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公開番号2025107565
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-18
出願番号2024205078
出願日2024-11-26
発明の名称金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物、およびこれを利用したパターン形成方法
出願人三星エスディアイ株式会社,SAMSUNG SDI Co., LTD.
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 7/16 20060101AFI20250711BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物、およびこれを利用したパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも2個のカルボキシル基で置換されたC3～C20脂肪族炭化水素化合物;モノ-カルボン酸化合物;および有機溶媒を含む、金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物、およびこれを利用したパターン形成方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
少なくとも２個のカルボキシル基で置換されたＣ３～Ｃ２０脂肪族炭化水素化合物；
モノ－カルボン酸化合物；および
有機溶媒を含む、
金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物。
続きを表示（約 2,000 文字）【請求項２】
前記少なくとも２個のカルボキシル基で置換されたＣ３～Ｃ２０脂肪族炭化水素化合物：前記モノ－カルボン酸化合物は、１：０．０１～１：２の重量比で含まれるものである、請求項１に記載の金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物。
【請求項３】
前記少なくとも２個のカルボキシル基で置換されたＣ３～Ｃ２０脂肪族炭化水素化合物は、非環状である、請求項１に記載の金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物。
【請求項４】
前記少なくとも２個のカルボキシル基で置換されたＣ３～Ｃ２０脂肪族炭化水素化合物は、下記の化学式１で表されるものである、請求項１に記載の金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物。
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2025107565000011.jpg
38
170
（前記化学式１で、
Ｌ
１
は、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０アルキレン、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０アルケニレン、置換もしくは非置換のＣ３～Ｃ２０アルキニレン、Ｃ１～Ｃ１０脂肪族炭化水素基およびＣ６～Ｃ１２芳香族炭化水素基のうちの少なくとも一つで置換されたＣ２～Ｃ２０アルキレン、Ｃ１～Ｃ１０脂肪族炭化水素基およびＣ６～Ｃ１２芳香族炭化水素基のうちの少なくとも一つで置換されたＣ２～Ｃ２０アルケニレン、Ｃ１～Ｃ１０脂肪族炭化水素基およびＣ６～Ｃ１２芳香族炭化水素基のうちの少なくとも一つで置換されたＣ３～Ｃ２０アルキニレンまたはこれらの組み合わせであり、
Ｒ
１
は、アミン基、アミド基、ハロゲン、ヒドロキシ基、またはカルボキシル基であり、
ｍ１は、０以上の整数である。）
【請求項５】
前記Ｌ
１
は、置換もしくは非置換のプロピレン、置換もしくは非置換のブチレン、置換もしくは非置換のペンチレン、置換もしくは非置換のへキシレン、置換もしくは非置換のプロペニレン、置換もしくは非置換のブテニレン、置換もしくは非置換のペンテニレン、置換もしくは非置換のヘキセニレン、Ｃ１～Ｃ１０アルキル基で置換されたエチレン、またはこれらの組み合わせである、請求項４に記載の金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物。
【請求項６】
前記少なくとも２個のカルボキシル基で置換されたＣ３～Ｃ２０脂肪族炭化水素化合物は、下記のグループ１に羅列された化合物の中から選択される一つである、請求項１に記載の金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物。
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2025107565000012.jpg
27
170
【請求項７】
前記モノ－カルボン酸化合物は、下記のグループ２に羅列された化合物の中から選択される一つである、請求項１に記載の金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物。
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64
170
【請求項８】
前記少なくとも２個のカルボキシル基で置換されたＣ３～Ｃ２０脂肪族炭化水素化合物、およびモノ－カルボン酸化合物は、組成物の総重量を基準として０．１～３０重量％で含まれる、請求項１に記載の金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物。
