TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2025120144
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-08-15
出願番号
2025011201
出願日
2025-01-27
発明の名称
カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びにカルボン酸塩
出願人
住友化学株式会社
代理人
弁理士法人新樹グローバル・アイピー
主分類
G03F
7/004 20060101AFI20250807BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約
【課題】良好なCD均一性を有するレジストパターンを製造し得るカルボン酸塩、カルボン酸発生剤及びレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表されるカルボン酸塩を含有するカルボン酸発生剤等。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025120144000170.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">34</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">134</com:WidthMeasure> </com:Image> [式中、L
1
は単結合又は置換/非置換の炭化水素基;W
1
はI原子を有する脂環式炭化水素基;R
5
は-X
1
-R
10
、-X
1
-L
10
-X
2
-R
10
、X
1
及びX
2
はそれぞれ-CO-O-、-O-CO-等、L
10
は置換/非置換の炭化水素基、R
10
は式(IC)で表される基;m5は1~4の整数;Z
+
は有機カチオン;R
A
は飽和炭化水素基;u1は0~2の整数、s1は1又は2、t1は0又は1、但しs1+t1=1又は2;L
12
は単結合又は置換/非置換の炭化水素基を表す。]
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
式(I)で表されるカルボン酸塩を含有するカルボン酸発生剤。
TIFF
2025120144000159.tif
16
94
[式(I)中、
L
1
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数1~40の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-、-SO-、-NR
7
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
R
7
は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
W
1
は、ヨウ素原子を有する炭素数3~36の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-、-SO-、-NR
7
-又は-CO-に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、ヨウ素原子以外の置換基を有していてもよい。
R
5
は、-X
1
-R
10
、又は-X
1
-L
10
-X
2
-R
10
を表す。
X
1
及びX
2
は、それぞれ独立に、*-CO-O-、*-O-CO-、*-O-CO-O-又は*-O-(但し、*は、W
1
又はL
10
との結合部位を表す。)を表す。
L
10
は、置換基を有してもよい炭素数1~28の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-、-SO-、-NR
7
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
R
10
は、式(IC)で表される基を表す。
m5は、1~4のいずれかの整数を表し、m5が2以上のとき、複数のR
5
は互いに同一であっても異なってもよい。
Z
+
は、有機カチオンを表す。]
TIFF
2025120144000160.tif
25
71
[式(IC)中、
R
A
は、炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。
u1は、0~2のいずれかの整数を表し、u1が2である場合、複数のR
A
は同一であっても異なっていてもよい。
s1は、1又は2を表す。
t1は、0又は1を表す。但し、s1とt1との和は、1又は2である。
L
12
は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-、-SO-、-NR
7
-又は-SO
2
続きを表示(約 6,300 文字)
【請求項2】
L
1
が、単結合、置換基を有してもよい炭素数1~10の鎖式炭化水素基(但し、該鎖式炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-CO-に置き換わっていてもよい。)、置換基を有してもよい炭素数3~24の環状炭化水素基(但し、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい。)又は置換基を有してもよい炭素数1~8の鎖式炭化水素基と置換基を有してもよい炭素数3~24の環状炭化水素基とを組み合わせてなる基(但し、該鎖式炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-CO-に置き換わっていてもよく、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-、-SO-、-NR
7
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。)である請求項1に記載のカルボン酸発生剤。
【請求項3】
W
1
が、ヨウ素原子を有する炭素数6~12の脂環式炭化水素基である請求項1に記載のカルボン酸発生剤。
【請求項4】
請求項1に記載のカルボン酸発生剤を含有するレジスト組成物。
【請求項5】
