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公開番号2023170110
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-12-01
出願番号2022081594
出願日2022-05-18
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 33/62 20100101AFI20231124BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】実装強度を向上し且つ小型化を図るのに適した半導体発光装置を提供する。
【解決手段】基板1、基板1に形成された配線部2と、半導体発光素子4と、を備え、基板1は、第1方向一方側x1を向く第1側面13と、第1方向他方側x2を向く第2側面14と、第2方向一方側y1を向く第3側面15と、第1側面13および第3側面15の間に形成された第1凹溝171と、を含む。第1側面13は、第1凹溝171に接する第1端縁131を有し、第2側面14は、第2方向一方側y1に位置する第2端縁141を有し、第3側面15は、第1凹溝171に接する第3端縁151と、第1方向他方側x2に位置する第4端縁152と、を有する。配線部2は、第1凹溝171に形成された第1溝配線251を含み、第1端縁131と第3端縁151との距離(第1距離D1)は、第2端縁141と第4端縁152との距離(第2距離D2)よりも大である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板に形成された配線部と、
半導体発光素子と、を備え、
前記基板は、厚さ方向の一方側を向く第１主面と、前記厚さ方向の他方側を向く第２主面と、前記厚さ方向と直交する第１方向の一方側を向く第１側面と、前記第１方向の他方側を向く第２側面と、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向の一方側を向く第３側面と、前記第１側面および前記第３側面の間に形成され、且つ前記第１側面および前記第３側面から凹む第１凹溝と、を含み、
前記第１側面は、前記第２方向の一方側に位置し、且つ前記第１凹溝に接する第１端縁を有し、
前記第２側面は、前記第２方向の一方側に位置する第２端縁を有し、
前記第３側面は、前記第１方向の一方側に位置し且つ前記第１凹溝に接する第３端縁と、前記第１方向の他方側に位置する第４端縁と、を有し、
前記半導体発光素子は、前記第１主面に支持されており、
前記配線部は、前記第１凹溝に形成された第１溝配線を含み、
前記第１端縁と前記第３端縁との距離である第１距離は、前記第２端縁と前記第４端縁との距離である第２距離よりも大である、半導体発光装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１凹溝において、前記第１側面から前記第１方向の他方側への深さ寸法である第１寸法は、前記第３側面から前記第２方向の他方側への深さ寸法である第２寸法よりも大である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記基板は、前記第２側面および前記第３側面の間に形成され、且つ前記第２側面および前記第３側面から凹む第２凹溝を含み、
前記第２端縁および前記第４端縁の各々は、前記第２凹溝に接する、請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１寸法は、前記第２凹溝において前記第２側面から前記第１方向の一方側への深さ寸法である第３寸法よりも大である、請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第２端縁と前記第４端縁とが一致している、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記基板は、前記第２方向の他方側を向く第４側面と、前記第１側面および前記第４側面の間に形成され、且つ前記第１側面および前記第４側面から凹む第３凹溝と、を含み、
前記第１側面は、前記第２方向の他方側に位置し、且つ前記第３凹溝に接する第５端縁を有し、
前記第２側面は、前記第２方向の他方側に位置する第６端縁を有し、
前記第４側面は、前記第１方向の一方側に位置し且つ前記第３凹溝に接する第７端縁と、前記第１方向の他方側に位置する第８端縁と、を有し、
前記配線部は、前記第３凹溝に形成された第３溝配線を含み、
前記第５端縁と前記第７端縁との距離である第３距離は、前記第６端縁と前記第８端縁との距離である第４距離よりも大である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記第３凹溝において、前記第１側面から前記第１方向の他方側への深さ寸法である第４寸法は、前記第４側面から前記第２方向の一方側への深さ寸法である第５寸法よりも大である、請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記基板は、前記第２側面および前記第４側面の間に形成され、且つ前記第２側面および前記第４側面から凹む第４凹溝を含み、
前記第６端縁および前記第８端縁の各々は、前記第４凹溝に接する、請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記第４寸法は、前記第４凹溝において前記第２側面から前記第１方向の一方側への深さ寸法である第６寸法よりも大である、請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記第６端縁と前記第８端縁とが一致している、請求項６または７に記載の半導体発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置は、電子機器等の光源デバイスとして広く用いられている。特許文献１には、従来の半導体発光装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体発光装置は、基板、ＬＥＤチップ（半導体発光素子）および樹脂パッケージ（封止樹脂）を備える。基板は、表面、裏面、および４つの側面を有する。表面は、基板の厚さ方向の一方側を向く。裏面は、基板の厚さ方向の一方側を向く。４つの側面は、基板の厚さ方向に見て概略矩形状をなす。基板には、１対の電極が設けられており、これら電極は、ＬＥＤチップへの導通経路をなしている。ＬＥＤチップは、基板の表面上に搭載されている。樹脂パッケージは、ＬＥＤチップを覆っており、ＬＥＤチップからの光を透過する。
