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公開番号2023170110
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-12-01
出願番号2022081594
出願日2022-05-18
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 33/62 20100101AFI20231124BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】実装強度を向上し且つ小型化を図るのに適した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】基板1、基板1に形成された配線部2と、半導体発光素子4と、を備え、基板1は、第1方向一方側x1を向く第1側面13と、第1方向他方側x2を向く第2側面14と、第2方向一方側y1を向く第3側面15と、第1側面13および第3側面15の間に形成された第1凹溝171と、を含む。第1側面13は、第1凹溝171に接する第1端縁131を有し、第2側面14は、第2方向一方側y1に位置する第2端縁141を有し、第3側面15は、第1凹溝171に接する第3端縁151と、第1方向他方側x2に位置する第4端縁152と、を有する。配線部2は、第1凹溝171に形成された第1溝配線251を含み、第1端縁131と第3端縁151との距離(第1距離D1)は、第2端縁141と第4端縁152との距離(第2距離D2)よりも大である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
基板と、
前記基板に形成された配線部と、
半導体発光素子と、を備え、
前記基板は、厚さ方向の一方側を向く第1主面と、前記厚さ方向の他方側を向く第2主面と、前記厚さ方向と直交する第1方向の一方側を向く第1側面と、前記第1方向の他方側を向く第2側面と、前記厚さ方向および前記第1方向の双方に直交する第2方向の一方側を向く第3側面と、前記第1側面および前記第3側面の間に形成され、且つ前記第1側面および前記第3側面から凹む第1凹溝と、を含み、
前記第1側面は、前記第2方向の一方側に位置し、且つ前記第1凹溝に接する第1端縁を有し、
前記第2側面は、前記第2方向の一方側に位置する第2端縁を有し、
前記第3側面は、前記第1方向の一方側に位置し且つ前記第1凹溝に接する第3端縁と、前記第1方向の他方側に位置する第4端縁と、を有し、
前記半導体発光素子は、前記第1主面に支持されており、
前記配線部は、前記第1凹溝に形成された第1溝配線を含み、
前記第1端縁と前記第3端縁との距離である第1距離は、前記第2端縁と前記第4端縁との距離である第2距離よりも大である、半導体発光装置。
続きを表示(約 1,100 文字)【請求項2】
前記第1凹溝において、前記第1側面から前記第1方向の他方側への深さ寸法である第1寸法は、前記第3側面から前記第2方向の他方側への深さ寸法である第2寸法よりも大である、請求項1に記載の半導体発光装置。
【請求項3】
前記基板は、前記第2側面および前記第3側面の間に形成され、且つ前記第2側面および前記第3側面から凹む第2凹溝を含み、
前記第2端縁および前記第4端縁の各々は、前記第2凹溝に接する、請求項2に記載の半導体発光装置。
【請求項4】
前記第1寸法は、前記第2凹溝において前記第2側面から前記第1方向の一方側への深さ寸法である第3寸法よりも大である、請求項3に記載の半導体発光装置。
【請求項5】
前記第2端縁と前記第4端縁とが一致している、請求項1または2に記載の半導体発光装置。
【請求項6】
前記基板は、前記第2方向の他方側を向く第4側面と、前記第1側面および前記第4側面の間に形成され、且つ前記第1側面および前記第4側面から凹む第3凹溝と、を含み、
前記第1側面は、前記第2方向の他方側に位置し、且つ前記第3凹溝に接する第5端縁を有し、
前記第2側面は、前記第2方向の他方側に位置する第6端縁を有し、
前記第4側面は、前記第1方向の一方側に位置し且つ前記第3凹溝に接する第7端縁と、前記第1方向の他方側に位置する第8端縁と、を有し、
前記配線部は、前記第3凹溝に形成された第3溝配線を含み、
前記第5端縁と前記第7端縁との距離である第3距離は、前記第6端縁と前記第8端縁との距離である第4距離よりも大である、請求項1に記載の半導体発光装置。
【請求項7】
前記第3凹溝において、前記第1側面から前記第1方向の他方側への深さ寸法である第4寸法は、前記第4側面から前記第2方向の一方側への深さ寸法である第5寸法よりも大である、請求項6に記載の半導体発光装置。
【請求項8】
前記基板は、前記第2側面および前記第4側面の間に形成され、且つ前記第2側面および前記第4側面から凹む第4凹溝を含み、
前記第6端縁および前記第8端縁の各々は、前記第4凹溝に接する、請求項7に記載の半導体発光装置。
【請求項9】
前記第4寸法は、前記第4凹溝において前記第2側面から前記第1方向の一方側への深さ寸法である第6寸法よりも大である、請求項8に記載の半導体発光装置。
【請求項10】
前記第6端縁と前記第8端縁とが一致している、請求項6または7に記載の半導体発光装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体発光装置に関する。
続きを表示(約 2,500 文字)【背景技術】
【0002】