樹脂を含有し、該樹脂が、式(a2-A)で表される構造単位を含む樹脂を含有する請求項4に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025120144000161.tif
31
128
[式(a2-A)中、
R
a2
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
R
a27
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~12のアルコキシアルキル基、炭素数2~12のアルコキシアルコキシ基、炭素数2~4のアルキルカルボニル基、炭素数2~4のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
A
a21
は、単結合又は炭素数1~12のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-又は-NR
a28
-に置き換わってもよい。
R
a28
は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
X
a2
は、単結合又はカルボニル基を表す。
nA2は、1~5のいずれかの整数を表し、nA2が2以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
na21は、0~4のいずれかの整数を表し、na21が2以上のとき、複数のR
a27
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
mcは、0~2のいずれかの整数を表す。]
【請求項6】
樹脂を含有し、該樹脂が酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂を含有し、
該酸不安定基を有する構造単位が、式(a1-0)で表される構造単位、式(a1-1)で表される構造単位、式(a1-2)で表される構造単位、式(a1-4)で表される構造単位、式(a1-5)で表される構造単位及び式(a1-6)で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種を含む請求項4に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025120144000162.tif
43
144
[式(a1-0)、式(a1-1)及び式(a1-2)中、
L
a01
、L
a1
及びL
a2
は、それぞれ独立に、-O-又は*-O-(CH
2
)
k1
-CO-O-を表し、k1は1~7のいずれかの整数を表し、*は-CO-との結合部位を表す。
R
a01
、R
a4
及びR
a5
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
R
a02
、R
a03
及びR
a04
は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基および該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
R
a6
及びR
a7
は、それぞれ独立に、炭素数1~8のアルキル基、炭素数2~8のアルケニル基、炭素数3~18の脂環式炭化水素基、炭素数6~18の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
m1’は0~14のいずれかの整数を表す。
n1は0~10のいずれかの整数を表す。
n1’は0~3のいずれかの整数を表す。]
TIFF
2025120144000163.tif
31
118
[式(a1-4)中、
R
a1
は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基を表す。
R
a17
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1~6のアルキル基、炭素数1~6のアルコキシ基、炭素数2~12のアルコキシアルキル基、炭素数2~12のアルコキシアルコキシ基、炭素数2~4のアルキルカルボニル基、炭素数2~4のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
A
a11
は、単結合又は炭素数1~12のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-CO-又は-NR
a18
-に置き換わってもよい。
R
a18
は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
X
a1
は、単結合又はカルボニル基を表す。
R
a34
及びR
a35
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1~12の炭化水素基を表し、R
a36
は、炭素数1~20の炭化水素基を表すか、R
a35
及びR
a36
は互いに結合してそれらが結合する-C-O-とともに炭素数2~20の2価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該2価の炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-S-で置き換わってもよい。
na1は、1~5のいずれかの整数を表し、na1が2以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
na11は、0~4のいずれかの整数を表し、na11が2以上のとき、複数のR
a17
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
mcは、0~2のいずれかの整数を表す。]
TIFF
2025120144000164.tif
45
58
[式(a1-5)中、
R
【請求項7】
さらに、酸発生剤を含み、
該酸発生剤が、式(B1)で表される塩又は式(B1-A3)で表される塩を含む請求項4に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025120144000166.tif
13
95
[式(B1)中、
L
b1
は、単結合又は置換基を有してもよい(nb1+1)価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい。