【０００３】
特許文献１に記載された半導体発光装置において、基板の４隅には、厚さ方向に延びる凹溝が形成されている。これら凹溝の各々の厚さ方向に垂直な断面形状は、概略四半円形状である。各凹溝にはめっき層等からなる凹溝配線が形成されており、各凹溝配線は、一対の電極のいずれかに導通している。上記構成の半導体発光装置の使用時においては、実装基板に実装される。上記の半導体発光装置は、実装基板の表面と平行な方向に光を出射する、いわゆるサイドビュー型の光源として用いることができる。この場合、半導体発光装置は、基板の側面が実装基板と対向する姿勢で当該実装基板に実装される。サイドビュー型の光源として用いられる半導体発光装置は、凹溝に形成された凹溝配線と、実装基板とが、はんだなどの接合部を介して接合される。
【０００４】
上記半導体発光装置などの製品は、昨今、より一層の小型化が求められている。上記半導体発光装置において製品サイズの小型化を図ると、基板の４隅の凹溝の寸法が小さくなる。その結果、上記従来の半導体発光装置をサイドビュー型の光源として用いる場合、実装基板に対して十分な接合部を形成することができず、実装基板への実装強度が低下することが懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１３－２２５６９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、実装強度を向上し且つ小型化を図るのに適した半導体発光装置を提供することを主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示によって提供される半導体発光装置は、基板と、前記基板に形成された配線部と、半導体発光素子と、を備え、前記基板は、厚さ方向の一方側を向く第１主面と、前記厚さ方向の他方側を向く第２主面と、前記厚さ方向と直交する第１方向の一方側を向く第１側面と、前記第１方向の他方側を向く第２側面と、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に直交する第２方向の一方側を向く第３側面と、前記第１側面および前記第３側面の間に形成され、且つ前記第１側面および前記第３側面から凹む第１凹溝と、を含み、前記第１側面は、前記第２方向の一方側に位置し、且つ前記第１凹溝に接する第１端縁を有し、前記第２側面は、前記第２方向の一方側に位置する第２端縁を有し、前記第３側面は、前記第１方向の一方側に位置し且つ前記第１凹溝に接する第３端縁と、前記第１方向の他方側に位置する第４端縁と、を有し、前記半導体発光素子は、前記第１主面に支持されており、前記配線部は、前記第１凹溝に形成された第１溝配線を含み、前記第１端縁と前記第３端縁との距離である第１距離は、前記第２端縁と前記第４端縁との距離である第２距離よりも大である。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の半導体発光装置によれば、実装強度を高めるとともに、小型化を図ることができる。
【０００９】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
図２は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す正面図である。
図３は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す左側面図である。
図４は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す底面図である。
図５は、図１のＶ－Ｖ線に沿う断面図である。
図６は、図１のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
図７は、図１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。
図８は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の製造過程の一例を示す平面図である。
図９は、本開示の第１実施形態に係る半導体発光装置の実装状態の一例を示す正面図である。
図１０は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
図１１は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す正面図である。
図１２は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す左側面図である。
図１３は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置の製造過程の一例を示す平面図である。
図１４は、本開示の第２実施形態に係る半導体発光装置の実装状態の一例を示す正面図である。
図１５は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
図１６は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す正面図である。
図１７は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す左側面図である。
図１８は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置の製造過程の一例を示す平面図である。
図１９は、本開示の第３実施形態に係る半導体発光装置の実装状態の一例を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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