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公開番号2025128352
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-02
出願番号2025100963,2023090071
出願日2025-06-17,2017-11-15
発明の名称ひずみゲージ
出願人ミネベアミツミ株式会社
代理人弁理士法人ITOH
主分類G01B 7/16 20060101AFI20250826BHJP(測定;試験)
要約【課題】測定対象物の表面のひずみに加え表面以外のひずみも検出可能なひずみゲージを提供する。
【解決手段】可撓性を有する樹脂製の基材10と、基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体30と、を有し、抵抗体30は、基材の所定面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第1機能層と、第1抵抗部と、第2機能層と、第2抵抗部と、第3機能層と、第3抵抗部と、を含み、第1機能層、第2機能層、及び第3機能層は、α-Crの結晶成長を促進させ、α-Crを主成分とする膜を成膜する機能を有し、第1抵抗部、第2抵抗部、及び第3抵抗部の厚さは、0.05μm以上2μm以下であり、第1機能層、第2機能層、及び第3機能層の厚さは、1nm以上100nm以下である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
可撓性を有する樹脂製の基材と、
前記基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、を有し、
前記抵抗体は、
前記基材の所定面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第１機能層と、前記第１機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成された、α－Ｃｒを主成分とする第１抵抗部と、
前記基材の前記所定面又は前記所定面と平行な面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第２機能層と、前記第２機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成され、α－Ｃｒを主成分とし、かつグリッド方向を前記第１抵抗部とは異なる方向に向けて形成された第２抵抗部と、
前記基材の前記所定面と隣接する面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第３機能層と、前記第３機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成された、α－Ｃｒを主成分とする第３抵抗部と、を含み、
前記第１機能層、前記第２機能層、及び前記第３機能層は、前記α－Ｃｒの結晶成長を促進させ、前記α－Ｃｒを主成分とする膜を成膜する機能を有し、
前記第１抵抗部、前記第２抵抗部、及び前記第３抵抗部の厚さは、０．０５μｍ以上２μｍ以下であり、
前記第１機能層、前記第２機能層、及び前記第３機能層の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるひずみゲージ。
続きを表示（約 190 文字）【請求項２】
前記所定面と隣接する面が前記所定面となす角は鈍角である請求項１に記載のひずみゲージ。
【請求項３】
前記第１抵抗部と前記第２抵抗部と前記第３抵抗部は、グリッド方向が互いに直交するように配置されている請求項１に記載のひずみゲージ。
【請求項４】
前記抵抗体を被覆する絶縁樹脂層を有する請求項１乃至３の何れか一項に記載のひずみゲージ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ひずみゲージに関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
測定対象物に貼り付けて、測定対象物のひずみを検出するひずみゲージが知られている。ひずみゲージは、ひずみを検出する抵抗体を備えており、抵抗体の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）やＮｉ（ニッケル）を含む材料が用いられている。又、抵抗体は、例えば、絶縁樹脂からなる基材の一つの面に形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－７４９３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のひずみゲージでは測定対象物の表面のひずみしか検出できなかったが、表面以外のひずみ検出に対する要求もある。
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、測定対象物の表面のひずみに加え表面以外のひずみも検出可能なひずみゲージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本ひずみゲージは、可撓性を有する樹脂製の基材と、前記基材上に、クロムとニッケルの少なくとも一方を含む材料から形成された抵抗体と、を有し、前記抵抗体は、前記基材の所定面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第１機能層と、前記第１機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成された、α－Ｃｒを主成分とする第１抵抗部と、前記基材の前記所定面又は前記所定面と平行な面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第２機能層と、前記第２機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成され、α－Ｃｒを主成分とし、かつグリッド方向を前記第１抵抗部とは異なる方向に向けて形成された第２抵抗部と、前記基材の前記所定面と隣接する面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された第３機能層と、前記第３機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から形成された、α－Ｃｒを主成分とする第３抵抗部と、を含み、前記第１機能層、前記第２機能層、及び前記第３機能層は、前記α－Ｃｒの結晶成長を促進させ、前記α－Ｃｒを主成分とする膜を成膜する機能を有し、前記第１抵抗部、前記第２抵抗部、及び前記第３抵抗部の厚さは、０．０５μｍ以上２μｍ以下であり、前記第１機能層、前記第２機能層、及び前記第３機能層の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、測定対象物の表面のひずみに加え表面以外のひずみも検出可能なひずみゲージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する斜視図である。
第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図である。
第１の実施の形態の変形例１に係るひずみゲージを例示する斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１０】
〈第１の実施の形態〉
図１は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する斜視図である。図２は、第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図であり、図１のＡ－Ａ線に沿ってＹＺ平面に平行な方向に切断した断面を示している。図１及び図２を参照するに、ひずみゲージ１は、基材１０と、抵抗体３０（抵抗部３０ｘ、３０ｙ、及び３０ｚ）と、端子部４１（端子部４１ｘ、４１ｙ、及び４１ｚ）とを有している。
（【００１１】以降は省略されています）

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