L
b2
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数1~24の2価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。
Y
b1
は、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数3~24の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
nb1は、1~6のいずれかの整数を表す。nb1が2以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
Z1
+
は、有機カチオンを表す。]
TIFF
2025120144000167.tif
12
100
[式(B1-A3)中、
A
1
は、窒素原子又は炭素原子を表す。
L
b2’
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数1~24の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。
Y
b1’
は、置換基を有してもよいメチル基又は炭素数3~24の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-で置き換わっていてもよい。
nb5は、2又は3の整数を表し、Aが窒素原子の場合、nb5は2、Aが炭素原子の場合、nb5は3であり、複数の-L
b2’
-Y
b1’
は、互いに同一であっても異なっていてもよく、2つの-SO
2
-L
b2’
-Y
b1’
が一緒になって、A
1
を含む環を形成してもよい。
Z3
+
は、有機カチオンを表す。]
【請求項8】
(1)請求項4に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
(2)塗布後のレジスト組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
(3)組成物層に露光する工程、
(4)露光後の組成物層を加熱する工程、及び
(5)加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
【請求項9】
式(I)で表されるカルボン酸塩。
TIFF
2025120144000168.tif
16
94
[式(I)中、
L
1
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数1~40の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-、-SO-、-NR
7
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
R
7
は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
W
1
は、ヨウ素原子を有する炭素数3~36の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-、-SO-、-NR
7
-又は-CO-に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、ヨウ素原子以外の置換基を有していてもよい。
R
5
は、-X
1
-R
10
、又は-X
1
-L
10
-X
2
-R
10
を表す。
X
1
及びX
2
は、それぞれ独立に、*-CO-O-、*-O-CO-、*-O-CO-O-又は*-O-(但し、*は、W
1
又はL
10
との結合部位を表す。)を表す。
L
10
は、置換基を有してもよい炭素数1~28の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-、-SO-、-NR
7
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
R
10
は、式(IC)で表される基を表す。
m5は、1~4のいずれかの整数を表し、m5が2以上のとき、複数のR
5
は互いに同一であっても異なってもよい。
Z
+
は、有機カチオンを表す。]
TIFF
2025120144000169.tif
25
71
[式(IC)中、
R
A
は、炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。
u1は、0~2のいずれかの整数を表し、u1が2である場合、複数のR
A
は同一であっても異なっていてもよい。
s1は、1又は2を表す。
t1は、0又は1を表す。但し、s1とt1との和は、1又は2である。
L
12
は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-、-SO-、-NR
7
-又は-SO
2
【請求項10】
L
1
が、単結合、置換基を有してもよい炭素数1~10の鎖式炭化水素基(但し、該鎖式炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-CO-に置き換わっていてもよい。)、置換基を有してもよい炭素数3~24の環状炭化水素基(但し、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-又は-SO
2
-に置き換わっていてもよい。)又は置換基を有してもよい炭素数1~8の鎖式炭化水素基と置換基を有してもよい炭素数3~24の環状炭化水素基とを組み合わせてなる基(但し、該鎖式炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-又は-CO-に置き換わっていてもよく、該環状炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。)である請求項9に記載のカルボン酸塩。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、カルボン酸塩、カルボン酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示(約 4,400 文字)
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、下記式で表されるカルボン酸塩を含有するレジスト組成物が記載されている。
