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公開番号2025111103
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-30
出願番号2024005282
出願日2024-01-17
発明の名称極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法
出願人ギガフォトン株式会社
代理人弁理士法人R&C,個人
主分類G03F 7/20 20060101AFI20250723BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
【解決手段】極端紫外光生成装置は、ターゲットにレーザ光が照射されて極端紫外光が生成される第1の空間と、EUV集光ミラーが配置された第2の空間と、を含むチャンバと、極端紫外光が通過する第1の開口を有し、第1の空間と第2の空間との間に位置する第1の隔壁と、チャンバと外部装置とを接続する接続部と、極端紫外光が通過する第2の開口を有し、接続部の内部に位置する第2の隔壁と、第2の空間にガスを通過させるガス供給口と、第1の空間に開口する第1の排気口と、接続部の内部であって第2の隔壁と外部装置との間に位置する第3の空間に開口する第2の排気口と、第3の空間に配置された第1のセンサと、第1のセンサによる計測結果に基づいて第1の開口を通過するガスの第1の通過流量を算出し、ガス供給口を通って供給されるガスの供給流量を調節するプロセッサと、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ターゲットにレーザ光が照射されて極端紫外光が生成される第１の空間と、前記極端紫外光を反射して外部装置に出力するＥＵＶ集光ミラーが配置された第２の空間と、を含むチャンバと、
前記極端紫外光が通過する第１の開口を有し、前記第１の空間と前記第２の空間との間に位置する第１の隔壁と、
前記チャンバと前記外部装置とを接続する接続部と、
前記極端紫外光が通過する第２の開口を有し、前記接続部の内部に位置する第２の隔壁と、
前記第２の空間に供給されるガスを通過させるガス供給口と、
前記第１の空間に開口する第１の排気口と、
前記接続部の内部であって前記第２の隔壁と前記外部装置との間に位置する第３の空間に開口する第２の排気口と、
前記第３の空間に配置された第１のセンサと、
前記第１のセンサによる計測結果に基づいて前記第１の開口を通過するガスの第１の通過流量を算出し、前記第１の通過流量に基づいて前記ガス供給口を通って供給されるガスの供給流量を調節するプロセッサと、
を備える極端紫外光生成装置。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第１のセンサは、前記第２の排気口を通過するガスの排気流量を計測する流量センサであり、
前記プロセッサは、前記排気流量に基づいて前記第１の通過流量を算出する、
極端紫外光生成装置。
【請求項３】
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記排気流量に基づいて前記第２の開口を通過するガスの第２の通過流量を算出し、前記供給流量と前記第２の通過流量との差を前記第１の通過流量として算出する、
極端紫外光生成装置。
【請求項４】
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記供給流量と前記排気流量との差を前記第１の通過流量として算出する、
極端紫外光生成装置。
【請求項５】
請求項４に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記極端紫外光が通過する第３の開口であって前記第２の開口より小さい前記第３の開口を有し、前記第３の空間と前記外部装置との間に配置される第３の隔壁
をさらに備える、極端紫外光生成装置。
【請求項６】
請求項２に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記接続部は、前記極端紫外光が通過する接続管と、前記接続管から分岐して前記第２の排気口に接続され、前記流量センサを含む排気管と、を含む、
極端紫外光生成装置。
【請求項７】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記極端紫外光を前記第１の開口より外側の光路を介して前記外部装置に出力する、
極端紫外光生成装置。
【請求項８】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記プロセッサは、前記第１の通過流量が目標範囲の上限より大きい場合に前記供給流量を小さくし、前記第１の通過流量が前記目標範囲の下限より小さい場合に前記供給流量を大きくする、
極端紫外光生成装置。
【請求項９】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第１の排気口に接続された排気装置と、
前記第２の空間の圧力を計測する圧力センサである第２のセンサと、
をさらに備え、
前記プロセッサは、
前記第２の空間の圧力が目標範囲内となるように前記排気装置を制御し、
その後、前記第１のセンサによる計測結果に基づいて前記第１の通過流量を算出し、前記第１の通過流量に基づいて前記供給流量を調節する、
極端紫外光生成装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の極端紫外光生成装置であって、
前記第１の排気口に接続された排気装置と、
前記第２の空間の圧力を計測する圧力センサである第２のセンサと、
をさらに備え、
前記プロセッサは、
