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公開番号
2025094423
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-06-25
出願番号
2023209945
出願日
2023-12-13
発明の名称
電気光学装置および電子機器
出願人
セイコーエプソン株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
主分類
G09F
9/30 20060101AFI20250618BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約
【課題】狭画素ピッチ化で対応可能な容量素子を有する電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、画素電極が設けられる開口領域と、前記画素電極に電気的に接続され、第1方向に延在する半導体層と有するトランジスターが設けられる遮光領域と、を備える電気光学装置であって、前記開口領域および前記遮光領域に設けられた絶縁性を有する第1絶縁層と、前記遮光領域に設けられ、前記画素電極が設けられる層に向かって前記第1絶縁層から突出する絶縁性の突出部と、前記遮光領域に設けられる容量素子と、を備え、前記容量素子は、前記突出部を覆い、配線として機能する第1容量電極と、前記第1容量電極と離間する第2容量電極と、前記第1容量電極と前記第2容量電極との間に設けられる誘電体膜と、を備える。
【選択図】図6
特許請求の範囲
【請求項1】
画素電極が設けられる開口領域と、前記画素電極に電気的に接続され、第1方向に延在する半導体層と有するトランジスターが設けられる遮光領域と、を備える電気光学装置であって、
前記開口領域および前記遮光領域に設けられた絶縁性を有する第1絶縁層と、
前記遮光領域に設けられ、前記画素電極が設けられる層に向かって前記第1絶縁層から突出する絶縁性の突出部と、
前記遮光領域に設けられる容量素子と、を備え、
前記容量素子は、前記突出部を覆い、配線として機能する第1容量電極と、前記第1容量電極と離間する第2容量電極と、前記第1容量電極と前記第2容量電極との間に設けられる誘電体膜と、を備える、
ことを特徴とする電気光学装置。
続きを表示(約 940 文字)
【請求項2】
前記半導体層は、チャネル領域を有し、
前記遮光領域は、前記第1方向に沿って延在する延在部と、前記延在部よりも幅広な幅広部と、を有し、
前記チャネル領域および前記突出部のそれぞれは、前記幅広部に設けられ、
前記チャネル領域および前記突出部は、平面視で重なる、
請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項3】
前記第1容量電極は、平面視で前記突出部に重なる第1部分と、平面視で前記突出部とは異なる位置に設けられ、前記第1方向に延在する第2部分と、を有し、
前記第2部分のうち前記第1絶縁層とは反対の面には、前記第2部分の一部を保護する絶縁性の保護膜が設けられる、
請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項4】
前記保護膜は、平面視で、前記誘電体膜および前記第2容量電極と重ならない部分を有する、
請求項3に記載の電気光学装置。
【請求項5】
前記第1絶縁層と前記突出部とは、同一材料である、
請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項6】
前記第1容量電極、前記誘電体膜、および前記第2容量電極は、平面視で互いに重なる端面を有する、
請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項7】
前記第2容量電極と前記画素電極との間に設けられる第2絶縁層をさらに備え、
前記第2容量電極は、平面視で前記突出部と異なる位置で、前記第2絶縁層を貫通するコンタクトプラグを介して前記画素電極に電気的に接続される、
請求項1の記載の電気光学装置。
【請求項8】
前記第2容量電極と前記画素電極との間に設けられる第2絶縁層をさらに備え、
前記第2容量電極は、平面視で前記突出部と重なる位置で、前記第2絶縁層に設けられた孔の内壁面に沿うトレンチ電極を介して前記画素電極に電気的に接続される、
請求項1に記載の電気光学装置。
【請求項9】
請求項1から8のいずれか1項に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
続きを表示(約 2,600 文字)
【背景技術】
【0002】
プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。当該電気光学装置の例として、特許文献1に記載の液晶装置が知られている。
【0003】
