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公開番号2025097711
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-01
出願番号2023214058
出願日2023-12-19
発明の名称基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20250624BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ガスの切り替え時間を短くすることで、基板処理の効率化を促すことができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を収容する内部空間を有する処理容器と、前記処理容器にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器に設けられ、前記内部空間に前記ガスを供給するシャワーヘッドと、を備える。前記シャワーヘッドは、前記ガス供給部により供給された前記ガスを拡散するガス拡散室と、前記内部空間と前記ガス拡散室とを連通する複数のガス孔と、を有する。前記拡散室の前記シャワーヘッドの厚み方向に沿った高さが0.1mm～5mmの範囲に設定されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基板を収容する内部空間を有する処理容器と、
前記処理容器にガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器に設けられ、前記内部空間に前記ガスを供給するシャワーヘッドと、を備える基板処理装置であって、
前記シャワーヘッドは、前記ガス供給部により供給された前記ガスを拡散するガス拡散室と、前記内部空間と前記ガス拡散室とを連通する複数のガス孔と、を有し、
前記ガス拡散室の前記シャワーヘッドの厚み方向に沿った高さが０．１～５ｍｍの範囲に設定されている、
基板処理装置。
続きを表示（約 550 文字）【請求項２】
前記シャワーヘッドは、水平方向に沿って前記ガス拡散室を区画した複数の領域と、前記複数の領域の各々に前記ガスを流入させる複数のガス流路と、を有し、
前記複数の領域の前記シャワーヘッドの厚み方向に沿った高さが全て０．１ｍｍ～５ｍｍの範囲に設定されている、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記シャワーヘッドは、平面視で円形状に形成され
前記複数の領域の各々に連通する前記複数のガス流路の連通路は、前記シャワーヘッドの同じ半径距離の周方向に沿って３つ以上設けられる、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記複数のガス流路の各々は、前記シャワーヘッドの厚み方向と直交する方向に延在し、分岐点において分岐することで３つ以上の前記連通路にそれぞれ連通する横通路を備え、
前記横通路は、前記分岐点で分岐した部分の相互の長さが均等であり、かつ対称形状である、
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記シャワーヘッドに前記ガスを供給する配管を備え、
前記配管の配管径は、３／８ｉｎｃｈ以下である、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理容器（真空容器）に設けられたシャワーヘッド（電極体）から処理容器の内部空間にガスを供給してプラズマを生成する基板処理装置（表面処理装置）が開示されている。この種の基板処理装置は、シャワーヘッドから供給するガスの種類を適宜のタイミングで切り替えることにより、処理容器に収容した基板に対して所望の基板処理を施すことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平８－３２５７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、簡単な構成によりガスの切り替え時間を短くして、処理の効率化を促進できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様によれば、基板を収容する内部空間を有する処理容器と、前記処理容器にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器に設けられ、前記内部空間に前記ガスを供給するシャワーヘッドと、を備える基板処理装置であって、前記シャワーヘッドは、前記ガス供給部により供給された前記ガスを拡散するガス拡散室と、前記内部空間と前記ガス拡散室とを連通する複数のガス孔と、を有し、前記ガス拡散室の前記シャワーヘッドの厚み方向に沿った高さが０．１ｍｍ～５ｍｍの範囲に設定されている、基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一態様によれば、ガスの切り替え時間を短くすることで、基板処理の効率化を促すことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態に係るプラズマ処理装置を有するプラズマ処理システムの全体構成を概略的に示す図である。
ガス供給部およびシャワーヘッドの一部を概略的に示す図である。
シャワーヘッドを示す断面図である。
シャワーヘッドのガス流路を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
まず実施形態に係る基板処理装置であるプラズマ処理装置１を有するプラズマ処理システムの構成例について、図１を参照しながら説明する。
【００１０】
プラズマ処理システムは、容量結合プラズマ処理装置１および制御部２を含む。容量結合プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０および排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１およびガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド５０を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド５０は、基板支持部１１の上方に配置される。実施形態において、シャワーヘッド５０は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド５０、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａおよび基板支持部１１により規定された内部空間であるプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排気口とを有する。側壁１０ａは接地される。シャワーヘッド５０および基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０筐体とは電気的に絶縁される。
（【００１１】以降は省略されています）

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