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公開番号2025002990
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-01-09
出願番号2023103409
出願日2023-06-23
発明の名称負荷駆動装置、照明装置、及び車両
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人佐野特許事務所
主分類H05B 45/345 20200101AFI20241226BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】負荷電流の立上り遅延及びオーバーシュートを制御する。
【解決手段】負荷駆動装置(3A)は、負荷(2)に直列に接続されるように構成された第1トランジスタ(M1)と、第1トランジスタを流れる電流を検出するように構成された第1電流検出部(R1)と、第2トランジスタ(M2)と、電流源(CS2)と、第2トランジスタを流れる電流と電流源から出力される電流との合計電流を検出するように構成された第2電流検出部(R2)と、参照電圧と電流検出結果との誤差に応じた電圧を出力するように構成されたエラーアンプ(AMP1)と、電流検出結果を第1電流検出部の出力とし、エラーアンプの出力電圧を第1トランジスタの制御端子に供給するか、電流検出結果を第2電流検出部の出力とし、エラーアンプの出力電圧を第2トランジスタの制御端子に供給するかを選択するように構成された選択部(SW1a～SW2b)と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
負荷に直列に接続されるように構成された第１トランジスタと、
前記第１トランジスタを流れる電流を検出するように構成された第１電流検出部と、
第２トランジスタと、
電流源と、
前記第２トランジスタを流れる電流と前記電流源から出力される電流との合計電流を検出するように構成された第２電流検出部と、
参照電圧と電流検出結果との誤差に応じた電圧を出力するように構成されたエラーアンプと、
前記電流検出結果を前記第１電流検出部の出力とし、前記エラーアンプの出力電圧を前記第１トランジスタの制御端子に供給するか、前記電流検出結果を前記第２電流検出部の出力とし、前記エラーアンプの出力電圧を前記第２トランジスタの制御端子に供給するかを選択するように構成された選択部と、
を備える、負荷駆動装置。
続きを表示（約 570 文字）【請求項２】
前記電流源は、前記参照電圧に応じて変化する電流を出力するように構成されている、請求項１に記載の負荷駆動装置。
【請求項３】
前記第２電流検出部が前記合計電流を検出するか前記第２トランジスタを流れる電流を検出するかの切り替えが可能である、請求項１に記載の負荷駆動装置。
【請求項４】
前記電流源は、イネーブル状態とディセーブル状態との切り替えが可能である、請求項３に記載の負荷駆動装置。
【請求項５】
前記電流源と第２電流検出部との間の電気的接続と電気的遮断とを切り替えるように構成されたスイッチを備える、請求項３に記載の負荷駆動装置。
【請求項６】
前記選択部は、パルス変調信号に基づく選択を行うように構成されている、請求項１に記載の負荷駆動装置。
【請求項７】
前記第２電流検出部の抵抗値は、前記第１電流検出部の抵抗値より大きい、請求項１に記載の負荷駆動装置。
【請求項８】
請求項１～７のいずれか一項に記載の負荷駆動装置と、
発光素子である前記負荷と、
を備える、照明装置。
【請求項９】
請求項１～７のいずれか一項に記載の負荷駆動装置と、
前記負荷と、
を備える、車両。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書中に開示されている発明は、負荷駆動装置、照明装置、及び車両に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子をＰＷＭ（Pulse Width Modulation）調光して駆動する発光素子駆動装置が種々開発されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１で開示されている発光素子駆動装置は、入力されるＰＷＭ信号の第１レベルとなる期間を延長した延長後ＰＷＭ信号を生成し、延長後ＰＷＭ信号に基づき発光素子をＰＷＭ調光して駆動する。特許文献１で開示されている発光素子駆動装置は、低い調光率すなわち入力されるＰＷＭ信号の第１レベルとなる期間が短い場合でも発光素子を適切に駆動することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１７－７３４９２号公報
【０００５】
［概要］
しかしながら、特許文献１で開示されている発光素子駆動装置は、入力されるＰＷＭ信号が第２レベルから第１レベルに切り替えるときに負荷電流（発光素子を流れる電流）の立上りが遅延することを根本的に解決するものではない。
【０００６】
本明細書中に開示されている負荷駆動装置は、負荷に直列に接続されるように構成された第１トランジスタと、前記第１トランジスタを流れる電流を検出するように構成された第１電流検出部と、第２トランジスタと、電流源と、前記第２トランジスタを流れる電流と前記電流源から出力される電流との合計電流を検出するように構成された第２電流検出部と、参照電圧と電流検出結果との誤差に応じた電圧を出力するように構成されたエラーアンプと、前記電流検出結果を前記第１電流検出部の出力とし、前記エラーアンプの出力電圧を前記第１トランジスタの制御端子に供給するか、前記電流検出結果を前記第２電流検出部の出力とし、前記エラーアンプの出力電圧を前記第２トランジスタの制御端子に供給するかを選択するように構成された選択部と、を備える。
【０００７】
本明細書中に開示されている照明装置は、上記構成の負荷駆動装置と、発光素子である前記負荷と、を備える。
【０００８】
本明細書中に開示されている車両は、上記構成の負荷駆動装置と、前記負荷と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、第１実施形態に係る照明装置の概略構成を示す図である。
図２は、ＬＥＤドライバＩＣの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図３は、ＬＥＤ電流の設定値が大きい場合におけるＬＥＤドライバＩＣの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図４は、ＬＥＤ電流の設定値が小さい場合におけるＬＥＤドライバＩＣの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図５は、第２実施形態に係る照明装置の概略構成を示す図である。
図６は、第３実施形態に係る照明装置の概略構成を示す図である。
図７は、第４実施形態に係る照明装置の概略構成を示す図である。
図８は、車両の外観図である。
【００１０】
［詳細な説明］
本明細書において、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）とは、ゲートの構造が、「導電体または抵抗値が小さいポリシリコン等の半導体からなる層」、「絶縁層」、及び「Ｐ型、Ｎ型、又は真性の半導体層」の少なくとも３層からなる電界効果トランジスタをいう。つまり、ＭＯＳＦＥＴのゲートの構造は、金属、酸化物、及び半導体の３層構造に限定されない。
（【００１１】以降は省略されています）

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