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公開番号2025122755
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-22
出願番号2024018375
出願日2024-02-09
発明の名称半導体装置
出願人ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人個人
主分類G05F 3/24 20060101AFI20250815BHJP(制御;調整)
要約【課題】温度補償され、かつ、電源電圧補償された電流を生成する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、正の温度係数を持ち、かつ、第1の電源電圧に依存しない第1の電流を生成する第1の電流生成回路11と、負の温度係数を持ち、かつ、第1の電源電圧に依存しない第2の電流を生成する第2の電流生成回路12と、第1の電流および第2の電流に基づいて、温度に依存せず、かつ、第1の電源電圧に依存しない第3の電流を生成する第3の電流生成回路13と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
正の温度係数を持ち、かつ、第１の電源電圧に依存しない第１の電流を生成する第１の電流生成回路と、
負の温度係数を持ち、かつ、前記第１の電源電圧に依存しない第２の電流を生成する第２の電流生成回路と、
前記第１の電流および前記第２の電流に基づいて、温度依存性がなく、かつ、前記第１の電源電圧に依存しない第３の電流を生成する第３の電流生成回路と
を備える半導体装置。
続きを表示（約 660 文字）【請求項２】
前記第３の電流は、前記第１の電流を第１のミラー比でコピーした電流と、前記第２の電流を第２のミラー比でコピーした電流とを合流させることにより生成され、
前記第１のミラー比および前記第２のミラー比は、前記第３の電流の温度係数がゼロになるように設定される
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３の電流に基づいて、温度依存性がなく、かつ、前記第１の電源電圧に依存しない基準電圧を生成する
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記基準電圧は、１．２Ｖより大きい
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記基準電圧を増幅する負帰還増幅回路をさらに備える
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記負帰還増幅回路における帰還率は０．５より大きい
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第３の電流をコピーした電流を、一端が第２の電源電圧に接続された抵抗に流すカレントミラー回路をさらに備え、
前記抵抗の他端で前記基準電圧が生成する
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の電源電圧は、バッテリーの電圧である
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の電流は、バイポーラトランジスタのベースエミッタ間電圧に基づいて生成される
請求項１に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、温度補償された電流を生成する半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、温度補償され、かつ電源電圧補償された１．２Ｖ以下の基準電圧を生成する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００４－２０６６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された基準電圧発生回路には、温度補償され、かつ、電源電圧補償された１．２Ｖ以上の電圧を生成することができないという問題がある。
【０００５】
本開示は、このような問題を解決するためになされたものであり、温度補償され、かつ、電源電圧補償された電流を生成する半導体装置を実現することを目的とする。
【０００６】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態による半導体装置は、正の温度係数を持ち、かつ、第１の電源電圧に依存しない第１の電流を生成する第１の電流生成回路と、負の温度係数を持ち、かつ、前記第１の電源電圧に依存しない第２の電流を生成する第２の電流生成回路と、前記第１の電流および前記第２の電流に基づいて、温度に依存せず、かつ、前記第１の電源電圧に依存しない第３の電流を生成する第３の電流生成回路とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
前記一実施の形態によれば、温度補償され、かつ、電源電圧補償された電流を生成する半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、実施形態１にかかる半導体装置の構成を示す回路図である。
図２は、実施形態１にかかる電流の温度依存性を示すグラフである。
図３は、実施形態２にかかる半導体装置の構成を示す回路図である。
図４は、実施形態２にかかる基準電圧の温度依存性を示すグラフである。
図５は、実施形態２の効果の一つを説明するための図である。
図６は、実施形態３にかかる半導体装置の構成を示す回路図である。
図７は、実施形態３にかかる基準電圧の温度依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、および簡略化がなされている。各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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