特許文献1に記載の液晶装置は、基板上に設けられた画素電極と、基板と画素電極との間に設けられた第1絶縁膜および第2絶縁膜と、第1絶縁膜および第2絶縁膜を貫通する溝内に設けられた溝内部分を有する蓄積容量とを備える。当該文献に記載の液晶装置では、限られた基板上の領域内で蓄積容量の容量値を向上させるよう、前述の溝内部分を有する蓄積容量が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2012-155118号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
近年、高解像度化による狭画素ピッチ化に伴い、蓄積容量が設けられる領域は縮小傾向にある。蓄積容量を構成する領域が縮小すると、前述の第1絶縁膜および第2絶縁膜に設けられた溝の平面積が縮小してしまう。この結果、溝内部分を有する蓄積容量を設けることが困難になってしまう。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の電気光学装置の一態様は、画素電極が設けられる開口領域と、前記画素電極に電気的に接続され、第1方向に延在する半導体層と有するトランジスターが設けられる遮光領域と、を備える電気光学装置であって、前記開口領域および前記遮光領域に設けられた絶縁性を有する第1絶縁層と、前記遮光領域に設けられ、前記画素電極が設けられる層に向かって前記第1絶縁層から突出する絶縁性の突出部と、前記遮光領域に設けられる容量素子と、を備え、前記容量素子は、前記突出部を覆い、配線として機能する第1容量電極と、前記第1容量電極と離間する第2容量電極と、前記第1容量電極と前記第2容量電極との間に設けられる誘電体膜と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
図1に示す電気光学装置のA-A線の断面図である。
図1の素子基板の電気的な構成を示す回路図である。
図2の表示領域における開口領域および遮光領域を示す平面図である。
図4のA1―A1線の断面図である。
図4のA2―A2線の断面図である。
図5中のトランジスターと突出部との配置関係を示す平面図である。
図5中の第1容量電極の一部を示す平面図である。
図5中の第2容量電極および保護膜を示す平面図である。
図5に示す素子基板の一部の製造方法を示すフロー図である。
図10の突出部形成工程を説明するための図である。
図10の突出部形成工程を説明するための図である。
図10の第1電極層形成工程を説明するための図である。
図10の第1電極層形成工程を説明するための図である。
図10の第1電極層形成工程を説明するための図である。
図10の保護膜形成工程を説明するための図である。
図10の保護膜形成工程を説明するための図である。
図10の保護膜形成工程を説明するための図である。
図10の誘電体層形成工程を説明するための図である。
図10の誘電体層形成工程を説明するための図である。
図10の第2電極層形成工程を説明するための図である。
図10の第2電極層形成工程を説明するための図である。
図10の一括除去工程を説明するための図である。
図10の一括除去工程を説明するための図である。
図10のコンタクト形成工程を説明するための図である。
図10のコンタクト形成工程を説明するための図である。
図10の画素電極形成工程を説明するための図である。
第2実施形態における第2容量電極と画素電極とを電気的に接続するコンタクを説明するための図である。
図28のコンタクトの平面的な配置を示す図である。
変形例のコンタクトの配置を示す図である。
電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。
電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。
【0009】
1.電気光学装置
1A.基本構成
図1は、実施形態に係る電気光学装置100の平面図である。図2は、図1に示す電気光学装置100のA-A線の断面図である。なお、図1では、対向基板3の図示を省略する。また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を適宜用いて説明する。また、X軸に沿う一方向をX1方向と表記し、X1方向とは反対の方向をX2方向と表記する。同様に、Y軸に沿う一方向をY1方向と表記し、Y1方向とは反対の方向をY2方向と表記する。Z軸に沿う一方向をZ1方向と表記し、Z1方向とは反対の方向をZ2方向と表記する。
【0010】
また、本明細書において、「要素α上の要素β」とは、要素βが要素αの上方に位置することを意味する。したがって、「要素α上の要素β」とは、要素βが要素αに直接的に接触している場合のみならず、要素αと要素βとが離間している場合も含む。また、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含まれる。
(【0011】以降は省略されています)
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