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公開番号2025097172
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-30
出願番号2023213308
出願日2023-12-18
発明の名称リソグラフィーシミュレーション方法および光近接効果補正方法
出願人キオクシア株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G03F 1/70 20120101AFI20250623BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】マスク形状を曲線形状のままシミュレートすることができるリソグラフィーシミュレーション方法および光近接効果補正方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によるリソグラフィーシミュレーション方法は、投影露光装置を用いてマスク基板からウェハ基板に転写するマスク形状を取得することを具備する。また、本リソグラフィーシミュレーション方法は、マスク形状に含まれる輪郭図形上の制御点、多項式媒介変数表示の関数形、および、関数形の次数を取得することを具備する。また、本リソグラフィーシミュレーション方法は、制御点、関数形、および、次数に基づいて、多項式媒介変数表示を用いて輪郭図形をフーリエ変換することにより、レジストパタンを予測することを具備する。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
投影露光装置を用いてマスク基板からウェハ基板に転写するマスク形状を取得し、
前記マスク形状に含まれる輪郭図形上の制御点、多項式媒介変数表示の関数形、および、前記関数形の次数を取得し、
前記制御点、前記関数形、および、前記次数に基づいて、前記多項式媒介変数表示を用いて前記輪郭図形をフーリエ変換することにより、レジストパタンを予測する、
ことを具備する、リソグラフィーシミュレーション方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記関数形は、パラメトリックスプライン曲線またはベジエ曲線である、請求項１に記載のリソグラフィーシミュレーション方法。
【請求項３】
前記次数は、２次以上である、請求項１または請求項２に記載のリソグラフィーシミュレーション方法。
【請求項４】
前記次数は、２次以上３次以下である、請求項３に記載のリソグラフィーシミュレーション方法。
【請求項５】
前記輪郭図形をフーリエ変換することは、Ｇｒｅｅｎの定理により２重積分を１重積分化して、前記輪郭図形をフーリエ変換することを含む、請求項１に記載のリソグラフィーシミュレーション方法。
【請求項６】
前記関数形は、パラメトリックスプライン曲線またはベジエ曲線であり、
前記次数は、２次であり、
前記輪郭図形をフーリエ変換することは、誤差関数、虚数誤差関数、相補誤差関数、または、相補虚数誤差関数を用いることにより、前記輪郭図形をフーリエ変換することを含む、請求項１に記載のリソグラフィーシミュレーション方法。
【請求項７】
前記関数形は、パラメトリックスプライン曲線またはベジエ曲線であり、
前記次数は、３次であり、
前記輪郭図形をフーリエ変換することは、Ｇａｕｓｓ－Ｌｅｇｅｎｄｒｅ求積法を用いた数値積分により、前記輪郭図形をフーリエ変換することを含む、請求項１に記載のリソグラフィーシミュレーション方法。
【請求項８】
Ｇａｕｓｓ－Ｌｅｇｅｎｄｒｅ求積法におけるルジャンドル多項式の次数は、積分区間内での被積分関数の位相変化に応じて設定される、請求項７に記載のリソグラフィーシミュレーション方法。
【請求項９】
前記制御点、前記関数形、および、前記次数を取得する前に、前記多項式媒介変数表示を用いて前記輪郭図形をフーリエ変換する第１モードを選択可能とする、ことをさらに具備する、請求項１に記載のリソグラフィーシミュレーション方法。
【請求項１０】
前記制御点、前記関数形、および、前記次数を取得することは、前記第１モードが選択された場合に、前記制御点、前記関数形、および、前記次数を取得することを含む、請求項９に記載のリソグラフィーシミュレーション方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、リソグラフィーシミュレーション方法および光近接効果補正方法に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
大容量化を目的として、半導体メモリの回路構造が平面から立体構造へ変化し、高積層化が進んでいるが、コスト削減の為に平面方向の縮小も継続している。極端紫外光を用いることで平面方向の縮小は可能だが、コストが非常に高い為、フッ化アルゴンレーザーを光源とする液浸露光の延命が必要となっている。液浸露光を用いた平面方向の縮小の代表的な技術として、所望のウェハ上のレジスト形状を得るためのマスク形状を、逆問題を解いて求めるインバースリソグラフィーと呼ばれる技術がある。一般にインバースリソグラフィーで求められたマスク形状は曲線的な複雑な形状をしている。しかし、曲線で表現されたマスク形状をシミュレートすることが難しい為、複雑な曲線を直線で近似してシミュレートすることが行われている。この為、曲線を直線で近似したときの誤差を小さくするためには、直線を細かく分割して曲線との差分を小さくする必要があり、データ量が大きくなり過ぎる問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０２２／０２２９９６８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
マスク形状を曲線形状のままシミュレートすることができるリソグラフィーシミュレーション方法および光近接効果補正方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によるリソグラフィーシミュレーション方法は、投影露光装置を用いてマスク基板からウェハ基板に転写するマスク形状を取得することを具備する。また、本リソグラフィーシミュレーション方法は、マスク形状に含まれる輪郭図形上の制御点、多項式媒介変数表示の関数形、および、関数形の次数を取得することを具備する。また、本リソグラフィーシミュレーション方法は、制御点、関数形、および、次数に基づいて、多項式媒介変数表示を用いて輪郭図形をフーリエ変換することにより、レジストパタンを予測することを具備する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
第１実施形態によるリソグラフィーシミュレーション方法の一例を示す図である。
曲線で囲まれた図形の一例を示す。
図３Ａに示す図形を直線分割して表現した図形の一例を示す。
比較例による直線で囲まれた領域および座標の一例を示す図である。
第１実施形態による曲線で囲まれた領域および境界の閉曲線の一例を示す図である。
第１実施形態による曲線で囲まれた領域のパラメトリック表示の一例を示す図である。
半径ａの円のフーリエ変換の結果の一例を示すグラフである。
表示部の表示の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
半導体のリソグラフィー工程において、設計されたパタン配置および形状をそのままマスク配置および形状として作成しても、露光装置を介して転写されるウェハ上のレジスト形状は、光近接効果によって所望の形状にはならない。そこで、光近接効果補正という補正を行い、ウェハ上でのレジスト形状が所望の形状となるようにすることが行われる。近年、微細化が進み所望の形状を得るだけではなく、ウェハプロセスのバラツキに対して変動しにくくするためにウェハ上には解像しないＳＲＡＦ（Sub-resolution Assist Feature）を配置することが、光近接効果補正に求められている。さらに、微細化が進み上記のロバスト性をさらに強化するために、マスク形状を単純な矩形ではなく任意の曲線で表現することが求められる。
【０００９】
図１は、第１実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す図である。図１の中央部は、設計パタンからマスク形状を求めるフロー図を示す。
【００１０】
まず、設計されたデータを入力として、設計データにＳＲＡＦを発生させる（Ｓ１０）。ＳＲＡＦはインバースリソグラフィーの手法で発生させたものでもよいし、所定のルールに従って発生させたものでもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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