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公開番号2025105593
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-10
出願番号2024233158
出願日2024-12-27
発明の名称ブランクマスク及びブランクマスクの製造方法
出願人エスケーエンパルスカンパニーリミテッド,SK enpulse Co.,Ltd.
代理人SK弁理士法人,個人,個人
主分類G03F 1/50 20120101AFI20250703BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】精密にパターニングされて、光学歪みの少ないフォトマスクを提供することができるブランクマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性基板と、前記光透過性基板上に配置される遮光膜を含む光学基板と、前記光学基板上に配置されるフォトレジスト層とを含み、前記フォトレジスト層は、横方向に等間隔で7個に分割され、縦方向に等間隔で7個に分割される49個の領域を含み、前記49個の領域は、前記光学基板の中心に対応する第1領域と、前記第1領域の周囲に沿って配置される第2領域と、前記第2領域の周囲に沿って配置される第3領域と、前記光学基板の外郭に対応する第4領域とを含み、前記第4領域における光学凹凸の密度は、前記第1領域、前記第2領域及び第3領域における光学凹凸の密度よりもさらに大きいブランクマスクを提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
光透過性基板と、前記光透過性基板上に配置される遮光膜を含む光学基板と、
前記光学基板上に配置されるフォトレジスト層とを含み、
前記フォトレジスト層は、横方向に等間隔で７個に分割され、縦方向に等間隔で７個に分割される４９個の領域を含み、
前記４９個の領域は、
前記光学基板の中心に対応する第１領域と、
前記第１領域の周囲に沿って配置される第２領域と、
前記第２領域の周囲に沿って配置される第３領域と、
前記光学基板の外郭に対応する第４領域と、
を含み、
前記第４領域における光学凹凸の密度は、前記第１領域、前記第２領域及び第３領域における光学凹凸の密度よりもさらに大きい、
ブランクマスク。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記光学凹凸は、５３２ｎｍのレーザによって検出されて、前記遮光膜上に３０個／３６ｉｎｃｈ
２
未満で配置される、
請求項１に記載のブランクマスク。
【請求項３】
前記第４領域における光学凹凸の密度は、１５個／３６ｉｎｃｈ
２
～２５個／３６ｉｎｃｈ
２
である、
請求項１に記載のブランクマスク。
【請求項４】
前記第１領域、前記第２領域及び前記第３領域における光学凹凸の密度は、５個／３６ｉｎｃｈ
２
～２０個／３６ｉｎｃｈ
２
である、
請求項３に記載のブランクマスク。
【請求項５】
前記光学凹凸の直径は、１０ｎｍ～５００ｎｍである、
請求項１に記載のブランクマスク。
【請求項６】
前記第４領域における光学凹凸の密度と、前記第１領域、前記第２領域及び前記第３領域における光学凹凸の密度との差は、１個／３６ｉｎｃｈ
２
～１５個／３６ｉｎｃｈ
２
である、
請求項１に記載のブランクマスク。
【請求項７】
各々の第４領域における光学凹凸の個数は、３個以下である、
請求項１に記載のブランクマスク。
【請求項８】
前記フォトレジスト層は、前記遮光部上に配置される平坦部を含み、
前記光学凹凸は、前記遮光部と互いに異なる光学厚さを有する、
請求項１に記載のブランクマスク。
【請求項９】
前記光学凹凸は、光経路変更部を含む、
請求項８に記載のブランクマスク。
【請求項１０】
前記光経路変更部は、前記平坦部と互いに異なる屈折率を有する、
請求項９に記載のブランクマスク。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施例は、ブランクマスク及びブランクマスクの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの高集積化により、半導体デバイスの回路パターンの微細化が求められている。これにより、ウエハ表面上にフォトマスクを用いて回路パターンを現像する技術であるリソグラフィ技術の重要性がさらに強調されている。
【０００３】
微細化した回路パターンを現像するためには、露光工程で使用される露光光源の短波長化が求められる。近年、使用される露光光源では、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）などがある。
【０００４】
一方、フォトマスクにはバイナリマスク（Ｂｉｎａｒｙｍａｓｋ）と位相シフトマスク（Ｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｍａｓｋ）などがある。
【０００５】
バイナリマスクは、光透過性基板上に遮光層パターンが形成された構成を有する。バイナリマスクは、パターンが形成された面において、遮光層を含まない透過部は、露光光を透過させ、遮光層を含む遮光部は、露光光を遮断することによって、ウエハ表面のレジスト膜上にパターンを露光させる。ただし、バイナリマスクは、パターンが微細化するほど、露光工程で透過部の縁で発生する光の回折によって微細パターンの現像に問題が発生し得る。
【０００６】
位相シフトマスクでは、レベンスン型（Ｌｅｖｅｎｓｏｎｔｙｐｅ）、アウトトリガー型（Ｏｕｔｒｉｇｇｅｒｔｙｐｅ）、ハーフトーン型（Ｈａｌｆ－ｔｏｎｅｔｙｐｅ）がある。そのうちハーフトーン型位相シフトマスクは、光透過性基板２０上に半透過膜で形成されたパターンが形成された構成を有する。ハーフトーン型位相シフトマスクは、パターンが形成された面において、半透過層を含まない透過部は、露光光を透過させ、半透過層を含む半透過部は、減衰した露光光を透過させる。前記減衰した露光光は、透過部を通過した露光光と比較して位相差を有するようになる。これにより、透過部の縁で発生する回折光は、半透過部を透過した露光光によって相殺して、位相シフトマスクは、ウエハ表面にさらに精巧な微細パターンを形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
これに関連する先行文献は、次のとおりである。
大韓民国公開特許第１０－２０１２－００５７４８８号
大韓民国公開特許第１０－２０１４－０１３０４２０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
実施例は、精密にパターニングされて、光学歪みの少ないフォトマスクを提供することができるブランクマスク及びその製造方法を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施例によるブランクマスクは、光透過性基板と、前記光透過性基板上に配置される遮光膜と、前記遮光膜上に配置されるフォトレジスト層と、を含み、前記フォトレジスト層は、横方向に等間隔で７個に分割されて、縦方向に等間隔で７個に分割される４９個の領域を含み、前記４９個の領域における厚さ偏差が１００Å未満である。
【００１０】
一実施例によるブランクマスクにおいて、前記４９個の領域は、前記光学基板の中心に対応する第１領域と、前記第１領域の周囲に沿って配置される第２領域と、前記第２領域の周囲に沿って配置される第３領域と、前記光学基板の外郭に対応する第４領域とを含み、前記第４領域における平均厚さは、前記第３領域における平均厚さよりもさらに大きくてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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