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公開番号2024130583
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-30
出願番号2023040408
出願日2023-03-15
発明の名称水精製装置及びウエーハの製造方法
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類C02F 9/00 20230101AFI20240920BHJP(水,廃水,下水または汚泥の処理)
要約【課題】超音波を効率よく伝播できる水を供給する水精製装置を提供する。
【解決手段】内部を流れる水を精製する水精製装置であって、該水を濾過して固体粒子を除去するための濾過フィルタと、該濾過フィルタよりも下流に設けられ、かつ、該水に紫外線を照射して殺菌するための殺菌ユニットと、該殺菌ユニットよりも下流に設けられ、かつ、該水に含まれる不純物イオンとイオン交換して不純物を除去するためのイオン交換フィルタと、該水を脱気するための脱気ユニットと、該脱気ユニットよりも下流に設けられ、かつ、該水の溶存酸素濃度を測定するための測定ユニットと、を備える水精製装置を提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
内部を流れる水を精製する水精製装置であって、
該水を濾過して固体粒子を除去するための濾過フィルタと、
該濾過フィルタよりも下流に設けられ、かつ、該水に紫外線を照射して殺菌するための殺菌ユニットと、
該殺菌ユニットよりも下流に設けられ、かつ、該水に含まれる不純物イオンとイオン交換して不純物を除去するためのイオン交換フィルタと、
該水を脱気するための脱気ユニットと、
該脱気ユニットよりも下流に設けられ、かつ、該水の溶存酸素濃度を測定するための測定ユニットと、
を備える水精製装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
該測定ユニットは、該水を透過した深紫外線の強度を参照して該溶存酸素濃度を測定する請求項１に記載の水精製装置。
【請求項３】
該脱気ユニットは、該濾過フィルタよりも下流かつ該殺菌ユニットよりも上流に設けられ、
該測定ユニットは、該イオン交換フィルタよりも上流に設けられ、
該殺菌ユニットと該測定ユニットとは、深紫外線照射部を共有する請求項２に記載の水精製装置。
【請求項４】
該脱気ユニットの動作条件を調整するためのコントローラをさらに備え、
該コントローラは、該測定ユニットによって測定された該溶存酸素濃度が所定の値超である場合に該溶存酸素濃度が小さくなるように該動作条件を調整する請求項１に記載の水精製装置。
【請求項５】
該測定ユニットを通過した該水を順水路に流入させる順状態又は該脱気ユニットに戻すための逆水路に流入させる逆状態のいずれかの状態となるバルブと、
該バルブの状態を調整するためのコントローラと、をさらに備え、
該コントローラは、該測定ユニットによって測定された該溶存酸素濃度が所定の値超である場合に該バルブを該逆状態とし、該測定ユニットによって測定された該溶存酸素濃度が該所定の値以下である場合に該バルブを該順状態とする請求項１に記載の水精製装置。
【請求項６】
該脱気ユニット及び該測定ユニットは、該濾過フィルタよりも下流かつ該殺菌ユニットよりも上流、該殺菌ユニットよりも下流かつ該イオン交換フィルタよりも上流、又は、該イオン交換フィルタよりも下流に設けられている請求項１に記載の水精製装置。
【請求項７】
該脱気ユニットは、
該水を貯めることが可能なチャンバと、
該チャンバの内部空間を減圧するための減圧部と、
該チャンバに流入した該水に超音波を付与するための超音波発振部と、を含む請求項１に記載の水精製装置。
【請求項８】
該超音波発振部は、０．１ＭＨｚ～１．０ＭＨｚの超音波を発振し、
該減圧部は、該チャンバの該内部空間を０．２気圧以下に減圧する請求項７に記載の水精製装置。
【請求項９】
該脱気ユニットは、該溶存酸素濃度が２．０ｍｇ／Ｌ以下になるように該水を脱気する請求項１に記載の水精製装置。
【請求項１０】
該濾過フィルタ及び該脱気ユニットよりも上流に設けられ、かつ、該水を利用して処理を行う水利用装置の排水口に接続可能な第１配管と、
該イオン交換フィルタ及び該測定ユニットよりも下流に設けられ、かつ、該水利用装置の給水口に接続可能な第２配管と、をさらに備える請求項１に記載の水精製装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部を流れる水を精製する水精製装置とインゴットからウエーハを製造するウエーハの製造方法とに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスのチップは、一般的に、円盤状のウエーハを用いて製造される。このウエーハは、例えば、ワイヤーソーを用いて円柱状の半導体インゴットから切り出された後、表面が研磨されて鏡面に仕上げられることによって製造される。
【０００３】
具体的には、インゴットからワイヤーソーを用いてウエーハを切り出すと、その表面には微細な凹凸が形成され、また、ウエーハが全体的に湾曲する（ウエーハに反りが生じる）。そのため、このように切り出されたウエーハは、凹凸を除去して平坦化するために表面が研磨されることが多い。
【０００４】
ただし、ウエーハを研磨すると、ウエーハの一部が研磨屑となって廃棄され、ウエーハが薄くなる。この点を踏まえて、ウエーハは、一般的に、半導体デバイスの製造に用いられるウエーハより厚くなるようにインゴットから切り出される。
【０００５】
半導体デバイスのチップの製造に用いられるインゴットは高価である。そのため、研磨を必要とする方法によってウエーハを生成すると、このウエーハを用いて製造される半導体デバイスのチップの製造コストも高くなりやすい。
【０００６】
さらに、パワーデバイス用の材料等として期待されている単結晶ＳｉＣ（炭化シリコン）は硬度が高い。そのため、ワイヤーソーを用いて単結晶ＳｉＣからなるインゴットからウエーハを切り出す場合、その所要時間が長くなりやすく、また、ワイヤーソーが摩耗しやすい。
【０００７】
その結果、単結晶ＳｉＣからなるウエーハの製造コストは高くなりやすい。この点に鑑み、ワイヤーソーを用いることなく、レーザービームを利用してインゴットからウエーハを製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
具体的には、この方法においては、インゴットを透過する波長のレーザービームの集光点をインゴットの内部に位置づけながらレーザービームをインゴットに照射する。これにより、インゴットの内部に改質部と改質部から伸展するクラックとを含む脆化層が形成される。そして、この脆化層においてインゴットを劈開させることによってウエーハが製造される。
【０００９】
さらに、脆化層においてインゴットを劈開させる方法として、超音波を利用する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。具体的には、この方法においては、インゴットの端面に水が供給された状態で水を介してインゴットに超音波を伝播させる。これにより、クラックがさらに伸展して脆化層においてインゴットが劈開する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
特開２０１６－１１１１４３号公報
特開２０１６－１４６４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
（【００１１】以降は省略されています）

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