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公開番号2025106645
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-16
出願番号2024000014
出願日2024-01-04
発明の名称空間周波数領域での結像状態補正手法
出願人個人
代理人
主分類G03F 7/20 20060101AFI20250709BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】半導体デバイス製造に於けるデバイス及び回路パターンの転写・リソグラフィ技術・工程において、その製造容易性を高める。
【解決手段】結像レンズの開口絞り近傍に配置された透過平板を「回転方向に数分割」して、401に示すa.何も作用を及ぼさない領域、402に示すb.低周波部・高周波部に分けて透過率を調整する領域(所謂、瞳アポダイゼーションの一種)、403に示すc.低周波部・高周波部に分けて位相差を調整する領域(局所的ドープにより屈折率をコントロール)、及びd.それらの組み合わせの領域を設ける。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
現行マスクパターンでの空間周波数特性を活かし、開口絞り近傍に配置された透過平行平板を回転方向に分割して、低空間周波数領域、高空間周波数領域に透過率及び位相差の差異・補正を設ける事で、同部材を交換する事なく結像状態の調整を可能とする手法。
続きを表示（約 88 文字）【請求項２】
透過率補正及び位相差補正の強弱の組み合わせを予め複数備えておく事で、結像状態の更にFine Tuningする事を可能とする請求項１に記載の手法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
半導体デバイス製造に於けるデバイス及び回路パターンの転写・リソグラフィ技術。
続きを表示（約 1,200 文字）【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
特開2016-42192(P2016-42192A)
特開2014-75610(P2014-75610A)
特表2010-535423(P2010-535423A)
特開2008-181125(P2008-181125A)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体デバイス製造に於けるデバイス及び回路パターンの転写・リソグラフィ技術・工程において、その製造容易性を高めることを目的とする。具体的には露光装置を半導体デバイス工程に設置した後でも、マスクパターンの転写・結像状態を調整出来る新たな手段を提供し、半導体デバイスの迅速なTATの短縮・Yieldのアップ、更には継続的な安定生産に寄与する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
半導体素子パターニングのリソグラフィ・投影露光に於いて、現行のデバイス及び配線の実マスクパターンの多くは「縦横」に配置される。そのため結像レンズ（射出）瞳上での空間周波数領域を考えた場合、殆どが「ξ軸及びη軸上にシグナルが並ぶ」事になる。従来技術でも、開口絞り近傍に配置された透過平板に位相差補正を施した上で交換し、結像レンズ全体の収差を調整するといった技術は行われて来た。しかし、本発明では上記・空間周波数特性を考慮し透過平板を「回転方向に数分割」して、a.何も作用を及ぼさない領域、b.低周波部・高周波部に分けて透過率を調整する領域（所謂、瞳アポダイゼーションの一種）、c.低周波部・高周波部に分けて位相差を調整する領域（局所的ドープにより屈折率をコントロール）、及びd.それらの組み合わせの領域を設ける事で、同部材の交換をせずとも「回転のみを行い」結像状態の調整をする事（主には他マスク箇所とのトレードオフで危険点を救済する事）が可能となる。また透過率調整の強弱、位相差調整の強弱の組み合わせを予め複数備えておき、同部材を交換することにより、更なる結像状態のFine Tuningが可能となる。
【発明の効果】
【０００５】
結像状態の調整手段を増やす事で、半導体デバイスの迅速なTATの短縮・Yieldのアップ、更には継続的な安定生産に繋げる事が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
現行の配線マスクパターンの例
同マスクパターンの空間周波数領域での振る舞い
結像レンズ内に配置する回転補正プレートの概念図
回転方向に低空間周波数領域、高空間周波数領域に差異を設けて、透過率補正・位相差補正を行う補正プレートの例
【産業上の利用可能性】
【０００７】
新規結像レンズを設計する際に同手法を考慮に入れる事で、半導体デバイス製造現場へ露光装置を設置した後でも、結像状態の最終調整手段（調整ノブ）を増やす事が可能となる。

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