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公開番号2025106479
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-15
出願番号2025064583,2023542100
出願日2025-04-09,2021-08-18
発明の名称メンテナンス方法
出願人ギガフォトン株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類H01S 3/13 20060101AFI20250708BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】バイパス装置が着脱可能に構成されているレーザ装置を提供する。
【解決手段】パルスレーザ光を出力するレーザ装置に着脱可能であり、レーザ装置2A内に設けられ、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置50をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置60であって、バイパス光路を形成する複数の光学素子と、複数の光学素子を収容する筐体65とを備え、複数の光学素子には、パルス幅伸長装置に入射するパルスレーザ光をパルス幅伸長装置の外に向けて反射してバイパス光路へ導く第1高反射ミラー61と、第1高反射ミラーにより反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射してパルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第2高反射ミラー64とが含まれる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
パルスレーザ光を出力するレーザ装置に着脱可能であり、前記レーザ装置内に設けられ、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置であって、
前記バイパス光路を形成する複数の光学素子と、
前記複数の光学素子を収容する筐体と、
を備え、
前記複数の光学素子には、
前記パルス幅伸長装置に入射する前記パルスレーザ光を前記パルス幅伸長装置の外に向けて反射して前記バイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、
前記第１高反射ミラーにより反射され、前記バイパス光路を介して入射する前記パルスレーザ光を反射して前記パルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、
が含まれる
バイパス装置。
続きを表示（約 1,900 文字）【請求項２】
請求項１に記載のバイパス装置であって、
前記バイパス光路の光軸を調整する光軸調整機構をさらに備える
バイパス装置。
【請求項３】
請求項２に記載のバイパス装置であって、
前記光軸調整機構は、前記複数の光学素子のうちの第１光学素子を保持して姿勢角度を変化させる第１アクチュエータ付きホルダと、第２光学素子を保持して姿勢角度を変化させる第２アクチュエータ付きホルダとを含む
バイパス装置。
【請求項４】
請求項３に記載のバイパス装置であって、
前記第１光学素子及び前記第２光学素子は、高反射ミラーである
バイパス装置。
【請求項５】
請求項３に記載のバイパス装置であって、
前記第１光学素子は、高反射ミラーであり、
前記第２光学素子は、透光性の平行平板基板である
バイパス装置。
【請求項６】
請求項１に記載のバイパス装置であって、
前記第１高反射ミラーは、入射したパルスレーザ光の進行方向を変更するビームステアリング装置から出力された前記パルスレーザ光を反射し、
前記第２高反射ミラーは、前記バイパス光路を介して入射した前記パルスレーザ光を、前記パルス幅伸長装置の出射光軸に沿って出力して前記出射光路に戻す
バイパス装置。
【請求項７】
請求項１に記載のバイパス装置であって、
前記第１高反射ミラーは、入射したパルスレーザ光の進行方向を変更するビームステアリング装置に含まれる１つの高反射ミラーから出力された前記パルスレーザ光を反射し、
前記第２高反射ミラーは、前記バイパス光路を介して入射した前記パルスレーザ光を、前記パルス幅伸長装置の出射光軸に沿って出力して前記ビームステアリング装置へ戻す
バイパス装置。
【請求項８】
請求項１に記載のバイパス装置であって、
前記第１高反射ミラーは、入射したパルスレーザ光の進行方向を変更するビームステアリング装置に含まれる１つの高反射ミラーから出力された前記パルスレーザ光を反射し、
前記第２高反射ミラーは、前記バイパス光路を介して入射した前記パルスレーザ光を、前記ビームステアリング装置の出射光軸に沿って出力して前記出射光路に戻す
バイパス装置。
【請求項９】
パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置とを備え、前記パルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置が着脱可能に取り付けられたレーザ装置であって、
前記バイパス装置は、
前記バイパス光路を形成する複数の光学素子と、
前記複数の光学素子を収容する筐体と、
を備え、
前記複数の光学素子には、
前記パルス幅伸長装置に入射する前記パルスレーザ光を前記パルス幅伸長装置の外に向けて反射して前記バイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、
前記第１高反射ミラーにより反射され、前記バイパス光路を介して入射する前記パルスレーザ光を反射して前記パルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、
が含まれる
レーザ装置。
【請求項１０】
パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置とを備え、前記パルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置が着脱可能に取り付けられたレーザ装置から出力された前記パルスレーザ光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板に前記パルスレーザ光を露光することを含む電子デバイスの製造方法であって、
前記バイパス装置は、
前記バイパス光路を形成する複数の光学素子と、
前記複数の光学素子を収容する筐体と、
を備え、
前記複数の光学素子には、
前記パルス幅伸長装置に入射する前記パルスレーザ光を前記パルス幅伸長装置の外に向けて反射して前記バイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、
前記第１高反射ミラーにより反射され、前記バイパス光路を介して入射する前記パルスレーザ光を反射して前記パルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、
が含まれる
