TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
公開番号
2025143881
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-10-02
出願番号
2024043372
出願日
2024-03-19
発明の名称
ウエハ加工用テープ及びウエハ加工方法
出願人
デンカ株式会社
代理人
個人
,
個人
,
個人
,
個人
主分類
H01L
21/304 20060101AFI20250925BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】加工プロセスにおける水回りによる汚染や、テープ残渣に依る汚染が生じにくいウエハ加工用テープ及び当該ウエハ加工用テープを用いたウエハ加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】追従層と、該追従層に積層した離型層と、を有し、前記離型層の20℃における貯蔵弾性率G
20
が、1.0×10
7
~1.0×10
10
Paである、ウエハ加工用テープ。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
追従層と、該追従層に積層した離型層と、を有し、
前記離型層の23℃における貯蔵弾性率E
23
が、5.0×10
5
~2.3×10
8
Paである、
ウエハ加工用テープ。
続きを表示(約 660 文字)
【請求項2】
前記離型層の120℃における貯蔵弾性率E
120
が、2.0×10
5
~3.0×10
6
Paである、
請求項1に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項3】
前記離型層の120℃における貯蔵弾性率E
120
に対する、前記貯蔵弾性率E
23
の比(E
23
/E
120
)が、10~1000である、
請求項1に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項4】
前記離型層のtanδのピーク値が、0.9~1.3である、
請求項1に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項5】
前記離型層の厚さが、0.5~10μmである、
請求項1に記載のウエハ加工用テープ。
【請求項6】
ウエハの素子形成面に、請求項1~6のいずれか一項に記載のウエハ加工用テープを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記ウエハ加工用テープに貼り合わされた前記ウエハの非素子形成面を研磨するバックグラインド工程と、を有する、
ウエハ加工方法。
【請求項7】
前記ウエハをダイシングするダイシング工程をさらに有する、
請求項6に記載のウエハ加工方法。
【請求項8】
前記バックグラインド工程後に、前記ウエハ加工用テープを剥離する剥離工程を有する、
請求項6に記載のウエハ加工方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、ウエハ加工用テープ及びウエハ加工方法に関する。
続きを表示(約 2,100 文字)
【背景技術】
【0002】
半導体ウエハを加工する際、破損から保護するため、粘着シートが貼着される。例えば、半導体ウエハを加工する際の裏面研削(バックグラインド)工程では、粘着シートを貼着して、半導体ウエハのパターン面を保護している。粘着シートには、突起電極(バンプ)のような凹凸を有するパターン面に対する粘着性、パターン面保護の信頼性の観点から、パターン面の凹凸に対する追従性(段差追従性)が求められる。
【0003】
粘着シートに追従性を持たせるために、粘着剤厚の厚化や基材フィルムと粘着剤の間にクッション性のある柔軟な樹脂層を設けたものが市場では一般的であるが、パターン面の凹凸が大きい場合は追従性不足や糊残りのリスクが高まる。
【0004】
また、半導体ウエハ加工工程でのステージへの基材の密着性を高めることを目的として、130℃で10分加熱後のMDとTDにおける熱収縮率が共に0%以上であるができる半導体ウエハの加工用粘着シートに用いられる基材が知られている(特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
WO2023/068088
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところで、既存のウエハ加工用テープでは粘着剤によりウエハを固定することが一般に行われているが、剥離時に糊残りが問題となる。この点、完全に粘着剤レスのウエハ加工用テープがあれば、テープの残渣に由来する汚染を気にすることなく、ウエハの縁ギリギリまでウエハ全面に半導体素子を形成することが可能となる。そして、これによりウエハ1枚当たりの半導体素子の取れ高が増加することも見込まれる。
