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公開番号2025126351
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-28
出願番号2025111384,2023129319
出願日2025-07-01,2018-06-21
発明の名称センサモジュール
出願人ミネベアミツミ株式会社
代理人弁理士法人ITOH
主分類G01B 7/16 20060101AFI20250821BHJP(測定;試験)
要約【課題】センサモジュールのコスト上昇を抑制する。
【解決手段】本センサモジュールは、可撓性を有する樹脂製の基材、前記基材の一方の面に、直接金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層、及び前記機能層の一方の面に直接、Cr、CrN、及びCr₂Nを含む膜から形成された、α-Crを主成分とする抵抗体、を備えたひずみゲージと、前記ひずみゲージにひずみを伝達する起歪体と、を有し、前記機能層は、前記α-Crの結晶成長を促進させ、前記α-Crを主成分とする膜を成膜する機能を有し、前記抵抗体の厚さは、0.05μm以上2μm以下であり、前記機能層の厚さは、1nm以上100nm以下であり、前記ひずみゲージは、前記抵抗体を前記起歪体側に向けて前記起歪体に接着されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
可撓性を有する樹脂製の基材、前記基材の一方の面に、直接金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層、及び前記機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成された、α－Ｃｒを主成分とする抵抗体、を備えたひずみゲージと、
前記ひずみゲージにひずみを伝達する起歪体と、を有し、
前記機能層は、前記α－Ｃｒの結晶成長を促進させ、前記α－Ｃｒを主成分とする膜を成膜する機能を有し、
前記抵抗体の厚さは、０．０５μｍ以上２μｍ以下であり、
前記機能層の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
前記ひずみゲージは、前記抵抗体を前記起歪体側に向けて前記起歪体に接着されているセンサモジュール。
続きを表示（約 370 文字）【請求項２】
前記ひずみゲージは、前記抵抗体と電気的に接続された一対の電極を備え、
前記一対の電極の前記起歪体とは反対側の面の一部又は全部は、前記基材に設けられた開口部内に露出している請求項１に記載のセンサモジュール。
【請求項３】
前記ひずみゲージと前記起歪体とに挟持された接着層を有し、
前記接着層は、前記抵抗体を被覆している請求項１又は２に記載のセンサモジュール。
【請求項４】
前記接着層は、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、又は変性ウレタン樹脂から形成されている請求項３に記載のセンサモジュール。
【請求項５】
前記接着層の厚さは、０．１μｍ以上５０μｍ以下である請求項３又は４に記載のセンサモジュール。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサモジュールに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
測定対象物に貼り付けて、測定対象物のひずみを検出するひずみゲージが知られている。ひずみゲージは、ひずみを検出する抵抗体を備えており、抵抗体の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）やＮｉ（ニッケル）を含む材料が用いられている。又、抵抗体は、例えば、絶縁樹脂からなる基材上に形成され、保護フィルムにより被覆されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このひずみゲージは、例えば、基材側を接着層を介して起歪体に接着されてセンサモジュールとして用いることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１６－７４９３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のひずみゲージでは、抵抗体を湿気等から保護するために保護フィルムを設けているため、基材に抵抗体を成膜する工程に加え、抵抗体を保護フィルムで被覆する工程が必要になる。そのため、上記のひずみゲージをセンサモジュールに用いると、センサモジュール全体としてのコストが上昇するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、センサモジュールのコスト上昇を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本センサモジュールは、可撓性を有する樹脂製の基材、前記基材の一方の面に、直接金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層、及び前記機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成された、α－Ｃｒを主成分とする抵抗体、を備えたひずみゲージと、前記ひずみゲージにひずみを伝達する起歪体と、を有し、前記機能層は、前記α－Ｃｒの結晶成長を促進させ、前記α－Ｃｒを主成分とする膜を成膜する機能を有し、前記抵抗体の厚さは、０．０５μｍ以上２μｍ以下であり、前記機能層の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、前記ひずみゲージは、前記抵抗体を前記起歪体側に向けて前記起歪体に接着されている。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、センサモジュールのコスト上昇を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１の実施の形態に係るセンサモジュールを例示する平面図である。
第１の実施の形態に係るセンサモジュールを例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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