電子デバイスの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、バイパス装置、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
続きを表示（約 3,100 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。たとえば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長約１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
【０００３】
ＫｒＦエキシマレーザ装置およびＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、３５０～４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を含む狭帯域化モジュール（ＬｉｎｅＮａｒｒｏｗｉｎｇＭｏｄｕｌｅ：ＬＮＭ）が備えられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００５－１４８５５０号公報
特開平８－０１５６１８号公報
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係るバイパス装置は、パルスレーザ光を出力するレーザ装置に着脱可能であり、レーザ装置内に設けられ、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置であって、バイパス光路を形成する複数の光学素子と、複数の光学素子を収容する筐体と、を備え、複数の光学素子には、パルス幅伸長装置に入射するパルスレーザ光をパルス幅伸長装置の外に向けて反射してバイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、第１高反射ミラーにより反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射してパルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、が含まれる。
【０００６】
本開示の１つの観点に係るレーザ装置は、パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置とを備え、パルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置が着脱可能に取り付けられたレーザ装置であって、バイパス装置は、バイパス光路を形成する複数の光学素子と、複数の光学素子を収容する筐体と、を備え、複数の光学素子には、パルス幅伸長装置に入射するパルスレーザ光をパルス幅伸長装置の外に向けて反射してバイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、第１高反射ミラーにより反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射してパルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、が含まれる。
【０００７】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、入射したパルスレーザ光のパルス幅を伸長するパルス幅伸長装置とを備え、パルス幅伸長装置をバイパスするバイパス光路を形成するバイパス装置が着脱可能に取り付けられたレーザ装置から出力されたパルスレーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板にパルスレーザ光を露光することを含む電子デバイスの製造方法であって、バイパス装置は、バイパス光路を形成する複数の光学素子と、複数の光学素子を収容する筐体と、を備え、複数の光学素子には、パルス幅伸長装置に入射するパルスレーザ光をパルス幅伸長装置の外に向けて反射することにより、パルスレーザ光をバイパス光路へ導く第１高反射ミラーと、第１高反射ミラーにより反射され、バイパス光路を介して入射するパルスレーザ光を反射することにより、パルスレーザ光をパルス幅伸長装置の出射光路へ戻す第２高反射ミラーと、が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、比較例に係るレーザ装置の構成を概略的に示す正面図である。
図２は、第１実施形態に係るレーザ装置の構成例を概略的に示す正面図である。
図３は、第１実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す正面図である。
図４は、第２実施形態に係るレーザ装置の構成を概略的に示す上面図である。
図５は、第２実施形態に係るレーザ装置の構成を概略的に示す正面図である。
図６は、第２実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す上面図である。
図７は、第２実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す正面図である。
図８は、第２実施形態に係るレーザ装置からバイパス装置が取り外された状態を示す斜視図である。
図９は、第２実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す斜視図である。
図１０は、第３実施形態に係るレーザ装置の構成を概略的に示す上面図である。
図１１は、第３実施形態に係るレーザ装置の構成を概略的に示す正面図である。
図１２は、第３実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す上面図である。
図１３は、第３実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す正面図である。
図１４は、第３実施形態に係るレーザ装置からバイパス装置が取り外された状態を示す斜視図である。
図１５は、第３実施形態に係るレーザ装置にバイパス装置が取り付けられた状態を示す斜視図である。
図１６は、第１実施形態の第１変形例に係るバイパス装置の構成を概略的に示す図である。
図１７は、第１実施形態の第２変形例に係るバイパス装置の構成を概略的に示す図である。
図１８は、露光装置の構成例を概略的に示す図である。
【実施形態】
【０００９】
＜内容＞
１．比較例
１．１構成
１．２動作
１．３課題
２．第１実施形態
２．１構成
２．２動作
２．３効果
３．第２実施形態
３．１構成
３．２動作
３．３効果
４．第３実施形態
４．１構成
４．２動作
４．３効果
５．バイパス装置の変形例
５．１第１変形例
５．２第２変形例
５．３その他の変形例
６．電子デバイスの製造方法
【００１０】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
（【００１１】以降は省略されています）

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