前記第２の空間の圧力が第１の目標範囲内となるように前記排気装置を制御する第１の処理と、
前記第１のセンサによる計測結果に基づいて前記第１の通過流量を算出し、前記第１の通過流量が第２の目標範囲の上限より大きい場合に前記供給流量を小さくし、前記第１の通過流量が前記第２の目標範囲の下限より小さい場合に前記供給流量を大きくする第２の処理と、
を前記第１の通過流量が前記第２の目標範囲内となるまで交互に行う、
極端紫外光生成装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
米国特許出願公開第２０２２／０８２９２７号明細書
特開２００９－２０５９５２号公報
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、ターゲットにレーザ光が照射されて極端紫外光が生成される第１の空間と、極端紫外光を反射して外部装置に出力するＥＵＶ集光ミラーが配置された第２の空間と、を含むチャンバと、極端紫外光が通過する第１の開口を有し、第１の空間と第２の空間との間に位置する第１の隔壁と、チャンバと外部装置とを接続する接続部と、極端紫外光が通過する第２の開口を有し、接続部の内部に位置する第２の隔壁と、第２の空間に供給されるガスを通過させるガス供給口と、第１の空間に開口する第１の排気口と、接続部の内部であって第２の隔壁と外部装置との間に位置する第３の空間に開口する第２の排気口と、第３の空間に配置された第１のセンサと、第１のセンサによる計測結果に基づいて第１の開口を通過するガスの第１の通過流量を算出し、第１の通過流量に基づいてガス供給口を通って供給されるガスの供給流量を調節するプロセッサと、を備える。
【０００６】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、ターゲットにレーザ光が照射されて極端紫外光が生成される第１の空間と、極端紫外光を反射して露光装置に出力するＥＵＶ集光ミラーが配置された第２の空間と、を含むチャンバと、極端紫外光が通過する第１の開口を有し、第１の空間と第２の空間との間に位置する第１の隔壁と、チャンバと露光装置とを接続する接続部と、極端紫外光が通過する第２の開口を有し、接続部の内部に位置する第２の隔壁と、第２の空間に供給されるガスを通過させるガス供給口と、第１の空間に開口する第１の排気口と、接続部の内部であって第２の隔壁と露光装置との間に位置する第３の空間に開口する第２の排気口と、第３の空間に配置された第１のセンサと、第１のセンサによる計測結果に基づいて第１の開口を通過するガスの第１の通過流量を算出し、第１の通過流量に基づいてガス供給口を通って供給されるガスの供給流量を調節するプロセッサと、を備える極端紫外光生成装置によって極端紫外光を生成し、極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含む。
【０００７】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、ターゲットにレーザ光が照射されて極端紫外光が生成される第１の空間と、極端紫外光を反射して検査装置に出力するＥＵＶ集光ミラーが配置された第２の空間と、を含むチャンバと、極端紫外光が通過する第１の開口を有し、第１の空間と第２の空間との間に位置する第１の隔壁と、チャンバと検査装置とを接続する接続部と、極端紫外光が通過する第２の開口を有し、接続部の内部に位置する第２の隔壁と、第２の空間に供給されるガスを通過させるガス供給口と、第１の空間に開口する第１の排気口と、接続部の内部であって第２の隔壁と検査装置との間に位置する第３の空間に開口する第２の排気口と、第３の空間に配置された第１のセンサと、第１のセンサによる計測結果に基づいて第１の開口を通過するガスの第１の通過流量を算出し、第１の通過流量に基づいてガス供給口を通って供給されるガスの供給流量を調節するプロセッサと、を備える極端紫外光生成装置によって生成した極端紫外光を検査装置内でマスクに照射して、マスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係るＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を示す。
図２は、図１に示されるＥＵＶ光生成装置の構成を示す。
図３は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す。
図４は、第１の実施形態においてガスの供給流量を設定する動作を示すフローチャートである。
図５は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す。
図６は、第２の実施形態においてガスの供給流量を設定する動作を示すフローチャートである。
図７は、圧力差の絶対値に基づいて第２の通過流量を算出する第１の方法において作成されるデータテーブルを示す。
図８は、ＥＵＶ光生成システムに接続された露光装置の構成を概略的に示す。
図９は、ＥＵＶ光生成システムに接続された検査装置の構成を概略的に示す。
【実施形態】
【０００９】
＜内容＞
１．比較例
１．１構成
１．２動作
２．比較例の課題
３．排気流量Ｅ１に基づいて供給流量Ｆ２を制御するＥＵＶ光生成システム１１ａ
３．１構成
３．２動作
３．３作用
４．第３の空間９１０の圧力Ｐ２に基づいて供給流量Ｆ２を制御するＥＵＶ光生成システム１１ｂ
４．１構成
４．２動作
４．３作用
５．その他
５．１外部装置６の例
５．２補足
【００１０】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
（【００１１】以降は省略されています）

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