TIFF
2025120144000001.tif
37
48
【0003】
特許文献2には、下記式で表されるカルボン酸塩を含有するレジスト組成物が記載されている。
TIFF
2025120144000002.tif
26
61
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2022-141598号公報
特開2019-137684号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、上記のカルボン酸塩を含有するレジスト組成物によって形成されたレジストパターンよりも、CD均一性(CDU)が良好なレジストパターンを形成するカルボン酸塩を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、以下の発明を含む。
[1]式(I)で表されるカルボン酸塩を含有するカルボン酸発生剤。
TIFF
2025120144000003.tif
16
94
[式(I)中、
L
1
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数1~40の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-、-SO-、-NR
7
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
R
7
は、水素原子又は炭素数1~6のアルキル基を表す。
W
1
は、ヨウ素原子を有する炭素数3~36の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-、-SO-、-NR
7
-又は-CO-に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、ヨウ素原子以外の置換基を有していてもよい。
R
5
は、-X
1
-R
10
、又は-X
1
-L
10
-X
2
-R
10
を表す。
X
1
及びX
2
は、それぞれ独立に、*-CO-O-、*-O-CO-、*-O-CO-O-又は*-O-(但し、*は、W
1
又はL
10
との結合部位を表す。)を表す。
L
10
は、置換基を有してもよい炭素数1~28の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-SO
2
-、-SO-、-NR
7
-又は-CO-に置き換わっていてもよい。
R
10
は、式(IC)で表される基を表す。
m5は、1~4のいずれかの整数を表し、m5が2以上のとき、複数のR
5
は互いに同一であっても異なってもよい。
Z
+
は、有機カチオンを表す。]
TIFF
2025120144000004.tif
25
71
[式(IC)中、
R
A
は、炭素数1~12の飽和炭化水素基を表す。
u1は、0~2のいずれかの整数を表し、u1が2である場合、複数のR
A
は同一であっても異なっていてもよい。
s1は、1又は2を表す。
t1は、0又は1を表す。但し、s1とt1との和は、1又は2である。
L
12
は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数1~36の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる-CH
2
-は、-O-、-S-、-CO-、-SO-、-NR
7
【発明の効果】
【0007】
本発明のカルボン酸塩又は構造単位を含有するレジスト組成物を用いることにより、良好なCD均一性(CDU)でレジストパターンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本明細書において、「(メタ)アクリル系モノマー」とは、「アクリル系モノマー及びメタクリル系モノマーの少なくとも1種」を意味する。「(メタ)アクリレート」及び「(メタ)アクリル酸」等の表記も同様の意味を表す。本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。炭化水素基等に含まれる-CH
2
-が-O-、-S-、-CO-、-SO-、-NR
X
-(Xは任意の符号)又は-SO
2
-で置き換わる場合、各基において同様の例を適用するものとし、置き換わる前の炭素数を炭化水素基等の炭素数とする。「組み合わせた基」とは、例示した基を2種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性C=C結合が重合により-C-C-基(単結合)となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。「酸不安定基」は、酸(例えば、トリフルオロメタンスルホン酸等)と接触すると、脱離基が脱離し、親水性基(例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基等)を形成する基を意味する。塩基不安定基とは、塩基(例えば、トリメチルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等)と接触すると、脱離基が脱離して、親水基(カルボキシ基又はヒドロキシ基等)を形成する基を意味する。各基は、置換基の数等によって、その基に含まれる任意の位置及び数の水素原子が結合手に置き換わることがある。置換基における炭素数は、被置換基の炭素数には含めない。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤(E)を除いた成分の合計を意味する。
【0009】
〔式(I)で表されるカルボン酸塩〕
本発明は、式(I)で表されるカルボン酸塩(以下「カルボン酸塩(I)」又は「塩(I)」という場合がある)に関する。
カルボン酸塩(I)のうち、負電荷を有する側を「アニオン(I)」、正電荷を有する側を「カチオン(I)」と称することがある。
【0010】
式(I)において、L
1
