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公開番号2025018133
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-06
出願番号2023121597
出願日2023-07-26
発明の名称誘電体および積層電子部品
出願人TDK株式会社
代理人前田・鈴木国際特許弁理士法人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20250130BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】クラックや欠けが生じにくい誘電体、および、当該誘電体を含む積層電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体粒子と、偏析と、ポアと、を含む。断面において、偏析とポアとが接している特殊組合せを有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
誘電体粒子と、偏析と、ポアと、を含み、
断面において、前記偏析と前記ポアとが接している特殊組合せを有する誘電体。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
前記特殊組合せの前記ポアの径が、前記特殊組合せの前記偏析の径よりも小さい請求項１に記載の誘電体。
【請求項３】
前記偏析の平均径を前記ポアの平均径で割った値が１．００より大きく６．００以下である請求項１または２に記載の誘電体。
【請求項４】
前記誘電体の断面における前記特殊組合せの個数割合が２．０×１０
4
個／ｍｍ
2
以上、５．０×１０
6
個／ｍｍ
2
以下である請求項１または２に記載の誘電体。
【請求項５】
前記偏析の線膨張係数が前記誘電体粒子の線膨張係数よりも小さい請求項１または２に記載の誘電体。
【請求項６】
Ｏ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｔｉ以外で、前記偏析に原子数基準で最も多く含まれる元素がＳｉである請求項１または２に記載の誘電体。
【請求項７】
前記誘電体粒子の粒径が０．１０μｍ以上３．００μｍ以下である請求項１または２に記載の誘電体。
【請求項８】
前記誘電体粒子が組成式［（Ｃａ
x
Ｓｒ
1-x
）Ｏ］
n
［（Ｔｉ
y
Ｚｒ
1-y
）Ｏ
2
］で表される成分を含む請求項１または２に記載の誘電体。
【請求項９】
前記誘電体粒子がチタン酸バリウムを含む請求項１または２に記載の誘電体。
【請求項１０】
請求項１または２に記載の誘電体を含む積層電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体および積層電子部品に関する。
続きを表示（約 740 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、積層セラミックコンデンサに関する発明が記載されている。そして、Ｓｉを含有した焼結助剤成分が導体形成領域に形成された空隙に偏析されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開第２００４－２７３９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、クラックや欠けが生じにくい誘電体、および、当該誘電体を含む積層電子部品を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明に係る誘電体は、
誘電体粒子と、偏析と、ポアと、を含み、
断面において、前記偏析と前記ポアとが接している特殊組合せを有する。
【０００６】
前記特殊組合せの前記ポアの径が、前記特殊組合せの前記偏析の径よりも小さくてもよい。
【０００７】
前記偏析の平均径を前記ポアの平均径で割った値が１．００より大きく６．００以下であってもよい。
【０００８】
前記誘電体の断面における前記特殊組合せの個数割合が２．０×１０
4
個／ｍｍ
2
以上、５．０×１０
6
個／ｍｍ
2
以下であってもよい。
【０００９】
前記偏析の線膨張係数が前記誘電体粒子の線膨張係数よりも小さくてもよい。
【００１０】
Ｏ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｔｉ以外で、前記偏析に原子数基準で最も多く含まれる元素がＳｉであってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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