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公開番号2025042960
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-28
出願番号2023150191
出願日2023-09-15
発明の名称半導体装置、無線通信装置、及び、半導体装置の製造方法
出願人富士通株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/768 20060101AFI20250321BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体素子の寄生容量を低減した半導体装置、無線通信装置、及び、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の第1面側に設けられる配線層であって、前記半導体素子に接続される配線と、前記配線を覆う絶縁層とを有する配線層と、前記半導体素子の前記第1面と、前記配線層との間に設けられる空洞とを含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項1】
半導体素子と、
前記半導体素子の第1面側に設けられる配線層であって、前記半導体素子に接続される配線と、前記配線を覆う絶縁層とを有する配線層と、
前記半導体素子の前記第1面と、前記配線層との間に設けられる空洞と
を含む、半導体装置。
続きを表示(約 940 文字)【請求項2】
前記配線層は、前記絶縁層を貫通し、前記空洞に通じる貫通孔をさらに有する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記空洞は、平面視において、前記半導体素子のトランジスタが存在するトランジスタ領域内、又は、前記半導体素子に前記配線が接続される配線領域内に設けられている、請求項1又は2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記空洞は、前記トランジスタのゲートを囲む、請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記半導体素子及び前記空洞を複数含み、
各半導体素子に前記空洞が少なくとも1つ設けられている、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記半導体素子を複数含むとともに、
前記複数の半導体素子の側面に設けられるモールド樹脂をさらに含み、
前記モールド樹脂は、前記半導体素子に対して前記配線層を支持する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記貫通孔内の少なくとも一部に設けられる、金属層をさらに含む、請求項2に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記半導体素子の前記第1面とは反対側の第2面に設けられる放熱板をさらに含む、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項9】
半導体素子と、
前記半導体素子の第1面側に設けられる配線層であって、前記半導体素子に接続される配線と、前記配線を覆う絶縁層とを有する配線層と、
前記半導体素子の前記第1面と、前記配線層との間に設けられる空洞と、
前記配線層に対する前記半導体素子とは反対側に設けられ、前記配線層に接続される回路基板と、
前記回路基板に設けられるアンテナと
を含む、無線通信装置。
【請求項10】
半導体素子の第1面に犠牲膜を形成する工程と、
前記犠牲膜の上に前記半導体素子に接続される配線と、前記配線を覆う絶縁層とを有する配線層を形成する工程と、
前記犠牲膜を除去して、前記半導体素子の前記第1面と、前記配線層との間に空洞を形成する工程と
を含む、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置、無線通信装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示(約 1,300 文字)【背景技術】
【0002】
従来より、イメージセンシングチップの上に再配線と感光性インク層が設けられた半導体装置がある。イメージセンシングチップは凹状の開口部を有し、開口部内には再配線が延在し、再配線の上にはキャビティが設けられている(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特表2018-533225号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、従来の半導体装置は、イメージセンシングチップ(半導体素子)の上面が再配線と感光性インク層で覆われているため、半導体素子の寄生容量が大きい。
【0005】
そこで、半導体素子の寄生容量を低減した半導体装置、無線通信装置、及び、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の実施形態の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の第1面側に設けられる配線層であって、前記半導体素子に接続される配線と、前記配線を覆う絶縁層とを有する配線層と、前記半導体素子の前記第1面と、前記配線層との間に設けられる空洞とを含む。
【発明の効果】
【0007】
半導体素子の寄生容量を低減した半導体装置、無線通信装置、及び、半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
実施形態の半導体装置100を含む無線通信装置200の断面構成の一例を示す図である。
実施形態の半導体装置100の断面構成の一例を示す図である。
半導体装置100のより具体的な断面構成の一例を示す図である。
半導体装置100の製造方法の一例を説明する図である。
半導体装置100の製造方法の一例を説明する図である。
半導体装置100の製造方法の一例を説明する図である。
半導体装置100の製造方法の一例を説明する図である。
比較用の半導体装置10の断面構成の一例を示す図である。
実施形態の半導体装置100の断面構成の一例を示す図である。
実験結果の一例を示す図である。
実施形態の変形例の半導体装置100Aの断面構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示の半導体装置、無線通信装置、及び、半導体装置の製造方法を適用した実施形態について説明する。以下では、同一の要素に同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。
【0010】
以下では、XYZ座標系を定義して説明する。X軸に平行な方向(X方向)、Y軸に平行な方向(Y方向)、Z軸に平行な方向(Z方向)は、互いに直交する。X方向は第1軸方向の一例であり、Y方向は第2軸方向の一例であり、Z方向は第3軸方向の一例である。また、平面視とはXY面視することをいう。
(【0011】以降は省略されています)

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