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公開番号2025123546
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-22
出願番号2025107080,2023132343
出願日2025-06-25,2018-07-12
発明の名称ひずみゲージ、センサモジュール、軸受機構
出願人ミネベアミツミ株式会社
代理人弁理士法人ITOH
主分類G01B 7/00 20060101AFI20250815BHJP(測定;試験)
要約【課題】複数方向のひずみを精度よく検出することが可能なひずみゲージを提供する。
【解決手段】本ひずみゲージは、可撓性を有する樹脂製の基材と、前記基材の一方の面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層と、前記機能層の一方の面に直接、Cr、CrN、及びCr₂Nを含む膜から直線状に形成された、α-Crを主成分とする複数の抵抗部と、を有し、前記機能層は、前記α-Crの結晶成長を促進させ、前記α-Crを主成分とする膜を成膜する機能を有し、各々の前記抵抗部の厚さは、0.05μm以上2μm以下であり、前記機能層の厚さは、1nm以上100nm以下であり、各々の前記抵抗部が同一面上で交差して互いに導通している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
可撓性を有する樹脂製の基材と、
前記基材の一方の面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層と、
前記機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から直線状に形成された、α－Ｃｒを主成分とする複数の抵抗部と、を有し、
前記機能層は、前記α－Ｃｒの結晶成長を促進させ、前記α－Ｃｒを主成分とする膜を成膜する機能を有し、
各々の前記抵抗部の厚さは、０．０５μｍ以上２μｍ以下であり、
前記機能層の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
各々の前記抵抗部が同一面上で交差して互いに導通しているひずみゲージ。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
複数の前記抵抗部は、互いに直交する抵抗部を含む請求項１に記載のひずみゲージ。
【請求項３】
複数の前記抵抗部は、互いのなす角が４５度である抵抗部を含む請求項１又は２に記載のひずみゲージ。
【請求項４】
前記抵抗部の本数は、４本以上である請求項１乃至３の何れか一項に記載のひずみゲージ。
【請求項５】
各々の前記抵抗部の両端部に、一対の電極が形成されている請求項１乃至４の何れか一項に記載のひずみゲージ。
【請求項６】
各々の前記電極の形状は、平面視で円形である請求項５に記載のひずみゲージ。
【請求項７】
各々の前記電極は、各々の前記抵抗部が交差する点を中心とする円の周に沿って配置されている請求項５又は６に記載のひずみゲージ。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れか一項に記載のひずみゲージと、選択回路と、を有し、
前記選択回路は、
各々の前記抵抗部の一対の前記電極に接続された入力端子と、
前記入力端子に接続された各々の前記抵抗部の一対の前記電極の中から、何れか１つの前記抵抗部の一対の前記電極を選択して一対の出力端子に接続するスイッチと、を備えているセンサモジュール。
【請求項９】
前記選択回路は、前記基材の一方の側又は他方の側に実装されている請求項８に記載のセンサモジュール。
【請求項１０】
一対の前記出力端子が１辺に接続され、他の３辺が固定抵抗で構成されたブリッジ回路を有する請求項８又は９に記載のセンサモジュール。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ひずみゲージ、センサモジュール、軸受機構に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
測定対象物に貼り付けて、測定対象物のひずみを検出するひずみゲージが知られている。ひずみゲージは、ひずみを検出する抵抗体を備えており、抵抗体は、例えば、絶縁樹脂からなる基材上に形成されている。
【０００３】
複数のひずみゲージを互いのグリッド方向が交差するように積層し、複数方向のひずみを検出することも可能である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１６－３１３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、複数のひずみゲージを互いのグリッド方向が交差するように積層すると、積層時の位置ずれ等により測定誤差を生じていた。
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、複数方向のひずみを精度よく検出することが可能なひずみゲージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本ひずみゲージは、可撓性を有する樹脂製の基材と、前記基材の一方の面に直接、金属、合金、又は、金属の化合物から形成された機能層と、前記機能層の一方の面に直接、Ｃｒ、ＣｒＮ、及びＣｒ
２
Ｎを含む膜から直線状に形成された、α－Ｃｒを主成分とする複数の抵抗部と、を有し、前記機能層は、前記α－Ｃｒの結晶成長を促進させ、前記α－Ｃｒを主成分とする膜を成膜する機能を有し、各々の前記抵抗部の厚さは、０．０５μｍ以上２μｍ以下であり、前記機能層の厚さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、各々の前記抵抗部が同一面上で交差して互いに導通している。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、複数方向のひずみを精度よく検出することが可能なひずみゲージを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。
第１の実施の形態に係るひずみゲージを例示する断面図である。
第２の実施の形態に係るセンサモジュールを例示する模式図である。
第２の実施の形態に係るセンサモジュールの使用方法を例示する模式図である。
第３の実施の形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。
第４の実施の形態に係るセンサモジュールを例示する模式図である。
第５の実施の形態に係る軸受機構を例示する斜視図である。
第５の実施の形態に係る軸受機構を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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