【0007】
しかしながら一方で、粘着剤層を設けずにウエハ加工用テープの表面に位置する離型層だけで十分な密着性を確保するのは容易ではない。密着性が劣れば加工プロセスにおいて使用する液体成分がウエハの半導体素子面とウエハ加工用テープの間に染み込み汚染が生じ、かえって歩留まりが低下する。なお、このような加工プロセスにおける液体成分の染み込みによる汚染を「水回りによる汚染」ともいう。
【0008】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、加工プロセスにおける水回りによる汚染や、テープ残渣に依る汚染が生じにくいウエハ加工用テープ及び当該ウエハ加工用テープを用いたウエハ加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した。その結果、追従層に積層した離型層が所定の貯蔵弾性率を有することにより、粘着剤層を設けずに密着性が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。
【0010】
すなわち、本発明は、以下のとおりである。
〔1〕
追従層と、該追従層に積層した離型層と、を有し、
前記離型層の23℃における貯蔵弾性率E
23
が、5.0×10
5
~2.3×10
8
Paである、
ウエハ加工用テープ。
〔2〕
前記離型層の120℃における貯蔵弾性率E
120
が、2.0×10
5
~3.0×10
6
Paである、
〔1〕に記載のウエハ加工用テープ。
〔3〕
前記離型層の120℃における貯蔵弾性率E
120
に対する、前記貯蔵弾性率E
23
の比(E
23
/E
120
)が、1.0×10~1.0×10
3
である、
〔1〕又は〔2〕に記載のウエハ加工用テープ。
〔4〕
前記離型層のtanδのピーク値が、0.9~1.3である、
〔1〕~〔3〕のいずれか一項に記載のウエハ加工用テープ。
〔5〕うぇ
前記離型層の厚さが、0.5~10μmである、
〔1〕~〔4〕のいずれか一項に記載のウエハ加工用テープ。
〔6〕
ウエハの素子形成面に、〔1〕~〔5〕のいずれか一項に記載のウエハ加工用テープを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記ウエハ加工用テープに貼り合わされた前記ウエハの非素子形成面を研磨するバックグラインド工程と、を有する、
ウエハ加工方法。
〔7〕
前記ウエハをダイシングするダイシング工程をさらに有する、
〔6〕に記載のウエハ加工方法。
〔8〕
前記バックグラインド工程後に、前記ウエハ加工用テープを剥離する剥離工程を有する、
〔7〕又は〔8〕に記載のウエハ加工方法。
【発明の効果】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
関連特許
個人
安全なNAS電池
1か月前
個人
フリー型プラグ安全カバー
1か月前
東レ株式会社
多孔質炭素シート
28日前
日本発條株式会社
積層体
9日前
個人
防雪防塵カバー
9日前
ローム株式会社
半導体装置
7日前
エイブリック株式会社
半導体装置
1か月前
エイブリック株式会社
半導体装置
1か月前
ローム株式会社
半導体装置
5日前
ローム株式会社
半導体装置
7日前
キヤノン株式会社
電子機器
28日前
ローム株式会社
半導体装置
7日前
ローム株式会社
半導体装置
28日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
9日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
1か月前
沖電気工業株式会社
アンテナ
1か月前
株式会社ティラド
面接触型熱交換器
20日前
株式会社ホロン
冷陰極電子源
5日前
ニチコン株式会社
コンデンサ
21日前
ニチコン株式会社
コンデンサ
21日前
太陽誘電株式会社
全固体電池
5日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
5日前
個人
半導体パッケージ用ガラス基板
8日前
東レ株式会社
ガス拡散層の製造方法
28日前
オムロン株式会社
電磁継電器
1か月前
TDK株式会社
電子部品
5日前
トヨタ自動車株式会社
二次電池
9日前
日本特殊陶業株式会社
保持装置
1か月前
ローム株式会社
電子装置
9日前
日本特殊陶業株式会社
保持装置
7日前
マクセル株式会社
配列用マスク
20日前
日本特殊陶業株式会社
保持装置
9日前
日本特殊陶業株式会社
保持装置
5日前
株式会社ヨコオ
コネクタ
1か月前
日本特殊陶業株式会社
保持装置
5日前
日本特殊陶業株式会社
電極
5日前
続きを見る
他の特許を見る