半導体発光装置は、電子機器等の光源デバイスとして広く用いられている。特許文献1には、従来の半導体発光装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体発光装置は、基板、LEDチップ(半導体発光素子)および樹脂パッケージ(封止樹脂)を備える。基板は、表面、裏面、および4つの側面を有する。表面は、基板の厚さ方向の一方側を向く。裏面は、基板の厚さ方向の一方側を向く。4つの側面は、基板の厚さ方向に見て概略矩形状をなす。基板には、1対の電極が設けられており、これら電極は、LEDチップへの導通経路をなしている。LEDチップは、基板の表面上に搭載されている。樹脂パッケージは、LEDチップを覆っており、LEDチップからの光を透過する。
【0003】
特許文献1に記載された半導体発光装置において、基板の4隅には、厚さ方向に延びる凹溝が形成されている。これら凹溝の各々の厚さ方向に垂直な断面形状は、概略四半円形状である。各凹溝にはめっき層等からなる凹溝配線が形成されており、各凹溝配線は、一対の電極のいずれかに導通している。上記構成の半導体発光装置の使用時においては、実装基板に実装される。上記の半導体発光装置は、実装基板の表面と平行な方向に光を出射する、いわゆるサイドビュー型の光源として用いることができる。この場合、半導体発光装置は、基板の側面が実装基板と対向する姿勢で当該実装基板に実装される。サイドビュー型の光源として用いられる半導体発光装置は、凹溝に形成された凹溝配線と、実装基板とが、はんだなどの接合部を介して接合される。
【0004】
上記半導体発光装置などの製品は、昨今、より一層の小型化が求められている。上記半導体発光装置において製品サイズの小型化を図ると、基板の4隅の凹溝の寸法が小さくなる。その結果、上記従来の半導体発光装置をサイドビュー型の光源として用いる場合、実装基板に対して十分な接合部を形成することができず、実装基板への実装強度が低下することが懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2013-225690号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、実装強度を向上し且つ小型化を図るのに適した半導体発光装置を提供することを主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示によって提供される半導体発光装置は、基板と、前記基板に形成された配線部と、半導体発光素子と、を備え、前記基板は、厚さ方向の一方側を向く第1主面と、前記厚さ方向の他方側を向く第2主面と、前記厚さ方向と直交する第1方向の一方側を向く第1側面と、前記第1方向の他方側を向く第2側面と、前記厚さ方向および前記第1方向の双方に直交する第2方向の一方側を向く第3側面と、前記第1側面および前記第3側面の間に形成され、且つ前記第1側面および前記第3側面から凹む第1凹溝と、を含み、前記第1側面は、前記第2方向の一方側に位置し、且つ前記第1凹溝に接する第1端縁を有し、前記第2側面は、前記第2方向の一方側に位置する第2端縁を有し、前記第3側面は、前記第1方向の一方側に位置し且つ前記第1凹溝に接する第3端縁と、前記第1方向の他方側に位置する第4端縁と、を有し、前記半導体発光素子は、前記第1主面に支持されており、前記配線部は、前記第1凹溝に形成された第1溝配線を含み、前記第1端縁と前記第3端縁との距離である第1距離は、前記第2端縁と前記第4端縁との距離である第2距離よりも大である。
【発明の効果】
【0008】
本開示の半導体発光装置によれば、実装強度を高めるとともに、小型化を図ることができる。
【0009】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0010】
図1は、本開示の第1実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
図2は、本開示の第1実施形態に係る半導体発光装置を示す正面図である。
図3は、本開示の第1実施形態に係る半導体発光装置を示す左側面図である。
図4は、本開示の第1実施形態に係る半導体発光装置を示す底面図である。
図5は、図1のV-V線に沿う断面図である。
図6は、図1のVI-VI線に沿う断面図である。
図7は、図1のVII-VII線に沿う断面図である。
図8は、本開示の第1実施形態に係る半導体発光装置の製造過程の一例を示す平面図である。
図9は、本開示の第1実施形態に係る半導体発光装置の実装状態の一例を示す正面図である。
図10は、本開示の第2実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
図11は、本開示の第2実施形態に係る半導体発光装置を示す正面図である。
図12は、本開示の第2実施形態に係る半導体発光装置を示す左側面図である。
図13は、本開示の第2実施形態に係る半導体発光装置の製造過程の一例を示す平面図である。
図14は、本開示の第2実施形態に係る半導体発光装置の実装状態の一例を示す正面図である。
図15は、本開示の第3実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
図16は、本開示の第3実施形態に係る半導体発光装置を示す正面図である。
図17は、本開示の第3実施形態に係る半導体発光装置を示す左側面図である。
図18は、本開示の第3実施形態に係る半導体発光装置の製造過程の一例を示す平面図である。
図19は、本開示の第3実施形態に係る半導体発光装置の実装状態の一例を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
(【0011】以降は省略されています)

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