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公開番号2024136770
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-04
出願番号2023048006
出願日2023-03-24
発明の名称検出装置
出願人株式会社ジャパンディスプレイ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H10K 39/32 20230101AFI20240927BHJP()
要約【課題】検出精度を向上させることが可能な検出装置を提供する。
【解決手段】検出装置は、基板と、基板の上に、第1下部電極及び第2下部電極、下部バッファ層、活性層、上部バッファ層、上部電極の順に積層された複数の光センサと、を有し、第1下部電極は、複数の光センサごとに離隔して配置され、第2下部電極は、複数の第1下部電極のそれぞれを囲んで設けられ、下部バッファ層、活性層、上部バッファ層及び上部電極は、複数の第1下部電極及び複数の第2下部電極を覆って、複数の光センサに亘って連続して設けられる。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板の上に、第１下部電極及び第２下部電極、下部バッファ層、活性層、上部バッファ層、上部電極の順に積層された複数の光センサと、を有し、
前記第１下部電極は、複数の前記光センサごとに離隔して配置され、
前記第２下部電極は、複数の前記第１下部電極のそれぞれを囲んで設けられ、
前記下部バッファ層、前記活性層、前記上部バッファ層及び前記上部電極は、複数の前記第１下部電極及び複数の前記第２下部電極を覆って、複数の前記光センサに亘って連続して設けられる
検出装置。
続きを表示（約 980 文字）【請求項２】
複数の光センサは、前記基板にマトリクス状に配置され、
前記光センサの前記第１下部電極に接続された第１トランジスタと、
前記第１トランジスタに接続されたゲート線及び信号線と、を有する
請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記第１トランジスタ及び前記信号線を介して前記光センサの前記第１下部電極と接続される検出回路を有し、
前記上部電極には共通電位が印加される
請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記第１下部電極と前記第２下部電極との間の接続と非接続とを切り替える第２トランジスタを有する
請求項１に記載の検出装置。
【請求項５】
前記第２下部電極に所定電位を供給する電位供給配線と、
前記第２下部電極と前記電位供給配線との間の、接続と非接続とを切り替える第３トランジスタを有する
請求項４に記載の検出装置。
【請求項６】
前記光センサは、前記第２トランジスタがオフ、かつ、前記第３トランジスタがオンとなる第１検出モードを有し、
前記第１検出モードで、前記第１下部電極と前記第２下部電極とは前記第２トランジスタにより非接続となり、前記第２下部電極と前記電位供給配線とは前記第３トランジスタを介して接続される
請求項５に記載の検出装置。
【請求項７】
前記光センサは、前記第２トランジスタがオン、かつ、前記第３トランジスタがオフとなる第２検出モードを有し、
前記第２検出モードで、前記第１下部電極と前記第２下部電極とは前記第２トランジスタを介して接続され、前記第２下部電極と前記電位供給配線とは前記第３トランジスタにより非接続となる
請求項５に記載の検出装置。
【請求項８】
前記光センサは、
前記第２トランジスタがオフ、かつ、前記第３トランジスタがオンとなる第１検出モードと、
前記第２トランジスタがオン、かつ、前記第３トランジスタがオフとなる第２検出モードと、を有し、
前記第１検出モードと前記第２検出モードとの切り替えは、外部スイッチからの入力に基づいて行われる
請求項５に記載の検出装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
指紋パターンや静脈パターンを検出可能な光センサが知られている（例えば、特許文献１）。このような光センサは、活性層として有機半導体材料が用いられた複数のフォトダイオード（ＯＰＤ：ＯｒｇａｎｉｃＰｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）を有する。特許文献２に記載されるように、フォトダイオードは、例えば、下部電極、電子輸送層、活性層、正孔輸送層、上部電極の順に積層される。
【０００３】
特許文献３には、撮像素子として、入射光を光電変換する有機感光層を備え、高解像度画像撮像領域と低解像度画像撮像領域の少なくとも２領域を備えるＸ線撮像装置について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００９－３２００５号公報
国際公開第２０２０／１８８９５９号
特開２００７－９７６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようなＯＰＤを有する光センサは、検出精度の向上が要求されている。
【０００６】
本発明は、検出精度を向上させることが可能な検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の検出装置は、基板と、前記基板の上に、第１下部電極及び第２下部電極、下部バッファ層、活性層、上部バッファ層、上部電極の順に積層された複数の光センサと、を有し、前記第１下部電極は、複数の前記光センサごとに離隔して配置され、前記第２下部電極は、複数の前記第１下部電極のそれぞれを囲んで設けられ、前記下部バッファ層、前記活性層、前記上部バッファ層及び前記上部電極は、複数の前記第１下部電極及び複数の前記第２下部電極を覆って、複数の前記光センサに亘って連続して設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、実施形態に係る検出装置を模式的に示す平面図である。
図２は、実施形態に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。
図３は、実施形態に係る検出装置を示す回路図である。
図４は、センサ部が有する複数の光センサを示す平面図である。
図５は、図４のＶ－Ｖ’断面図である。
図６は、光センサの第１検出モードを説明するための説明図である。
図７は、光センサの第２検出モードを説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
（【００１１】以降は省略されています）

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