特許ウォッチ

公開番号2025164047
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-30
出願番号2024067771
出願日2024-04-18
発明の名称シリコン基板研磨用研磨液
出願人花王株式会社
代理人弁理士法人池内アンドパートナーズ
主分類H01L 21/304 20060101AFI20251023BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】一態様において、研磨速度の向上と研磨後の基板の表面粗さ(ヘイズ)低減とを両立でき、更に研磨時のシリコン基板の腐食を抑制できるシリコン基板研磨用研磨液を提供する。
【解決手段】本開示は、一態様において、下記成分A、下記成分B、下記成分C、及び、水系媒体を含有する、シリコン基板研磨用研磨液に関する。
成分A:シリカ粒子
成分B:スチレンに由来する構成単位b1と、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸及びそれらの塩から選ばれる少なくとも1種に由来する構成単位b2とを含むアニオン性水溶性高分子
成分C:塩基性窒素含有基を有するカチオン性水溶性高分子
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記成分Ａ、下記成分Ｂ、下記成分Ｃ、及び、水系媒体を含有する、シリコン基板研磨用研磨液。
成分Ａ：シリカ粒子
成分Ｂ：スチレンに由来する構成単位ｂ１と、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸及びそれらの塩から選ばれる少なくとも１種に由来する構成単位ｂ２とを含むアニオン性水溶性高分子
成分Ｃ：塩基性窒素含有基を有するカチオン性水溶性高分子
続きを表示（約 590 文字）【請求項２】
研磨液のｐＨが８．５超１４以下である、請求項１に記載のシリコン基板研磨用研磨液。
【請求項３】
成分Ｂの全構成単位中の構成単位ｂ１の含有量は、２０モル％以上である、請求項１に記載のシリコン基板研磨用研磨液。
【請求項４】
成分Ｃは、アリルアミン及びジアリルアミンから選ばれる１種以上に由来する構成単位を含むものである請求項１に記載のシリコン基板研磨用研磨液。
【請求項５】
前記アリルアミンに由来する構成単位が、該アリルアミン由来の構成単位が含有するアミノ基の窒素原子のβ位、γ位及びδ位から選択される一つ以上の位置に酸素原子を有する構成単位を有するものを含むものである、請求項４に記載のシリコン基板研磨用研磨液。
【請求項６】
ゼータ電位が－３５ｍＶ以上－５ｍＶ以下である請求項１に記載のシリコン基板研磨用研磨液。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のシリコン基板研磨用研磨液を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程を含む、シリコン基板の研磨方法。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載のシリコン基板研磨用研磨液を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程と、
研磨されたシリコン基板を洗浄する工程と、を含む、半導体基板の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、シリコン基板研磨用研磨液、並びにこれを用いた研磨方法、半導体基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体メモリの高記録容量化に対する要求の高まりから半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため半導体装置の製造過程で行われるフォトリソグラフィーにおいて焦点深度は浅くなり、シリコン基板（ベアウェーハ）の表面粗さ（ヘイズ）の低減に対する要求はますます厳しくなっている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、研磨速度の向上とシリコン基板の表面粗さ（ヘイズ）低減と濃縮物の保存安定性とを達成できるシリコン基板用研磨液組成物として、シリカ粒子と、ｐＫａが５以上８．５以下のアミノ基含有水溶性高分子、ノニオン性水溶性高分子を含み、ｐＨが８．５超１４以下のシリコン基板用研磨液組成物が開示されている。
また、特許文献２には、酸化珪素膜を含む被研磨面を研磨することを目的として、砥粒と、水溶性ポリマーと、水とを含み、前記水溶性ポリマーが、不飽和ジカルボン酸、その誘導体及びそれらの塩から選ばれる少なくとも１種の単量体（Ａ）とエチレン性二重結合を含み、酸性基を含まない単量体（Ｂ）との共重合体である、研磨剤が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２２－６３２３３号公報
国際公開第２０２３／１４５５７２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、研磨速度の向上とともに、研磨後の基板の表面粗さ（ヘイズ）の低減が可能な研磨液が更に求められている。
【０００６】
本開示は、研磨速度の向上と研磨後の基板の表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立でき、更に研磨時のシリコン基板の腐食抑制を図ることができるシリコン基板研磨用研磨液、及びこれを用いたシリコン基板の研磨方法並びに半導体基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、一態様において、下記成分Ａ、下記成分Ｂ、下記成分Ｃ、及び、水系媒体を含有する、シリコン基板研磨用研磨液に関する。
成分Ａ：シリカ粒子
成分Ｂ：スチレンに由来する構成単位ｂ１と、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸及びそれらの塩から選ばれる少なくとも１種に由来する構成単位ｂ２とを含むアニオン性水溶性高分子
成分Ｃ：塩基性窒素含有基を有するカチオン性水溶性高分子
【０００８】
本開示は、一態様において、本開示のシリコン基板研磨用研磨液を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程を含む、シリコン基板の研磨方法に関する。
【０００９】
本開示は、一態様において、本開示のシリコン基板研磨用研磨液を用いて被研磨シリコン基板を研磨する工程と、研磨されたシリコン基板を洗浄する工程と、を含む、半導体基板の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、研磨速度の向上と研磨後の基板の表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立でき、更に研磨時のシリコン基板の腐食抑制を図ることができるシリコン基板研磨用研磨液、及び該シリコン基板研磨用該研磨液を用いたシリコン基板の研磨方法、並びに半導体基板の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許