少なくとも１つの磁電変換素子は、前記第１部分と前記第２部分との間に配置されてよい。前記素子支持部は、前記第２方向の両端部分で前記第１部分及び前記第２部分を支持してよい。前記素子支持部の前記両端部分の間の前記第１部分及び前記第２部分を支持していない部分の前記第２方向における距離をＬ、前記素子支持部の厚さをｈとした場合、Ｌ＜８×１０
６
×ｈ
２
を満たしてよい。
【０００７】
いずれかの前記電流センサにおいて、前記素子支持部の厚さｈは、０．１ｍｍから０．７ｍｍの範囲でよい。
【０００８】
いずれかの前記電流センサは、前記素子支持部の前記第１面に前記導体を接着させる接着層をさらに備えてよい。
【０００９】
いずれかの前記電流センサにおいて、前記接着層は、ダイアタッチフィルムでよい。
【００１０】
いずれかの前記電流センサにおいて、前記半導体基板は、シリコン基板でよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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