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公開番号2025016761
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-04
出願番号2024195376,2023002629
出願日2024-11-07,2017-05-11
発明の名称高周波部品及びその製造方法
出願人大日本印刷株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01G 4/33 20060101AFI20250128BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】改善された耐電圧特性を有する高周波部品を提供する。
【解決手段】高周波部品10は、キャパシタ15を備える。キャパシタは、第1面第1導電層311と、第1面第1導電層上に位置する第1面第1絶縁層312と、第1面第1絶縁層上に位置する第1面第2導電層321と、を有する。第1面第1絶縁層は、少なくとも6MV/cm以上、より好ましくは8MV/cm以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含む。第1面第1絶縁層312の無機材料としては、SiNなどの珪素窒化物を用いることができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１面第１導電層と、
前記第１面第１導電層上に位置する第１面第１絶縁層と、
前記第１面第１絶縁層上に位置する第１面第２導電層と、を備え、
前記第１面第２導電層に重なる前記第１面第１絶縁層は、前記第１面第１導電層及び前記第１面第２導電層とともにキャパシタを構成し、
前記第１面第１絶縁層は、６ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含み、前記第１面第１絶縁層は、前記第１面第１導電層の上面に位置する第１部分と、前記第１部分に接続され、前記第１面第１導電層の側面に位置する第２部分と、を含み、
前記第２部分の厚みは、前記第１部分の厚みよりも小さく、且つ前記第１部分の厚みの１／４以上である、高周波部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、キャパシタを備える高周波部品及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体メモリに代表される集積回路が高速化、高集積化するにつれて、集積回路の周辺に使用される受動部品についても同様に小型化、広帯域化が求められている。例えば、コンデンサが、電源電圧の変動を抑えるためのバイパスコンデンサとして使用される場合、電源電圧に重畳する高周波のノイズを除去するため、コンデンサが広帯域であることが求められる。例えば特許文献１は、第１導電層と、第１導電層上に設けられた高誘電率薄膜と、高誘電率薄膜上に設けられた第２導電層と、を備える薄膜コンデンサを提案している。薄膜コンデンサにおいては、高い誘電率を有する高誘電率薄膜を用いることにより、小型で大容量のコンデンサを実現することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平６－８９８３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の薄膜コンデンサは、半導体プロセスの場合と同様に、主にシリコンの上に形成されていた。シリコンは、一定の導電性を有しており、このため、従来の薄膜コンデンサの耐電圧を高めることは容易ではない。
【０００５】
本開示の実施形態は、このような点を考慮してなされたものであり、改善された耐電圧特性を有する高周波部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態は、第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する第１面第２導電層と、前記第１面第１絶縁層上及び前記第１面第２導電層上に位置する第１面第２絶縁層と、を備え、前記第１面第２導電層に重なる前記第１面第１絶縁層は、前記第１面第１導電層及び前記第１面第２導電層とともにキャパシタを構成し、前記第１面第１絶縁層は、６ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含み、前記第１面第２絶縁層は、前記第１面第２導電層に重ならない前記第１面第１絶縁層の上に位置し、前記第１面第２絶縁層は、有機材料を含み、前記第１面第１絶縁層は、前記第１面第１導電層の上面に位置する第１部分と、前記第１部分に接続され、前記第１面第１導電層の側面に位置する第２部分と、を含み、前記第２部分の厚みは、前記第１部分の厚みよりも小さく、且つ前記第１部分の厚みの１／４以上である、高周波部品である。
【０００７】
本開示の一実施形態は、第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する第１面第２導電層と、前記第１面第１絶縁層上及び前記第１面第２導電層上に位置する第１面第２絶縁層と、を備え、前記第１面第２導電層に重なる前記第１面第１絶縁層は、前記第１面第１導電層及び前記第１面第２導電層とともにキャパシタを構成し、前記第１面第１絶縁層は、６ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を有する無機材料を含み、前記第１面第２絶縁層は、前記第１面第２導電層に重ならない前記第１面第１絶縁層の上に位置し、前記第１面第２絶縁層は、有機材料を含み、前記第１面第１絶縁層は、前記第１面第１導電層の上面に位置する第１部分と、前記第１部分に接続され、前記第１面第１導電層の側面に位置する第２部分と、を含み、
前記第１面第１導電層の側面は、厚み方向において前記上面から離れるにつれて内側に変位する形状を有する傾斜部を含み、前記傾斜部は、少なくとも部分的に前記第１面第１絶縁層から露出している、高周波部品である。
【０００８】
本開示の一実施形態による高周波部品において、前記第１面第１絶縁層の前記無機材料の漏れ電流は、好ましくは１×１０
-１２
Ａ以下である。
【０００９】
本開示の一実施形態による高周波部品において、前記第１面第１絶縁層の前記無機材料は、珪素窒化物を含んでいてもよい。
【００１０】
本開示の一実施形態による高周波部品において、前記第１面第１絶縁層の厚みは、５０ｎｍ以上且つ４００ｎｍ以下であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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