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公開番号2024069048
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-21
出願番号2022179824
出願日2022-11-09
発明の名称弾性波デバイス
出願人三安ジャパンテクノロジー株式会社
代理人個人
主分類H03H 9/25 20060101AFI20240514BHJP(基本電子回路)
要約【課題】弾性波デバイスの放熱性を合理的に向上させる。
【解決手段】パッケージ基板2と、パッケージ基板2の一面2aに機能面3aを向き合わせて実装されたデバイスチップ3と、パッケージ基板2の一面2aとの間でデバイスチップ3を封止する封止樹脂層5とを備える。封止樹脂層5には、熱伝導率の高いフィラーが含まれている。パッケージ基板2の一面側には凹所10が形成されていると共に、封止樹脂層5は凹所10内に入り込んだ状態でパッケージ基板2と接合されており、凹所10内においてパッケージ基板2の内部配線2fとなる導体と封止樹脂層5とを接触させるようにしてなる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板の一面にＩＤＴ電極を含む機能素子を有する機能面を向き合わせて前記パッケージ基板に実装されたデバイスチップと、
前記パッケージ基板の前記一面との間で前記デバイスチップを封止する封止樹脂層とを備えてなり、
前記封止樹脂層には、熱伝導率の高いフィラーが含まれており、
前記パッケージ基板の前記一面側には凹所が形成されていると共に、前記封止樹脂層は前記凹所内に入り込んだ状態で前記パッケージ基板と接合されており、
前記凹所内において前記パッケージ基板の内部配線となる導体と前記封止樹脂層とを接触させるようにしてなる、弾性波デバイス。
続きを表示（約 370 文字）【請求項２】
前記封止樹脂層に７０ないし９０ｗｔ％の範囲で前記フィラーを含ませてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記凹所を、前記パッケージ基板の一面における前記デバイスチップの前記機能面に向き合う領域の外側となる領域に形成された穴状部により構成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記凹所を、前記パッケージ基板の一面における前記デバイスチップの前記機能面に向き合う領域の外側となる領域に形成させた溝状部により構成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記溝状部を、前記パッケージ基板の一面における前記デバイスチップの前記機能面に向き合う領域を取り巻く周回状に形成させてなる、請求項４に記載の弾性波デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用される弾性波デバイスとして、パッケージ基板にバンプを介してデバイスチップを実装させてなるものがある（図８参照）。
【０００３】
図８中、符号１００はパッケージ基板、符号１０１はデバイスチップ、符号１０２はバンプである。デバイスチップ１０１とパッケージ基板１００との間には前記バンプ１０２の厚さ分の隙間が形成される。パッケージ基板１００の一面側には封止樹脂層１０３が前記隙間を気密封止するように形成されており、これにより弾性波デバイスは中空構造部１０４（内部空間ないしエアキャビティ）を備えている。デバイスチップ１０１は前記中空構造部１０４に臨んだ領域にＩＤＴ電極を含む共振器１０５などの機能素子を有している。
【０００４】
ここで、弾性波デバイスにおいては少なからず挿入損失により熱が生じるが、デバイスチップを構成する圧電体は熱伝導率が低く放熱性が悪い。圧電体として利用されるタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムの熱伝導率は約４から６Ｗ／ｍＫ程度である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種の弾性波デバイスの放熱性を合理的に向上させる点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を達成するために、この発明にあっては、弾性波デバイスを、パッケージ基板と、
前記パッケージ基板の一面にＩＤＴ電極を含む機能素子を有する機能面を向き合わせて前記パッケージ基板に実装されたデバイスチップと、
前記パッケージ基板の前記一面との間で前記デバイスチップを封止する封止樹脂層とを備えてなり、
前記封止樹脂層には、熱伝導率の高いフィラーが含まれており、
前記パッケージ基板の前記一面側には凹所が形成されていると共に、前記封止樹脂層は前記凹所内に入り込んだ状態で前記パッケージ基板と接合されており、
前記凹所内において前記パッケージ基板の内部配線となる導体と前記封止樹脂層とを接触させるようにしてなる、ものとした。
【０００７】
前記封止樹脂層に７０ないし９０ｗｔ％の範囲で前記フィラーを含ませるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００８】
また、前記凹所を、前記パッケージ基板の一面における前記デバイスチップの前記機能面に向き合う領域の外側となる領域に形成された穴状部により構成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【０００９】
また、前記凹所を、前記パッケージ基板の一面における前記デバイスチップの前記機能面に向き合う領域の外側となる領域に形成させた溝状部により構成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。この場合さらに、前記溝状部を、前記パッケージ基板の一面における前記デバイスチップの前記機能面に向き合う領域を取り巻く周回状に形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。
【発明の効果】
【００１０】
この発明にかかる弾性波デバイスにあっては、前記凹所によって、前記封止樹脂層を介してデバイスチップとパッケージ基板の内部配線となる導体とが接続されている。前記封止樹脂層には熱伝導率の高いフィラーが含まれていることから、デバイスチップから生じる熱は封止樹脂層を通じてパッケージ基板の内部配線に効率的に伝達される。これにより、デバイスチップの放熱性を合理的に向上させた弾性波デバイスが得られる。
（【００１１】以降は省略されています）

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