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公開番号2025123062
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-22
出願番号2024018916
出願日2024-02-09
発明の名称樹脂組成物
出願人味の素株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類C08L 63/00 20060101AFI20250815BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】高温高周波での誘電正接が低く、かつ、スミア除去性に優れる絶縁層を形成できる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B-1)ブタジエン骨格を含有する活性エステル樹脂、及び、(B-2)ブタジエン骨格を含有しない活性エステル樹脂、を含む、樹脂組成物。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ－１）ブタジエン骨格を含有する活性エステル樹脂、及び、（Ｂ－２）ブタジエン骨格を含有しない活性エステル樹脂、を含む、樹脂組成物。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
（Ａ）エポキシ樹脂が、ナフタレン骨格を含有するエポキシ樹脂、及び、ビフェニル骨格を含有するエポキシ樹脂、からなる群より選ばれる１以上を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｂ－１）ブタジエン骨格を含有する活性エステル樹脂が、下記式（Ｂ１）で表される構造を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
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2025123062000019.tif
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（式（Ｂ１）において、Ｒ
ｂ
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、炭素原子数１～６のアルキル基を表し；＊は、結合部位を表す。）
【請求項４】
（Ｃ）無機充填材を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｃ）無機充填材の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、５０質量％以上である、請求項４に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｄ）ラジカル重合性樹脂を含む、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
（Ｄ）ラジカル重合性樹脂が、マレイミド樹脂を含む、請求項６に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を備え、
樹脂組成物層が、請求項１～７のいずれか一項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
【請求項９】
請求項１～７のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物。
【請求項１０】
請求項１～７のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物及びその硬化物、樹脂シート、回路基板及び半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
プリント配線板等の回路基板は、各種電子機器に広く使用されている。回路基板の製造方法としては、内層基板に絶縁層と導体層とを交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている。絶縁層は、例えば、樹脂組成物の硬化物によって形成される（特許文献１及び２）。具体例を挙げると、樹脂組成物を含む樹脂組成物層を形成し、その樹脂組成物層を硬化させることにより、樹脂組成物の硬化物を含む絶縁層が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１００６９７号公報
特開２０２３－０３７５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
第５世代移動通信システム（５Ｇ）などの高速通信では、高周波環境で作動させる際に伝送損失を抑制することが求められる。また、回路基板は半導体チップの発熱によって高温になることがある。そこで、本発明者は、高温高周波での誘電正接を低くできる絶縁層の開発を試みた。
【０００５】
ところが、このように低い誘電正接を有する樹脂組成物の硬化物は、スミア除去性に劣ることが判明した。具体的には、下記の通りである。一般に、硬化物によって絶縁層を形成した場合、その絶縁層には、ビアホール、スルーホール等のホールを形成することがある。このようにホールを形成した場合、当該ホールには「スミア」と呼ばれる樹脂残渣が形成されることがある。そこで、通常は、ホールの形成後にこのスミアを除去するデスミア処理を行う。ところが、低い誘電正接を有する硬化物によって絶縁層を形成した場合、デスミア処理によっても十分にスミアを除去できないことがありえた。
【０００６】
本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたものであって、高温高周波での誘電正接が低く、かつ、スミア除去性に優れる絶縁層を形成できる樹脂組成物；当該樹脂組成物を含む樹脂シート；当該樹脂組成物の硬化物；当該樹脂組成物の硬化物を含む回路基板；並びに、前記回路基板を含む半導体装置；を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ－１）ブタジエン骨格を含有する活性エステル樹脂、及び、（Ｂ－２）ブタジエン骨格を含有しない活性エステル樹脂、を含む樹脂組成物が前記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。
【０００８】
＜１＞（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ－１）ブタジエン骨格を含有する活性エステル樹脂、及び、（Ｂ－２）ブタジエン骨格を含有しない活性エステル樹脂、を含む、樹脂組成物。
＜２＞（Ａ）エポキシ樹脂が、ナフタレン骨格を含有するエポキシ樹脂、及び、ビフェニル骨格を含有するエポキシ樹脂、からなる群より選ばれる１以上を含む、＜１＞に記載の樹脂組成物。
＜３＞（Ｂ－１）ブタジエン骨格を含有する活性エステル樹脂が、下記式（Ｂ１）で表される構造を含む、＜１＞又は＜２＞に記載の樹脂組成物。
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（式（Ｂ１）において、Ｒ
ｂ
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、炭素原子数１～６のアルキル基を表し；＊は、結合部位を表す。）
＜４＞（Ｃ）無機充填材を含む、＜１＞～＜３＞のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
＜５＞（Ｃ）無機充填材の量が、樹脂組成物の不揮発成分１００質量％に対して、５０質量％以上である、＜４＞に記載の樹脂組成物。
＜６＞（Ｄ）ラジカル重合性樹脂を含む、＜１＞～＜５＞のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
＜７＞（Ｄ）ラジカル重合性樹脂が、マレイミド樹脂を含む、＜６＞に記載の樹脂組成物。
＜８＞支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層と、を備え、
樹脂組成物層が、＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む、樹脂シート。
＜９＞＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物。
＜１０＞＜１＞～＜７＞のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物を含む、回路基板。
＜１１＞＜１０＞に記載の回路基板を含む、半導体装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高温高周波での誘電正接が低く、かつ、スミア除去性に優れる絶縁層を形成できる樹脂組成物；当該樹脂組成物を含む樹脂シート；当該樹脂組成物の硬化物；当該樹脂組成物の硬化物を含む回路基板；並びに、前記回路基板を含む半導体装置；を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明について実施形態及び例示物を示して説明する。ただし、本発明は、下記に示す実施形態及び例示物に限定されるものではなく、特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において変更して実施してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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