特許ウォッチ

公開番号2025145248
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-03
出願番号2024045331
出願日2024-03-21
発明の名称半導体装置およびその製造方法
出願人株式会社デンソー
代理人個人,個人
主分類H01L 23/48 20060101AFI20250926BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】絶縁不良が生じるのを抑制できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子、封止体30、P端子91を含む外部接続端子90を備える。P端子91は、半導体素子に電気的に接続された部分を含み、封止体30に覆われた被覆部911と、封止体30の外に突出する突出部912を有する。外部接続端子90は、表面にめっき膜902が設けられためっき領域903と、めっき膜902が設けられていない非めっき領域904を有する。突出部912は屈曲部913を含んでおり、非めっき領域904は屈曲部913の表面の少なくとも一部を含む。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
半導体素子（４０）と、
前記半導体素子を封止する封止体（３０）と、
前記半導体素子に電気的に接続された部分を含み、前記封止体に覆われた被覆部（９１１，９２１，９３１）と、前記封止体の外に突出する突出部（９１２，９２２，９３２）と、を有する外部接続端子（９０）と、
を備え、
前記外部接続端子は、表面にめっき膜（９０２）が設けられためっき領域（９０３）と、前記めっき膜が設けられていない非めっき領域（９０４）と、を有し、
前記突出部は、屈曲部（９１３，９２３，９３３）を含み、
前記非めっき領域は、前記屈曲部の表面の少なくとも一部を含む、半導体装置。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記非めっき領域は、前記屈曲部における前記外部接続端子の板面を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記非めっき領域は、前記屈曲部における前記外部接続端子の側面を含む、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記非めっき領域は、前記めっき膜を除去した除去領域であり、
前記外部接続端子は、前記めっき膜の除去痕であるレーザ痕（９６１）を有する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記非めっき領域は、前記めっき膜を除去した除去領域であり、
前記外部接続端子は、前記めっき膜の除去痕であるタイバー痕（９６２）を有する、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記外部接続端子は、第１端子（９２）と、所定方向において前記第１端子と並んで配置された第２端子（９３）と、を含み、
前記封止体において前記第１端子および前記第２端子が突出する面から前記屈曲部までの長さが、前記第１端子と前記第２端子とで異なる、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
めっきを施して外部接続端子（９０）の表面にめっき膜（９０２）を形成し、
前記めっき膜を形成した前記外部接続端子と半導体素子（４０）とを電気的に接続し、
前記外部接続端子および前記半導体素子を封止する封止体（３０）を形成し、
前記外部接続端子において前記封止体から突出する部分に曲げ加工を施して屈曲部（９１３，９２３，９３３）を形成し、
前記屈曲部を形成する前に、前記外部接続端子において前記屈曲部に相当する部分の少なくとも一部の前記めっき膜を除去する、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記屈曲部を形成する前に、前記外部接続端子の板面（９０５，９０６）において前記屈曲部に相当する部分にレーザを照射して、前記めっき膜を除去する、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記屈曲部に相当する部分に連なるようにタイバー（９７２，９７３）を設けたリードフレーム（９７）を準備して、前記外部接続端子を含む前記リードフレームの表面に前記めっき膜を形成し、
前記屈曲部を形成する前に、前記タイバーをカットすることで、前記外部接続端子の側面（９０７）において前記屈曲部に相当する部分の前記めっき膜を除去する、請求項７または請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
めっきを施して外部接続端子（９０）の表面にめっき膜（９０２）を形成し、
前記めっき膜を形成した前記外部接続端子と半導体素子（４０）とを電気的に接続し、
前記外部接続端子および前記半導体素子を封止する封止体（３０）を形成し、
前記外部接続端子において前記封止体から突出する部分に曲げ加工を施して屈曲部（９１３，９２３，９３３）を形成し、
前記めっき膜を形成するときに、前記外部接続端子において前記屈曲部に相当する部分の少なくとも一部に前記めっき膜が形成されないように部分めっきを施す、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この明細書における開示は、半導体装置およびその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半導体素子、半導体素子に電気的に接続された端子、封止樹脂を備える電力半導体装置およびその製造方法を開示している。先行技術文献の記載内容は、この明細書における技術的要素の説明として、参照により援用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－３３５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、端子を含むリードフレームのタイバーをカットした後に端子にめっきを施し、めっき後の端子を折り曲げる。このため、端子を折り曲げるときにめっきが剥がれ、これにより絶縁不良が生じる虞がある。上述の観点において、または言及されていない他の観点において、半導体装置およびその製造方法にはさらなる改良が求められている。
【０００５】
本開示の目的のひとつは、絶縁不良が生じるのを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
開示のひとつの態様である半導体装置は、
半導体素子（４０）と、
半導体素子を封止する封止体（３０）と、
半導体素子に電気的に接続された部分を含み、封止体に覆われた被覆部（９１１，９２１，９３１）と、封止体の外に突出する突出部（９１２，９２２，９３２）と、を有する外部接続端子（９０）と、
を備え、
外部接続端子は、表面にめっき膜（９０２）が設けられためっき領域（９０３）と、めっき膜が設けられていない非めっき領域（９０４）と、を有し、
突出部は、屈曲部（９１３，９２３，９３３）を含み、
非めっき領域は、屈曲部の表面の少なくとも一部を含む。
【０００７】
開示の半導体装置によれば、屈曲部の表面の少なくとも一部を非めっき領域とする。つまり、屈曲部の表面の少なくとも一部にめっき膜を設けない。これにより、屈曲部を形成するときに、たとえばめっき膜の剥がれが生じるのを抑制することができる。したがって、絶縁不良が生じるのを抑制することができる。
【０００８】
開示の他のひとつの態様である半導体装置の製造方法は、
めっきを施して外部接続端子（９０）の表面にめっき膜（９０２）を形成し、
めっき膜を形成した外部接続端子と半導体素子（４０）とを電気的に接続し、
外部接続端子および半導体素子を封止する封止体（３０）を形成し、
外部接続端子において封止体から突出する部分に曲げ加工を施して屈曲部（９１３，９２３，９３３）を形成し、
屈曲部を形成する前に、外部接続端子において屈曲部に相当する部分の少なくとも一部のめっき膜を除去する。
【０００９】
開示の半導体装置の製造方法によれば、外部接続端子において屈曲部に相当する部分の少なくとも一部のめっき膜を除去してから、曲げ加工を施して屈曲部を形成する。これにより、屈曲部を形成するときに、たとえばめっき膜の剥がれが生じるのを抑制することができる。したがって、絶縁不良が生じるのを抑制することができる。
【００１０】
開示の他のひとつの態様である半導体装置の製造方法は、
めっきを施して外部接続端子（９０）の表面にめっき膜（９０２）を形成し、
めっき膜を形成した外部接続端子と半導体素子（４０）とを電気的に接続し、
外部接続端子および半導体素子を封止する封止体（３０）を形成し、
外部接続端子において封止体から突出する部分に曲げ加工を施して屈曲部（９１３，９２３，９３３）を形成し、
めっき膜を形成するときに、外部接続端子において屈曲部に相当する部分の少なくとも一部にめっき膜が形成されないように部分めっきを施す。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許