における炭化水素基としては、アルカンジイル基等の2価の鎖式炭化水素基、単環式又は多環式(スピロ環を含む)の2価の脂環式炭化水素基、2価の芳香族炭化水素基等の2価の環状炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち2種以上を組み合わせた基(例えば脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基とアルカンジイル基とから形成される2価の炭化水素基)でもよい。炭化水素基の炭素数は、好ましくは1~38であり、より好ましくは1~36であり、さらに好ましくは1~32であり、さらにより好ましくは1~28である。
アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン-1,3-ジイル基、ブタン-1,4-ジイル基、ペンタン-1,5-ジイル基、ヘキサン-1,6-ジイル基、ヘプタン-1,7-ジイル基、オクタン-1,8-ジイル基、ノナン-1,9-ジイル基、デカン-1,10-ジイル基、ウンデカン-1,11-ジイル基、ドデカン-1,12-ジイル基、トリデカン-1,13-ジイル基、テトラデカン-1,14-ジイル基、ペンタデカン-1,15-ジイル基、ヘキサデカン-1,16-ジイル基及びヘプタデカン-1,17-ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基及び
エタン-1,1-ジイル基、プロパン-1,1-ジイル基、プロパン-1,2-ジイル基、プロパン-2,2-ジイル基、ペンタン-2,4-ジイル基、2-メチルプロパン-1,3-ジイル基、2-メチルプロパン-1,2-ジイル基、ペンタン-1,4-ジイル基、2-メチルブタン-1,4-ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
鎖式炭化水素基の炭素数は、好ましくは1~18であり、より好ましくは1~12であり、さらに好ましくは1~10であり、より一層好ましくは1~8であり、さらに一層好ましくは1~7であり、さらにより好ましくは1~6であり、さらにより一層好ましくは1~5であり、特に好ましくは1~4である。
単環式又は多環式の2価の脂環式炭化水素基としては、以下の脂環式炭化水素基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
TIFF
2025120144000012.tif
46
169
具体的には、シクロブタン-1,3-ジイル基、シクロペンタン-1,3-ジイル基、シクロヘキサン-1,4-ジイル基、シクロオクタン-1,5-ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の2価の脂環式炭化水素基及び
ノルボルナン-1,4-ジイル基、ノルボルナン-2,5-ジイル基、アダマンタン-1,5-ジイル基、アダマンタン-2,6-ジイル基等、スピロシクロヘキサン-1,2’-シクロペンタン-ジイル基、スピロアダマンタン-2,3’-シクロペンタン-ジイル基等のシクロアルカンジイル基、ノルボニル基もしくはアダマンチル基とそれぞれにスピロで結合したシクロアルカンジイル基を有するスピロ環等の多環式の2価の脂環式炭化水素基が挙げられる。
脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは3~24であり、より好ましくは3~20であり、さらに好ましくは3~18であり、より一層好ましくは3~16であり、さらに一層好ましくは3~12である。
2価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ビフェニレン基、フェナントリレン基等のアリーレン基等の芳香族炭化水素基が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは6~24であり、より好ましくは6~20であり、さらに好ましくは6~18であり、より一層好ましくは6~14であり、さらに一層好ましくは6~10である。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
関連特許
住友化学株式会社
偏光板
1か月前
住友化学株式会社
偏光板
1か月前
住友化学株式会社
化合物
14日前
住友化学株式会社
着色剤
14日前
住友化学株式会社
発光素子
1か月前
住友化学株式会社
樹脂組成物
今日
住友化学株式会社
体液に由来する試料
4日前
住友化学株式会社
芳香族ポリスルホン
14日前
住友化学株式会社
成形原料及びフィルム
1か月前
住友化学株式会社
高電子移動度トランジスタ
2か月前
住友化学株式会社
金属有機構造体の製造方法
1か月前
住友化学株式会社
複合偏光板及び画像表示装置
2日前
住友化学株式会社
光学積層体及びその製造方法
16日前
住友化学株式会社
積層体の製造方法及び積層体
1か月前
住友化学株式会社
粘着剤付き偏光板及び表示装置
24日前
住友化学株式会社
着色剤及び着色硬化性樹脂組成物
1日前
住友化学株式会社
プロピレン樹脂組成物及び成形体
1か月前
住友化学株式会社
プロピレン樹脂組成物及び成形体
1か月前
住友化学株式会社
プロピレン樹脂組成物及び成形体
1か月前
住友化学株式会社
プロピレン樹脂組成物及び成形体
1か月前
住友化学株式会社
接着剤組成物及び偏光板の製造方法
24日前
住友化学株式会社
高分子化合物、組成物、及び発光素子
1か月前
住友化学株式会社
非水電解液二次電池用積層セパレータ
4日前
住友化学株式会社
芳香族ポリスルホン及び耐熱フィルム
14日前
住友化学株式会社
リチウム二次電池用正極活物質の製造方法
25日前
住友化学株式会社
浮選剤およびヒ素非含有銅鉱物の回収方法
2か月前
住友化学株式会社
窒化物積層体の製造方法および窒化物積層体
2か月前
住友化学株式会社
膜、積層体、素子、デバイス、及び、構造体
28日前
住友化学株式会社
複素環化合物を用いる有害節足動物防除方法
今日
住友化学株式会社
リチウム二次電池用負極及びリチウム二次電池
25日前
住友化学株式会社
ペレット、ペレットの製造方法、成形体及びギア
1か月前
住友化学株式会社
除草剤耐性作物の栽培地における雑草の防除方法
14日前
住友化学株式会社
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
今日
住友化学株式会社
化合物、樹脂組成物、光学フィルタ及び固体撮像素子
28日前
住友化学株式会社
カラーフィルタ及び該カラーフィルタを含む表示装置
25日前
住友化学株式会社
着色硬化性樹脂組成物、カラーフィルタ及び表示装置
今日
続きを見る
他の特許を見る