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公開番号2025111734
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-30
出願番号2025075422,2023031648
出願日2025-04-30,2016-09-05
発明の名称貫通電極基板および半導体装置
出願人大日本印刷株式会社
代理人弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
主分類H05K 1/11 20060101AFI20250723BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】貫通孔の内部に導電体を容易に形成できる貫通電極基板を提供する。
【解決手段】本開示の実施形態における貫通電極基板は、第1面から第2面に対して貫通し孔内部において径が極小値を有しない貫通孔を含む基板と、貫通孔内に形成された導電体と、を備え、貫通孔は、第1面から第2面までの区間のうち第1面から6.25%、18.75%、31.25%、43.75%、56.25%、68.75%、81.25%、93.75%の距離の位置における貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度(前記第1面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする)の合計値が、8.0°以上であり、前記第1面から前記第2面までの区間のうち43.75%、56.25%、81.25%の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度が順に小さくなる条件を満たす。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１面から第２面に対して貫通し孔内部において径が極小値を有しない貫通孔を含む基板と、
前記貫通孔内に形成された導電体と、
を備え、
前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％、５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が、８．０°以上であり、前記第１面から前記第２面までの区間のうち４３．７５％、５６．２５％、８１．２５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度が順に小さくなる条件を満たす、貫通電極基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、貫通電極基板に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路を形成した半導体回路基板を垂直に積層した三次元実装技術が用いられている。このような実装技術においては、貫通電極が形成された基板が用いられる。このような基板は、インターポーザといわれることもある。貫通電極は、基板に形成された貫通孔に導電体を配置することによって形成される。高集積化のためには、貫通孔の微細化が必要である。例えば、特許文献１、２には、微細な貫通孔を形成するために、ガラス基板にレーザを照射する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１０／０８７４８３号
特表２０１４－５０１６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１、２に開示された技術によれば、貫通孔を微細化することができる一方、アスペクト比が大きくなる。アスペクト比が大きくなると、貫通孔内部への導電体の形成が困難となる。
【０００５】
本開示の実施形態における目的は、貫通孔の内部に導電体を容易に形成することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態によると、第１面から第２面に対して貫通し孔内部において径が極小値を有しない貫通孔を含む基板と、前記貫通孔内に形成された導電体と、を備え、前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％、５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が、８．０°以上であり、前記第１面から前記第２面までの区間のうち４３．７５％、５６．２５％、８１．２５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度が順に小さくなる条件を満たす、貫通電極基板が提供される。
【０００７】
本開示の一実施形態によると、第１面から第２面に対して貫通し孔内部において径が極小値を有する貫通孔を含む基板と、前記貫通孔内に形成された導電体と、を備え、前記貫通孔は、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から６．２５％、１８．７５％、３１．２５％、４３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度（前記第１面側が拡がる角度を正の傾斜角度とする）の合計値が４．０°以上、および前記第１面から５６．２５％、６８．７５％、８１．２５％、９３．７５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度の合計値が－４．０°以下であり、前記第１面から前記第２面までの区間のうち前記第１面から１８．７５％、４３．７５％、５６．２５％、８１．２５％の距離の位置における前記貫通孔の中心軸に対する内側面の傾斜角度が順に小さくなる条件を満たす、貫通電極基板が提供される。
【０００８】
前記導電体は、第１金属層と第２金属層とを含み、前記第１金属層は、前記第２金属層と前記基板との間に配置され、前記第１面と前記第２面との双方において、少なくとも一部に前記第１金属層が配置されていてもよい。
【０００９】
前記第１面と前記第２面とに配置された前記第１金属層の少なくとも一部は、前記貫通孔の内部に配置された前記第１金属層と接続されていてもよい。
【００１０】
前記基板は、ガラス基板であってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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