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公開番号
2025009968
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-01-20
出願番号
2024102829
出願日
2024-06-26
発明の名称
光電変換装置及び該光電変換装置を有する光電変換システム
出願人
キヤノン株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
H04N
25/773 20230101AFI20250109BHJP(電気通信技術)
要約
【課題】 光電変換装置の感度調整を行い、入射光子数を適切にカウントすることで画質劣化を低減する
【解決手段】 アバランシェ増倍によって光子検出信号を発生させる光電変換部と、前記光電変換部から出力される光子検出信号をカウントするカウンタ回路と、1フレームに含まれる第1の期間と、前記1フレームに含まれ、前記第1の期間以降で前記第1の期間と重複しない第2の期間と、を有し、前記第1の期間に1つの前記光子検出信号に基づいてカウンタ回路でカウントされる値は、前記第2の期間に1つの前記光子検出信号に基づいてカウンタ回路でカウントされる値よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。
【選択図】 図7
特許請求の範囲
【請求項1】
アバランシェ増倍によって光子検出信号を発生させる光電変換部と、
前記光電変換部から出力される光子検出信号をカウントするカウンタ回路と、
1フレームに含まれる第1の期間と、
前記1フレームに含まれ、前記第1の期間以降で前記第1の期間と重複しない第2の期間と、を有し、
前記第1の期間に1つの前記光子検出信号に基づいてカウンタ回路でカウントされる値は、
前記第2の期間に1つの前記光子検出信号に基づいてカウンタ回路でカウントされる値よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。
続きを表示(約 740 文字)
【請求項2】
前記光電変換部が前記第1の期間に光子検出信号を出力した場合には前記カウンタ回路に自然数Nを加算し、
前記光電変換部が前記第2の期間に光子検出信号を出力した場合には前記カウンタ回路に自然数Mを加算し、
前記自然数Nは前記自然数Mより大きいことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
【請求項3】
前記自然数Mは1であることを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
【請求項4】
前記第1の期間と前記第2の期間とは時間的に接することを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
【請求項5】
前記光電変換部をリチャージして待機状態にするクロック信号が入力されることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
【請求項6】
前記クロック信号の入力の後に前記第1の期間と前記第2の期間とを迎えることを特徴とする請求項5に記載の光電変換装置。
【請求項7】
前記第1の期間の長さは前記第2の期間の長さよりも短いことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
【請求項8】
前記光電変換部が第3の期間に光子検出信号を出力した場合には前記カウンタ回路に自然数Lを加算し、
前記自然数Lは前記自然数Mより小さいことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
【請求項9】
前のリチャージ周期の光子検出結果に応じた値を加算することを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
【請求項10】
周囲画素の光子検出結果に応じた値を加算することを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、光電変換装置及び該光電変換装置を有する光電変換システムに関する。
続きを表示(約 2,100 文字)
【背景技術】
【0002】
アバランシェ(電子なだれ)増倍を利用し、単一光子レベルの微弱光を検出可能な光電変換装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2023-039400号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1に記載の発明では、カウント値と露光時間の情報から入射光量を算出し、画素毎に露光時間の制御を行っている。このような構成では、LEDフリッカの発生による画質劣化の懸念がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一つの側面は、アバランシェ増倍によって光子検出信号を発生させる光電変換部と、前記光電変換部から出力される光子検出信号をカウントするカウンタ回路と、1フレームに含まれる第1の期間と、前記1フレームに含まれ、前記第1の期間以降で前記第1の期間と重複しない第2の期間と、を有し、前記第1の期間に1つの前記光子検出信号に基づいてカウンタ回路でカウントされる値は、前記第2の期間に1つの前記光子検出信号に基づいてカウンタ回路でカウントされる値よりも大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【0006】
本発明によれば、光電変換装置の感度調整を行い、入射光子数を適切にカウントすることで画質劣化を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
実施形態にかかる光電変換装置の概略図である。
実施形態にかかる光電変換装置のPD基板の概略図である。
実施形態にかかる光電変換装置の回路基板の概略図である。
実施形態にかかる光電変換装置の画素回路の構成例である。
実施形態にかかる光電変換装置の画素回路の駆動を示す模式図である。
本願発明の原理を説明する図である。
第1の実施形態に係る光電変換装置の画素のブロック図である。
第1の実施形態に係る光電変換装置の画素回路の構成例を示す図である。
第1の実施形態に係る光電変換装置のタイミングチャートである。
第2の実施形態に係る光電変換装置の画素回路の構成例を示す図である。
第2の実施形態に係る光電変換装置のタイミングチャートである。
第2の実施形態に係る光電変換装置のタイミングチャートである。
第3の実施形態に係る光電変換装置の画素回路の構成例を示す図である。
第3の実施形態に係る光電変換装置のタイミングチャートである。
第3の実施形態の変形例に係る光電変換装置の画素回路の構成例を示す図である。
第3の実施形態の変形例に係る光電変換装置のタイミングチャートである。
第4の実施形態の変形例に係る光電変換装置の画素回路の構成例を示す図である。
第4の実施形態の変形例に係る光電変換装置のタイミングチャートである。
第5の実施形態の変形例に係る光電変換装置の画素回路の構成例を示す図である。
第5の実施形態の変形例に係る光電変換装置のタイミングチャートである。
第6の実施形態にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
第7の実施形態にかかる模式図である。
第8の実施形態にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
第9の実施形態にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
第10の実施形態にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
第11の実施形態にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
第12の実施形態にかかる光電変換システムの機能ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を限定するものではない。各図面が示す部材の大きさや位置関係は、説明を明確にするために誇張していることがある。以下の説明において、同一の構成については同一の番号を付して説明を省略することがある。
【0009】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語(例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及び、それらの用語を含む別の用語)を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した実施形態の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。
【0010】
本明細書において、平面視とは、半導体層の光入射面に対して垂直な方向から視ることである。また、断面視とは、半導体層の光入射面と垂直な方向における面をいう。なお、微視的に見て半導体層の光入射面が粗面である場合は、巨視的に見たときの半導体層の光入射面を基準として平面視を定義する。
(【0011】以降は省略されています)
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