【請求項９】
前記少なくとも２個のカルボキシル基で置換されたＣ３～Ｃ２０脂肪族炭化水素化合物、およびモノ－カルボン酸化合物は、組成物の総重量を基準として０．１～２５重量％で含まれる、請求項１に記載の金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物。
【請求項１０】
基板上に金属含有レジスト組成物を塗布する段階；
前記基板のエッジに沿って金属含有レジストのエッジビード除去用組成物を塗布する金属含有レジストのエッジビード除去段階；
乾燥および加熱して前記基板上に金属含有フォトレジスト膜を形成させる熱処理段階；
前記金属含有フォトレジスト膜を露光する段階；並びに
金属含有レジストの現像液組成物を利用して現像する段階を含み、
前記金属含有レジストのエッジビード除去用組成物および金属含有レジストの現像液組成物のうちの少なくとも一つは、請求項１～９のいずれか一項に記載の組成物である、請求項１に記載のパターン形成方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本記載は、金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物、およびこれを利用したパターン形成方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
最近、半導体産業では臨界寸法の継続的な縮小が伴われ、このような寸法縮小により、次第により小さいフィーチャー（ｆｅａｔｕｒｅ）の加工およびパターニングの要求を満たすための新たな類型の高性能フォトレジスト材料およびパターニング方法が要求されている。
【０００３】
また、最近、半導体産業の飛躍的な発展により、半導体デバイスの作動速度および大容量の保存能力が要求されており、このような要求に歩調をそろえて半導体デバイスの集積度、信頼度および応答速度を向上させる工程技術が発展している。特にシリコン基板の作用領域に不純物を正確に調節／注入し、このような領域が相互連結されて素子および超高密度集積回路を形成するようにすることが重要であるが、これはフォトリソグラフィ工程により可能である。つまり、基板上にフォトレジストを塗布して、紫外線（極紫外線を含む）、電子線またはＸ線などを照射して選択的に露光させた後に現像することを含むフォトリソグラフィ工程の統合を考慮することが重要になってきた。
【０００４】
特にフォトレジスト層を形成する工程では、主にシリコン基板を回転させながらレジストを基板上に塗布するようになるが、この過程で基板のエッジと裏面にもレジストが塗布され、これはエッチングやイオン注入工程のような半導体後工程で粒子を誘発したりパターン不良を誘発する原因になり得る。したがって、シンナー組成物を使用してシリコン基板のエッジと裏面に塗布されているフォトレジストをストリッピングして除去する工程、つまり、ＥＢＲ（ＥＤＧＥＢＥＡＤＲＥＭＯＶＡＬ）工程を実施する。前記ＥＢＲ工程では、フォトレジストに対して優れた溶解性を示し、基板に残留するビードおよびフォトレジストを効果的に除去してレジスト残留物が発生しない組成物を必要とする。
【０００５】
また、フォトリソグラフィ工程で優れたエッチング耐性および解像力を保障すると同時に、感度およびＣＤ（ｃｒｉｔｉｃａｌｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）均一度を向上させることができ、ＬＥＲ（ｌｉｎｅｅｄｇｅｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）特性を改善することができるフォトレジスト並びにこれを実現することができる現像液組成物の開発が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一実施形態は、金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物を提供する。
【０００７】
他の実施形態は、前記組成物を利用したパターン形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施形態による金属含有レジストのエッジビード除去用組成物または金属含有レジストの現像液組成物は、少なくとも２個のカルボキシル基で置換されたＣ３～Ｃ２０脂肪族炭化水素化合物；モノ－カルボン酸化合物；および有機溶媒を含む。
【０００９】
他の実施形態によるパターン形成方法は、基板上に金属含有レジスト組成物を塗布する段階；前記基板のエッジに沿って金属含有レジストのエッジビード除去用組成物を塗布する金属含有レジストのエッジビード除去段階；乾燥および加熱して前記基板上に金属含有フォトレジスト膜を形成させる熱処理段階；前記金属含有フォトレジスト膜を露光する段階；並びに金属含有レジストの現像液組成物を利用して現像する段階を含み、
前記金属含有レジストのエッジビード除去用組成物および金属含有レジストの現像液組成物のうちの少なくとも一つは前述の組成物を含む。
【発明の効果】
【００１０】
一実施形態による金属含有レジストのエッジビード除去用組成物は、金属含有レジストに内在された金属ベース汚染を減少させて基板のエッジおよび裏面に塗布されたレジストを除去することによって、より小さいフィーチャー（ｆｅａｔｕｒｅ）の加工およびパターニングの要求を満たすことができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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