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公開番号2024120450
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-05
出願番号2023027256
出願日2023-02-24
発明の名称半導体装置及び半導体装置の製造方法
出願人三菱電機株式会社
代理人弁理士法人深見特許事務所
主分類H01L 29/739 20060101AFI20240829BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】層間絶縁膜上に配置されている電極の腐食を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本開示の半導体装置(100,100A,100B,100C,100D)は、半導体基板(10)と、TEOS膜(31)と、電極(52,53,53,54)とを備える。半導体基板は、第1主面(10a)と、第1主面の反対面である第2主面(10b)とを有する。半導体基板は、第2主面の法線方向に沿って第2主面を見た際に、活性領域(11)と、活性領域を取り囲んでいる終端領域(12)とを有する。TEOS膜は、活性領域にある第2主面の部分上に配置されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板と、
ＴＥＯＳ膜と、
電極とを備え、
前記半導体基板は、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面とを有し、
前記半導体基板は、前記第２主面の法線方向に沿って前記第２主面を見た際に、活性領域と、前記活性領域を取り囲んでいる終端領域とを有し、
前記ＴＥＯＳ膜は、前記活性領域にある前記第２主面の部分上に配置されている、半導体装置。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
前記第２主面と前記ＴＥＯＳ膜との間に介在されている熱酸化膜をさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記熱酸化膜中に配置されている導体部をさらに備え、
前記導体部は、電気的にフローティングになっている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電極を覆うように前記ＴＥＯＳ膜上に配置されている半絶縁膜をさらに備える、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半絶縁膜の厚さは、１．２μｍ以上である、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記電極上に配置されている前記半絶縁膜の部分上に配置されている有機絶縁膜をさらに備える、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電極と前記半絶縁膜との間に介在されている緩衝膜をさらに備え、
前記緩衝膜の硬さは、前記半絶縁膜の硬さよりも低い、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
第１主面及び前記第１主面の反対面である第２主面を有する半導体基板を準備する工程を備え、
前記半導体基板は、前記第２主面の法線方向に沿って前記第２主面を見た際に、活性領域と、前記活性領域を取り囲んでいる終端領域とを有し、
前記活性領域にある前記第２主面の部分上にＴＥＯＳ膜を形成する工程と、
前記ＴＥＯＳ膜上に電極を形成する工程とをさらに備え、
前記電極は、前記半導体基板を４００℃以上に加熱した状態で前記電極の構成材料をスパッタリングすることにより形成される、半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特開２０１８－１１７０１６号公報（特許文献１）に記載の半導体装置は、半導体基板と、層間絶縁膜と、金属電極とを有している。半導体基板は、第１主面と、第１主面の反対面である第２主面とを有している。層間絶縁膜は、第２主面上に配置されている。層間絶縁膜の構成材料は、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）である。金属電極は、層間絶縁膜上に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－１１７０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の半導体装置は、層間絶縁膜の構成材料がリンや硼素を含むＢＰＳＧであるため、層間絶縁膜の吸湿性が高く、層間絶縁膜が水分を含みやすい。その結果、特許文献１に記載の半導体装置では、層間絶縁膜上に配置されている金属電極が水分により腐食されてしまうことがある。
【０００５】
本開示は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本開示は、層間絶縁膜上に配置されている電極の腐食を抑制可能な半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の半導体装置は、半導体基板と、ＴＥＯＳ膜と、電極とを備えている。半導体基板は、第１主面と、第１主面の反対面である第２主面とを有する。半導体基板は、第２主面の法線方向に沿って第２主面を見た際に、活性領域と、活性領域を取り囲んでいる終端領域とを有する。ＴＥＯＳ膜は、活性領域にある第２主面の部分上に配置されている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の半導体装置によると、層間絶縁膜上に配置されている電極の腐食を抑制可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
半導体装置１００の断面図である。
半導体装置１００の製造工程図である。
イオン注入工程Ｓ２を説明する断面図である。
トレンチ形成工程Ｓ３を説明する断面図である。
ゲート絶縁膜形成工程Ｓ４を説明する断面図である。
ゲート形成工程Ｓ５を説明する断面図である。
層間絶縁膜形成工程Ｓ６を説明する断面図である。
コンタクトホール形成工程Ｓ７を説明する断面図である。
第１電極形成工程Ｓ８を説明する断面図である。
半絶縁膜形成工程Ｓ９を説明する断面図である。
半導体装置１００Ａの断面図である。
半導体装置１００Ｂの断面図である。
半導体装置１００Ｃの断面図である。
半導体装置１００Ｄの断面図である。
半導体装置１００Ｄにおける厚さＴが８００ｎｍである場合の電界分布のシミュレーション結果である。
半導体装置１００Ｄにおける厚さＴが１２００ｎｍである場合の電界分布のシミュレーション結果である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示の実施形態の詳細を、図面を参照しながら説明する。以下の図面では、同一又は相当する部分に同一の参照符号を付し、重複する説明は繰り返さないものとする。
【００１０】
実施の形態１．
実施の形態１に係る半導体装置を説明する。実施の形態１に係る半導体装置を、半導体装置１００とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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